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1. 发明专利

TWI384497B 具電流密度增強層（ＣＤＥＬ）之薄膜電阻及其製造方法有权
简体标题：具电流密度增强层（ＣＤＥＬ）之薄膜电阻及其制造方法
公开(公告)号：TWI384497B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW095104024
申请日：2006-02-07
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿尼歐K 欽莎金迪 , CHINTHAKINDI, ANIL K. , 艾伯妮娜E. 依夏 , ESHUN, EBENEZER E.
IPC分类号： H01C1/012
CPC分类号： H01L28/24 , H01C7/006 , H01L23/5228 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201419321A 電阻及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻及其制造方法
公开(公告)号：TW201419321A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102109424
申请日：2013-03-18
申请人：智慧電子股份有限公司 , SMART ELECTRONICS INC.
发明人：丁鐘一 , JUNG, JONG IL , 姜斗園 , KANG, DOO WON , 安奎鎭 , AHN, GYU JIN , 陳相準 , JIN, SANG JOON , 金炫昌 , KIM, HYUN CHANG , 李京美 , LEE, KYUNG MI
IPC分类号： H01C1/012 , H01C1/026 , H01C1/08 , H01C17/02
CPC分类号： H01C1/024 , B23K1/0016 , B23K1/19 , B23K35/0222 , B23K35/3006 , H01C1/014 , H01C1/026 , H01C1/08 , H01C1/144 , H01C17/02 , H01C17/28 , H01H85/048
摘要：本發明揭露一種電阻及其製造方法。因為電阻體係由具有較佳機械強度之陶瓷材料構成且使用陶瓷管，且使用銲接環接合該陶瓷管與密封電極，電阻的接合強度和耐用度得以大幅改善。藉由改善散熱特性，電阻可穩定操作於高電壓。
简体摘要：本发明揭露一种电阻及其制造方法。因为电阻体系由具有较佳机械强度之陶瓷材料构成且使用陶瓷管，且使用焊接环接合该陶瓷管与密封电极，电阻的接合强度和耐用度得以大幅改善。借由改善散热特性，电阻可稳定操作于高电压。

3. 发明专利

TWI381170B 電流感測用電阻裝置與製造方法有权
简体标题：电流传感用电阻设备与制造方法
公开(公告)号：TWI381170B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098131424
申请日：2009-09-17
申请人：乾坤科技股份有限公司 , CYNTEC CO., LTD.
发明人：駱達文 , LO, DAR WIN , 廖玟雄 , LIAO, WEN HSIUNG , 朱武良 , CHU, WU LIANG , 林彥霆 , LIN, YEN TING
IPC分类号： G01R19/08 , H01C1/012
CPC分类号： H01C1/148 , H01C7/003 , H01C7/13 , Y10T29/49082

4. 发明专利

TW201624505A 電阻器及其製造方法审中-公开
简体标题：电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TW201624505A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW105105858
申请日：2008-10-02
申请人：維謝戴爾電子公司 , VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：史密斯克拉克L , SMITH, CLARK L. , 伯特許湯瑪斯L , BERTSCH, THOMAS L. , 魏德泰德L , WYATT, TODD L. , 維克湯瑪士L , VEIK, THOMAS L. , 柏恩魯尼 , BRUNE, RODNEY
IPC分类号： H01C3/00 , H01C17/06 , H01C1/012
CPC分类号： H01C17/003 , H01C1/142 , H01C3/00 , H01C17/24 , H01C17/288 , Y10T29/49082 , Y10T29/49098
摘要：茲提供一種金屬片電阻器。該金屬片電阻器包含一金屬片，此者構成一電阻構件並且提供對於該金屬片電阻器的支撐而無須使用個別的基板。有第一及第二相對終端，此等係覆疊於該金屬片。在該等第一及第二相對終端各者上有鍍層。在該等第一及第二相對終端之間亦有一覆疊於該金屬片的絕緣材料。茲提供一種構成一金屬片電阻器的方法，其中一金屬片提供對於該金屬片電阻器的支撐而無須使用個別的基板。該方法包含將一絕緣材料塗置於該金屬片、施用一微影蝕刻製程以構成一覆疊於該電阻材料上的導電樣式，其中該導電樣式包含第一及第二相對終端、電鍍該導電樣式、以及調整該金屬片的電阻性。
简体摘要：兹提供一种金属片电阻器。该金属片电阻器包含一金属片，此者构成一电阻构件并且提供对于该金属片电阻器的支撑而无须使用个别的基板。有第一及第二相对终端，此等系覆叠于该金属片。在该等第一及第二相对终端各者上有镀层。在该等第一及第二相对终端之间亦有一覆叠于该金属片的绝缘材料。兹提供一种构成一金属片电阻器的方法，其中一金属片提供对于该金属片电阻器的支撑而无须使用个别的基板。该方法包含将一绝缘材料涂置于该金属片、施用一微影蚀刻制程以构成一覆叠于该电阻材料上的导电样式，其中该导电样式包含第一及第二相对终端、电镀该导电样式、以及调整该金属片的电阻性。

5. 发明专利

TWI423271B 抗硫化的晶片電阻及其製法有权
简体标题：抗硫化的芯片电阻及其制法
公开(公告)号：TWI423271B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097106574
申请日：2008-02-26
申请人：韋司海中間科技公司 , VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
发明人：麥可貝爾曼 , BELMAN, MICHAEL , 里歐尼德阿肯曼 , AKHTMAN, LEONID
IPC分类号： H01C1/012 , H01C17/28
CPC分类号： H01C1/034 , H01C17/288

6. 发明专利

TWI394175B 電阻器及其製造方法有权
简体标题：电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI394175B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW097137869
申请日：2008-10-02
申请人：維謝戴爾電子公司 , VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：克拉克L. 史密斯 , SMITH, CLARK L. , 湯瑪斯L. 伯特許 , BERTSCH, THOMAS L. , 泰德L. 魏德 , WYATT, TODD L. , 湯瑪士L. 維克 , VEIK, THOMAS L. , 魯尼柏恩 , BRUNE, RODNEY
IPC分类号： H01C3/00 , H01C17/06 , H01C1/012
CPC分类号： H01C17/003 , H01C1/142 , H01C3/00 , H01C17/24 , H01C17/288 , Y10T29/49082 , Y10T29/49098

7. 发明专利

TWI529751B 電阻器及其製造方法有权
简体标题：电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI529751B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101132141
申请日：2008-10-02
申请人：維謝戴爾電子公司 , VISHAY DALE ELECTRONICS, INC.
发明人：史密斯克拉克L , SMITH, CLARK L. , 伯特許湯瑪斯L , BERTSCH, THOMAS L. , 魏德泰德L , WYATT, TODD L. , 維克湯瑪士L , VEIK, THOMAS L. , 柏恩魯尼 , BRUNE, RODNEY
IPC分类号： H01C3/00 , H01C17/06 , H01C1/012
CPC分类号： H01C17/003 , H01C1/142 , H01C3/00 , H01C17/24 , H01C17/288 , Y10T29/49082 , Y10T29/49098

8. 发明专利

TWI479514B 抗硫化的晶片電阻及其製法有权
简体标题：抗硫化的芯片电阻及其制法
公开(公告)号：TWI479514B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW101136473
申请日：2008-02-26
申请人：韋司海中間科技公司 , VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
发明人：貝爾曼麥可 , BELMAN, MICHAEL , 阿肯曼里歐尼德 , AKHTMAN, LEONID
IPC分类号： H01C1/012 , H01C17/28
CPC分类号： H01C1/034 , H01C17/288

9. 发明专利

TW201303912A 抗硫化的晶片電阻及其製法审中-公开
简体标题：抗硫化的芯片电阻及其制法
公开(公告)号：TW201303912A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101136473
申请日：2008-02-26
申请人：韋司海中間科技公司 , VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
发明人：貝爾曼麥可 , BELMAN, MICHAEL , 阿肯曼里歐尼德 , AKHTMAN, LEONID
IPC分类号： H01C1/012 , H01C17/28
CPC分类号： H01C1/034 , H01C17/288
摘要：一種晶片電阻包含：一絕緣基板11；頂終端電極12，它們係形成在使用以銀為基礎之金屬陶瓷的基板的頂表面上；底電極13；電阻性元件14，其係位於頂終端電極12之間並且會部分重疊它們；一選配的內部保護覆層15，其會完全或部分覆蓋電阻性元件14；一外部保護覆層16，其會完全覆蓋該內部保護覆層15並且會部分覆蓋頂終端電極12；一鍍鎳層17，其會覆蓋該基板的面側、頂電極12與底電極13，並且會部分重疊外部保護覆層16；完製鍍層18，其會覆蓋鎳層17。在進行鍍鎳處理之前，因為外部保護層16的邊緣的金屬化的關係，鎳層17與外部保護層16的重疊會具有密封特性。
简体摘要：一种芯片电阻包含：一绝缘基板11；顶终端电极12，它们系形成在使用以银为基础之金属陶瓷的基板的顶表面上；底电极13；电阻性组件14，其系位于顶终端电极12之间并且会部分重叠它们；一选配的内部保护覆层15，其会完全或部分覆盖电阻性组件14；一外部保护覆层16，其会完全覆盖该内部保护覆层15并且会部分覆盖顶终端电极12；一镀镍层17，其会覆盖该基板的面侧、顶电极12与底电极13，并且会部分重叠外部保护覆层16；完制镀层18，其会覆盖镍层17。在进行镀镍处理之前，因为外部保护层16的边缘的金属化的关系，镍层17与外部保护层16的重叠会具有密封特性。

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