专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201421625A 半導體裝置之矽穿孔修補電路审中-公开
简体标题：半导体设备之硅穿孔修补电路
公开(公告)号：TW201421625A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101144576
申请日：2012-11-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：曾珮玲 , TSENG, PEI LING , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H03K19/003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置之矽穿孔修補電路。矽穿孔修補電路包括第一晶片以及至少一第二晶片、至少兩個直通矽晶穿孔、至少兩個資料路徑電路以及輸出邏輯電路。每個資料路徑電路包括輸入驅動電路、短路偵測電路、偏壓電路以及漏電流消除電路。輸入驅動電路接收輸入信號，轉換該輸入信號為待傳信號，並將其傳送至對應之直通矽晶穿孔的第一端。短路偵測電路依據輸入信號與對應之直通矽晶穿孔的第一端以偵測對應之直通矽晶穿孔是否與矽基板發生短路，並產生短路偵測輸出信號。漏電流消除電路依據短路偵測輸出信號以避免由第一準位電壓所產生的漏電流流入矽基板。
简体摘要：一种半导体设备之硅穿孔修补电路。硅穿孔修补电路包括第一芯片以及至少一第二芯片、至少两个直通硅晶穿孔、至少两个数据路径电路以及输出逻辑电路。每个数据路径电路包括输入驱动电路、短路侦测电路、偏压电路以及漏电流消除电路。输入驱动电路接收输入信号，转换该输入信号为待传信号，并将其发送至对应之直通硅晶穿孔的第一端。短路侦测电路依据输入信号与对应之直通硅晶穿孔的第一端以侦测对应之直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。

2. 发明专利

TWI428931B 三維積體電路晶片定址連接電路有权
简体标题：三维集成电路芯片寻址连接电路
公开(公告)号：TWI428931B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW098133037
申请日：2009-09-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蕭智文 , HSIAO, CHIH WEN , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： G11C8/06

3. 发明专利

TWI469286B 半導體裝置之矽穿孔修補電路有权
简体标题：半导体设备之硅穿孔修补电路
公开(公告)号：TWI469286B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101144576
申请日：2012-11-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：曾珮玲 , TSENG, PEI LING , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H03K19/003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201427269A 壓控振盪電路結構审中-公开
简体标题：压控振荡电路结构
公开(公告)号：TW201427269A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101151125
申请日：2012-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李思翰 , LI, SIH HAN , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 賴信吉 , LAI, HSIN CHI , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H03B5/24 , H01G5/16
CPC分类号： H03B5/1243 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B2200/0014
摘要：本揭露提出一種壓控振盪電路結構。根據一實施例，一壓控振盪器包括一設置於一基板上之振盪器單元和一變容器單元。變容器單元與振盪器單元耦接以形成一壓控振盪迴路。變容器單元包括：可變電容和至少一控制端。可變電容設置於此基板中之且包括至少兩個矽穿孔結構。至少一控制端用以使變容器單元受到偏壓以改變可變電容之電容值。
简体摘要：本揭露提出一种压控振荡电路结构。根据一实施例，一压控振荡器包括一设置于一基板上之振荡器单元和一变容器单元。变容器单元与振荡器单元耦接以形成一压控振荡回路。变容器单元包括：可变电容和至少一控制端。可变电容设置于此基板中之且包括至少两个硅穿孔结构。至少一控制端用以使变容器单元受到偏压以改变可变电容之电容值。

5. 发明专利

TWI401780B 可測試直通矽晶穿孔的結構及方法有权
简体标题：可测试直通硅晶穿孔的结构及方法
公开(公告)号：TWI401780B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW099123752
申请日：2010-07-20
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蘇耿立 , SU, KENG LI , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 林文斌 , LIN, WEN PIN , 劉漢誠 , LAU, JOHN H.
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/34

6. 发明专利

TW201430325A 主動式應力感測裝置审中-公开
简体标题：主动式应力传感设备
公开(公告)号：TW201430325A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102102299
申请日：2013-01-22
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：賴信吉 , LAI, HSIN CHI , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： G01L5/00
摘要：一種主動式應力感測裝置，係藉由複數個應力參考方向感測電阻器搭配包含有複數個開關元件及複數個應力量測方向感測電阻器組成之至少一應力感測器以形成惠斯登電橋電路結構，並利用訊號放大器將壓力感測訊號放大以提高感測靈敏度，再藉由底補電壓歸零(offset voltage cancellation)方法以降低製程變異之影響。據此，本揭露提供一種具有高感測靈敏度且能排除製程變異之影響的主動式應力感測裝置。
简体摘要：一种主动式应力传感设备，系借由复数个应力参考方向传感电阻器搭配包含有复数个开关组件及复数个应力量测方向传感电阻器组成之至少一应力传感器以形成惠斯登电桥电路结构，并利用信号放大器将压力传感信号放大以提高传感灵敏度，再借由底补电压归零(offset voltage cancellation)方法以降低制程变异之影响。据此，本揭露提供一种具有高传感灵敏度且能排除制程变异之影响的主动式应力传感设备。

7. 发明专利

TW201426936A 半導體裝置的矽穿孔雙向修補電路审中-公开
简体标题：半导体设备的硅穿孔双向修补电路
公开(公告)号：TW201426936A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101150804
申请日：2012-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：曾珮玲 , TSENG, PEI LING , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H02H3/20 , H01L25/0657 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H03K19/018521 , H01L2924/00 , H01L2924/00011
摘要：一種半導體裝置的矽穿孔雙向修補電路。矽穿孔雙向修補電路包括：第一及第二雙向開關以及至少兩個傳輸路徑模組。第一及第二雙向開關依據切換信號或反相切換信號以決定導引第一晶片或第二晶片的輸入信號到各個傳輸路徑模組的兩端之其一。每個傳輸路徑模組包括至少兩個資料路徑電路及對應的矽穿孔。各個資料路徑電路包括：輸入驅動電路、短路偵測電路以及漏電流消除電路。短路偵測電路偵測直通矽晶穿孔是否與矽基板發生短路，並產生短路偵測輸出信號。漏電流消除電路依據短路偵測輸出信號以避免由第一準位電壓所產生的漏電流流入矽基板。
简体摘要：一种半导体设备的硅穿孔双向修补电路。硅穿孔双向修补电路包括：第一及第二双向开关以及至少两个传输路径模块。第一及第二双向开关依据切换信号或反相切换信号以决定导引第一芯片或第二芯片的输入信号到各个传输路径模块的两端之其一。每个传输路径模块包括至少两个数据路径电路及对应的硅穿孔。各个数据路径电路包括：输入驱动电路、短路侦测电路以及漏电流消除电路。短路侦测电路侦测直通硅晶穿孔是否与硅基板发生短路，并产生短路侦测输出信号。漏电流消除电路依据短路侦测输出信号以避免由第一准位电压所产生的漏电流流入硅基板。

8. 发明专利

TWI441270B 三維積體電路之直通矽晶穿孔製程監控方法及裝置有权
简体标题：三维集成电路之直通硅晶穿孔制程监控方法及设备
公开(公告)号：TWI441270B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW097149117
申请日：2008-12-17
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蘇耿立 , SU, KENG LI , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 蕭智文 , HSIAO, CHIH WEN
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI515866B 半導體裝置之直通矽晶穿孔修復電路有权
简体标题：半导体设备之直通硅晶穿孔修复电路
公开(公告)号：TWI515866B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW102142945
申请日：2013-11-26
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：曾珮玲 , TSENG, PEI LING , 蘇耿立 , SU, KENG LI , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 許世玄 , SHEU, SHYH SHYUAN
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52

10. 发明专利

TWI501361B 矽穿孔修補電路有权
简体标题：硅穿孔修补电路
公开(公告)号：TWI501361B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101150631
申请日：2012-12-27
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：曾珮玲 , TSENG, PEI LING , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L2225/06544 , H01L2225/06596 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式