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1. 发明专利

TW201520621A 電漿界面及製造電漿界面的方法审中-公开
简体标题：等离子界面及制造等离子界面的方法
公开(公告)号：TW201520621A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103127087
申请日：2014-08-07
申请人：通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：凱摩克里斯塔佛 , KEIMEL, CHRISTOPHER FRED , 休格利約翰 , HEWGLEY, JOHN BRIAN , 比塞拉瓊恩 , BECERRA, JUAN JOSE
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/132
CPC分类号： G02B6/02 , B32B37/12 , B32B37/24 , B32B2037/243 , B32B2255/205 , B32B2255/28 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2551/00 , C25D11/04 , C25D11/26 , G02B6/1226
摘要：製造分層材料堆疊之方法被揭示，該材料堆疊包括於電漿材料與光學波導器材料間之電漿界面。該方法包括：提供基板層；將電漿材料層設置在該基板層上；將光學波導器材料的金屬成份直接地沈積至該電漿材料層上；及陽極化該光學波導器材料之金屬成份，以形成該金屬成份的光學透明氧化物，其被建構成將光耦接進入該電漿材料層，使該金屬成份之光學透明氧化物形成光學波導器結構。
简体摘要：制造分层材料堆栈之方法被揭示，该材料堆栈包括于等离子材料与光学波导器材料间之等离子界面。该方法包括：提供基板层；将等离子材料层设置在该基板层上；将光学波导器材料的金属成份直接地沉积至该等离子材料层上；及阳极化该光学波导器材料之金属成份，以形成该金属成份的光学透明氧化物，其被建构成将光耦接进入该等离子材料层，使该金属成份之光学透明氧化物形成光学波导器结构。

2. 发明专利

TWI648565B 光波導用乾薄膜與使用其之光波導之製法、光波導、光電複合基板及光波導構成構件有权
简体标题：光波导用干薄膜与使用其之光波导之制法、光波导、光电复合基板及光波导构成构件
公开(公告)号：TWI648565B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103133566
申请日：2014-09-26
申请人：日商松下知識產權經營股份有限公司 , PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
发明人：前田真吾 , MAEDA, SHINGO , 近藤直幸 , KONDO, NAOYUKI , 橋本真治 , HASHIMOTO, SHINJI , 中芝徹 , NAKASHIBA, TORU , 栗副潤子 , KURIZOE, JUNKO
IPC分类号： G02B6/132

3. 发明专利

TW201527816A 光波導用乾薄膜與使用其之光波導之製法以及光波導审中-公开
简体标题：光波导用干薄膜与使用其之光波导之制法以及光波导
公开(公告)号：TW201527816A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103133566
申请日：2014-09-26
申请人：松下電器產業股份有限公司 , PANASONIC CORPORATION
发明人：前田真吾 , MAEDA, SHINGO , 近藤直幸 , KONDO, NAOYUKI , 橋本真治 , HASHIMOTO, SHINJI , 中芝徹 , NAKASHIBA, TORU , 栗副潤子 , KURIZOE, JUNKO
IPC分类号： G02B6/132
CPC分类号： G02B6/132 , G02B1/14 , G02B6/1221 , G02B6/138 , G02B2006/12069
摘要：本發明係關於一種光波導用乾薄膜，其係具有載體基材(A)、能夠以活性能量線或熱進行硬化之光波導用樹脂層(B)、與保護薄膜(C)之光波導用乾薄膜，其特徵為保護薄膜(C)之與光波導用樹脂層(B)接觸之面為粗化面。
简体摘要：本发明系关于一种光波导用干薄膜，其系具有载体基材(A)、能够以活性能量线或热进行硬化之光波导用树脂层(B)、与保护薄膜(C)之光波导用干薄膜，其特征为保护薄膜(C)之与光波导用树脂层(B)接触之面为粗化面。

4. 发明专利

TW201816443A 用於製作半導體結構之方法审中-公开
简体标题：用于制作半导体结构之方法
公开(公告)号：TW201816443A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124683
申请日：2017-07-24
申请人：法商索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 加丁葛威泰 , GAUDIN, GWELTAZ
IPC分类号： G02B6/132 , G02B6/136
摘要：本發明涉及一種用於製作半導體結構之方法及一光子元件，其中該方法包括以下步驟：將一氮化矽圖案層(102)提供在一載體底材(101)上方；在該氮化矽圖案層(102)上提供一第一保形氧化物層(103)，使其完全覆蓋該氮化矽圖案層；及將該第一保形氧化物層(103)平坦化至該氮化矽圖案層(102)之上一預定厚度以形成一平坦氧化物層(103’)。在該第一保形氧化物層(103)的平坦化步驟後，該方法更包括以下步驟：清潔該氮化矽圖案層(102)以形成具有一凹陷高度之一凹陷氮化矽圖案層(102’)；及接著在該凹陷氮化矽圖案層(102’)上面或上方提供一第二保形氧化物層(104)。
简体摘要：本发明涉及一种用于制作半导体结构之方法及一光子组件，其中该方法包括以下步骤：将一氮化硅图案层(102)提供在一载体底材(101)上方；在该氮化硅图案层(102)上提供一第一保形氧化物层(103)，使其完全覆盖该氮化硅图案层；及将该第一保形氧化物层(103)平坦化至该氮化硅图案层(102)之上一预定厚度以形成一平坦氧化物层(103’)。在该第一保形氧化物层(103)的平坦化步骤后，该方法更包括以下步骤：清洁该氮化硅图案层(102)以形成具有一凹陷高度之一凹陷氮化硅图案层(102’)；及接着在该凹陷氮化硅图案层(102’)上面或上方提供一第二保形氧化物层(104)。

5. 发明专利

TW201803066A 包括光學重分佈層之積體電路封裝體审中-公开
简体标题：包括光学重分布层之集成电路封装体
公开(公告)号：TW201803066A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105552
申请日：2017-02-20
申请人：英特爾IP公司 , INTEL IP CORPORATION
发明人：賽德曼格奧爾格 , SEIDEMANN, GEORG , 吉瑟勒克里斯坦 , GEISSLER, CHRISTIAN , 亞伯斯史文 , ALBERS, SVEN , 華格納湯瑪斯 , WAGNER, THOMAS , 迪特斯馬克 , DITTES, MARC , 倫格魯伯克勞斯 , REINGRUBER, KLAUS , 沃特安德烈亞斯 , WOLTER, ANDREAS , 裴頓理查 , PATTEN, RICHARD
IPC分类号： H01L23/522 , G02B6/42 , G02B6/30 , G02B6/132 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/428 , G02B6/12002 , G02B6/122 , G02B6/1221 , G02B6/132 , G02B6/30 , G02B6/4232 , G02B6/4238 , G02B6/43 , G02B2006/12197
摘要：所揭示的是一種封裝體，該封裝體包含具有帶有光學接觸區域之圖案化表面的基體、光學重分佈層(oRDL)特徵，及在該基體之該圖案化表面上方且在該等oRDL特徵之部分周圍延伸的堆積材料。在一些實施例中，該封裝體包含遮覆該等oRDL特徵的襯墊。在一些實施例中，該oRDL特徵延伸穿過該堆積材料之外表面中的開口且形成自該外表面向外延伸的柱桿。在一些實施例中，該封裝體包含電氣重分佈層(eRDL)特徵，該電氣重分佈層(eRDL)特徵之至少一些部分重疊該oRDL特徵之至少一些部分。在一些實施例中，該封裝體包含光纖，該光纖耦合至該等oRDL特徵。
简体摘要：所揭示的是一种封装体，该封装体包含具有带有光学接触区域之图案化表面的基体、光学重分布层(oRDL)特征，及在该基体之该图案化表面上方且在该等oRDL特征之部分周围延伸的堆积材料。在一些实施例中，该封装体包含遮覆该等oRDL特征的衬垫。在一些实施例中，该oRDL特征延伸穿过该堆积材料之外表面中的开口且形成自该外表面向外延伸的柱杆。在一些实施例中，该封装体包含电气重分布层(eRDL)特征，该电气重分布层(eRDL)特征之至少一些部分重叠该oRDL特征之至少一些部分。在一些实施例中，该封装体包含光纤，该光纤耦合至该等oRDL特征。

6. 发明专利

TW202004925A 製造光學結構光訊號傳輸區的方法审中-公开
简体标题：制造光学结构光信号传输区的方法
公开(公告)号：TW202004925A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108111965
申请日：2019-04-03
申请人：美籍紐約州立大學研究基金會 , THE RESEARCH FOUNDATION FOR THE STATE UNIVERSITY OF NEW YORK
发明人：庫柏道格拉斯 , COOLBAUGH, DOUGLAS , 利克小杰拉爾德 , LEAKE JR., GERALD
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/762 , G02B6/122 , G02B6/132 , G02B6/136
摘要：本發明闡述有一種方法，包括：將由障壁材料所形成的層予以沉積在光學結構的傳導材料構造之上；以及移除在該光學結構的光訊號傳輸區中的層的材料。在一個實施例中，該障壁材料能夠包括矽碳氮化合物。在一個實施例中，該障壁材料能夠包括氮化矽。
简体摘要：本发明阐述有一种方法，包括：将由障壁材料所形成的层予以沉积在光学结构的传导材料构造之上；以及移除在该光学结构的光信号传输区中的层的材料。在一个实施例中，该障壁材料能够包括硅碳氮化合物。在一个实施例中，该障壁材料能够包括氮化硅。

7. 发明专利

TW201738599A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW201738599A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105123927
申请日：2016-07-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 廖文翔 , LIAO, WEN SHIANG
IPC分类号： G02B6/132 , G02F1/025 , G02B6/122 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/42 , H01L21/50 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L25/16 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244
摘要：一種半導體結構和方法於此公開。半導體結構包含垂直設置在第一層與第二層之間的介電質波導，用以在第一輸出節點處生成驅動信號的驅動器晶片，沿著介電質波導的第一側放置並且用以接收來自第一輸出節點的驅動信號的第一傳輸電極，沿著介電質波導的第一側放置的第一接收器電極，以及用以從第一接收電極接收接收信號的接收器晶片。
简体摘要：一种半导体结构和方法于此公开。半导体结构包含垂直设置在第一层与第二层之间的介电质波导，用以在第一输出节点处生成驱动信号的驱动器芯片，沿着介电质波导的第一侧放置并且用以接收来自第一输出节点的驱动信号的第一传输电极，沿着介电质波导的第一侧放置的第一接收器电极，以及用以从第一接收电极接收接收信号的接收器芯片。

8. 发明专利

TWI694273B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI694273B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105123927
申请日：2016-07-28
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：周淳朴 , JOU, CHEWN PU , 廖文翔 , LIAO, WEN SHIANG
IPC分类号： G02B6/132 , G02F1/025 , G02B6/122 , G02B6/42

9. 发明专利

TW201947632A 光子與電子異質性集成之原子層沉積結合审中-公开
简体标题：光子与电子异质性集成之原子层沉积结合
公开(公告)号：TW201947632A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107115024
申请日：2018-05-03
申请人：美商瞻博網路公司 , JUNIPER NETWORKS, INC.
发明人：派克瓊 , PARKER, JOHN , 費雪克格里艾倫 , FISH, GREGORY ALAN , 史龐拿格馬汀 A , SPANNAGEL, MARTIN A. , 拉伯羅安東尼歐 , LABARO, ANTONIO
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/762 , G02B6/122 , G02B6/132 , G02B6/136
摘要：提出了以原子層沉積(ALD)結合的光子和電子的異質性集成的方法和系統。一個方法包括用於形成化合物半導體、以及用於將保護材料(例如，Al2O3)的連續膜沉積(例如，經由原子層沉積)在化合物半導體的第一表面上之操作。此外，該方法包括用於形成絕緣體上矽(SOI)晶圓之操作，其中該SOI晶圓包括一個或多個波導。該方法進一步包括將該第一表面處的化合物半導體結合到該SOI晶圓以形成一結合結構、以及處理該結合結構。在該結合結構的進一步處理期間，保護材料保護該化合物半導體免受酸性蝕刻劑影響。
简体摘要：提出了以原子层沉积(ALD)结合的光子和电子的异质性集成的方法和系统。一个方法包括用于形成化合物半导体、以及用于将保护材料(例如，Al2O3)的连续膜沉积(例如，经由原子层沉积)在化合物半导体的第一表面上之操作。此外，该方法包括用于形成绝缘体上硅(SOI)晶圆之操作，其中该SOI晶圆包括一个或多个波导。该方法进一步包括将该第一表面处的化合物半导体结合到该SOI晶圆以形成一结合结构、以及处理该结合结构。在该结合结构的进一步处理期间，保护材料保护该化合物半导体免受酸性蚀刻剂影响。

10. 发明专利

TW201732336A 基板整合之導波管审中-公开
简体标题：基板集成之导波管
公开(公告)号：TW201732336A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105134425
申请日：2016-10-25
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：梅伊羅伯特A , MAY, ROBERT ALAN , 達爾瑪維卡塔克里斯多夫 , DARMAWIKARTA, KRISTOF , 傑恩拉胡爾 , JAIN, RAHUL , 波野帕提斯里倫加S , BOYAPATI, SRI RANGA SAI , 摩撒蘭馬龍 , MOUSSALLEM, MAROUN , 梅尼派利拉伍N , MANEPALLI, RAHUL N. , 派坦巴拉姆史利尼維斯 , PIETAMBARAM, SRINIVAS
IPC分类号： G02B6/132
CPC分类号： G02B6/122 , G02B6/132 , G02B6/134
摘要：此文件係討論一包括一第一金屬之導波管，其具有一鄰近於一介電材料之外表面及一用以界定導波管的一路徑之內表面，一在導波管的內表面接收一光學信號及沿著導波管之路徑的至少一部分傳輸該光學信號之方法，及其他。一將一導波管整合於一基板中之方法係包括將犧牲性金屬沉積於一載體基板的一第一表面上以形成導波管的一核心，將一第一金屬沉積於犧牲性金屬及載體基板的第一表面之至少一部分上方，形成導波管的一外表面及一與犧牲性金屬分離之導體，及將介電材料在導體周圍沉積於載體基板的第一表面上方。
简体摘要：此文档系讨论一包括一第一金属之导波管，其具有一邻近于一介电材料之外表面及一用以界定导波管的一路径之内表面，一在导波管的内表面接收一光学信号及沿着导波管之路径的至少一部分传输该光学信号之方法，及其他。一将一导波管集成于一基板中之方法系包括将牺牲性金属沉积于一载体基板的一第一表面上以形成导波管的一内核，将一第一金属沉积于牺牲性金属及载体基板的第一表面之至少一部分上方，形成导波管的一外表面及一与牺牲性金属分离之导体，及将介电材料在导体周围沉积于载体基板的第一表面上方。

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