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1. 发明专利

TW202018825A 用於製造互補式場效電晶體(CFET)裝置之方法审中-公开
简体标题：用于制造互补式场效应管(CFET)设备之方法
公开(公告)号：TW202018825A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108131711
申请日：2019-09-03
申请人：法商索泰克公司 , SOITEC
发明人：史瓦然貝區瓦特 , SCHWARZENBACH, WALTER , 艾卡諾特路多維克 , ECARNOT, LUDOVIC , 戴佛尼可拉斯 , DAVAL, NICOLAS , 阮碧煙 , NGUYEN, BICH-YEN , 貝斯納德古拉米 , BESNARD, GUILLAUME
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/20
摘要：本發明係關於一種用於製造一CFET裝置之方法，該方法之特徵在於其包含： - 形成一雙絕緣體上半導體基體，該雙絕緣體上半導體基體自其基底至其表面依次地包含：一載體基體、一第一電氣絕緣層、一第一單晶半導體層、一第二電氣絕緣層及一第二單晶半導體層； - 自該基體之該表面至該第一電氣絕緣層形成溝槽，以便形成至少一個鰭片， - 在各鰭片中，在該第一半導體層中形成一第一電晶體之一通道及在該第二半導體層中形成類型與該第一電晶體相對之一第二電晶體的一通道，該雙絕緣體上半導體基體之該形成包含： - 執行一第一層轉移步驟，以便將該第一電氣絕緣層及該第一單晶半導體層轉移至該載體基體，以便形成一第一絕緣體上半導體基體，該第一層轉移步驟包含在一足夠高之溫度下的一熱處理以使該第一單晶半導體層平滑至小於0.1 nm RMS之一粗糙度， - 在該熱處理之後，執行一第二層轉移步驟以便將該第二電氣絕緣層及該第二單晶半導體層轉移至該第一絕緣體上半導體基體之該第一單晶半導體層。
简体摘要：本发明系关于一种用于制造一CFET设备之方法，该方法之特征在于其包含： - 形成一双绝缘体上半导体基体，该双绝缘体上半导体基体自其基底至其表面依次地包含：一载体基体、一第一电气绝缘层、一第一单晶半导体层、一第二电气绝缘层及一第二单晶半导体层； - 自该基体之该表面至该第一电气绝缘层形成沟槽，以便形成至少一个鳍片， - 在各鳍片中，在该第一半导体层中形成一第一晶体管之一信道及在该第二半导体层中形成类型与该第一晶体管相对之一第二晶体管的一信道，该双绝缘体上半导体基体之该形成包含： - 运行一第一层转移步骤，以便将该第一电气绝缘层及该第一单晶半导体层转移至该载体基体，以便形成一第一绝缘体上半导体基体，该第一层转移步骤包含在一足够高之温度下的一热处理以使该第一单晶半导体层平滑至小于0.1 nm RMS之一粗糙度， - 在该热处理之后，运行一第二层转移步骤以便将该第二电气绝缘层及该第二单晶半导体层转移至该第一绝缘体上半导体基体之该第一单晶半导体层。

2. 发明专利

TW201816443A 用於製作半導體結構之方法审中-公开
简体标题：用于制作半导体结构之方法
公开(公告)号：TW201816443A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124683
申请日：2017-07-24
申请人：法商索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 加丁葛威泰 , GAUDIN, GWELTAZ
IPC分类号： G02B6/132 , G02B6/136
摘要：本發明涉及一種用於製作半導體結構之方法及一光子元件，其中該方法包括以下步驟：將一氮化矽圖案層(102)提供在一載體底材(101)上方；在該氮化矽圖案層(102)上提供一第一保形氧化物層(103)，使其完全覆蓋該氮化矽圖案層；及將該第一保形氧化物層(103)平坦化至該氮化矽圖案層(102)之上一預定厚度以形成一平坦氧化物層(103’)。在該第一保形氧化物層(103)的平坦化步驟後，該方法更包括以下步驟：清潔該氮化矽圖案層(102)以形成具有一凹陷高度之一凹陷氮化矽圖案層(102’)；及接著在該凹陷氮化矽圖案層(102’)上面或上方提供一第二保形氧化物層(104)。
简体摘要：本发明涉及一种用于制作半导体结构之方法及一光子组件，其中该方法包括以下步骤：将一氮化硅图案层(102)提供在一载体底材(101)上方；在该氮化硅图案层(102)上提供一第一保形氧化物层(103)，使其完全覆盖该氮化硅图案层；及将该第一保形氧化物层(103)平坦化至该氮化硅图案层(102)之上一预定厚度以形成一平坦氧化物层(103’)。在该第一保形氧化物层(103)的平坦化步骤后，该方法更包括以下步骤：清洁该氮化硅图案层(102)以形成具有一凹陷高度之一凹陷氮化硅图案层(102’)；及接着在该凹陷氮化硅图案层(102’)上面或上方提供一第二保形氧化物层(104)。

3. 发明专利

TWI667696B 包含具有不同應力狀態之電晶體通道之半導體層製作方法及相關半導體層有权
简体标题：包含具有不同应力状态之晶体管信道之半导体层制作方法及相关半导体层
公开(公告)号：TWI667696B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104128678
申请日：2015-08-31
申请人：法商索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 史瓦森巴華特 , SCHWARZENBACH, WALTER , 瑪理菲克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/78

4. 发明专利

TWI527092B 用於製造半導體裝置的多層構造及方法有权
简体标题：用于制造半导体设备的多层构造及方法
公开(公告)号：TWI527092B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW101105343
申请日：2012-02-17
申请人： SOITEC公司 , SOITEC
发明人：阮比希耶 , NGUYEN, BICH-YEN , 馬哲克勞斯 , MAZURE, CARLOS , 費蘭特理察 , FERRANT, RICHARD
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/316 , H01L21/324 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/32 , H01L21/84 , H01L27/1203

5. 发明专利

TWI524479B 製造一半導體基材的方法有权
简体标题：制造一半导体基材的方法
公开(公告)号：TWI524479B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100111901
申请日：2011-04-06
申请人： SOITEC公司 , SOITEC
发明人：馬哲克勞斯 , MAZURE, CARLOS , 波得艾利康斯坦汀 , BOURDELLE, KONSTANTIN , 費蘭特理察 , FERRANT, RICHARD , 阮比希耶 , NGUYEN, BICH-YEN
IPC分类号： H01L21/84 , H01L23/544
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251

6. 发明专利

TWI646654B 製造高電阻率絕緣體上半導體底材之方法有权
简体标题：制造高电阻率绝缘体上半导体底材之方法
公开(公告)号：TWI646654B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW105114978
申请日：2016-05-13
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 奧利伯弗雷德里克 , 瑪理菲克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L23/66 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/266

7. 发明专利

TW201308541A 包含內有一個或多個電性、光學及流體互連之互連層之黏附半導體構造之形成方法及應用此等方法形成之黏附半導體構造审中-公开
简体标题：包含内有一个或多个电性、光学及流体互连之互连层之黏附半导体构造之形成方法及应用此等方法形成之黏附半导体构造
公开(公告)号：TW201308541A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101124121
申请日：2012-07-04
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 沙達卡瑪麗姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L25/50 , G02B6/43 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/08146 , H01L2224/08225 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/32146 , H01L2224/80006 , H01L2224/802 , H01L2224/80201 , H01L2224/80203 , H01L2224/80447 , H01L2224/80487 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/95 , H01L2224/96 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/014 , H01L2224/80 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要：形成鍵結半導體結構之方法包括提供一底材結構，其在相對較厚之一底材本體上包含相對較薄之一材料層，以及形成穿透該材料層之多個穿透晶圓互連。一第一半導體結構可以鍵結至該材料薄層上，且該第一半導體結構中至少一個導電部件可以在電性上與該些穿透晶圓互連其中至少一個耦合。在該第一半導體結構相反於該第一底材結構之一面，一轉移材料層可以提供於該第一半導體結構上方，且可以在該轉移材料層中形成電性互連、光學互連及流體互連其中至少一種。在該轉移材料層相反於該第一半導體結構之一面，一第二半導體結構可以提供於該轉移材料層上方。應用此等方法製作之鍵結半導體結構。
简体摘要：形成键结半导体结构之方法包括提供一底材结构，其在相对较厚之一底材本体上包含相对较薄之一材料层，以及形成穿透该材料层之多个穿透晶圆互连。一第一半导体结构可以键结至该材料薄层上，且该第一半导体结构中至少一个导电部件可以在电性上与该些穿透晶圆互连其中至少一个耦合。在该第一半导体结构相反于该第一底材结构之一面，一转移材料层可以提供于该第一半导体结构上方，且可以在该转移材料层中形成电性互连、光学互连及流体互连其中至少一种。在该转移材料层相反于该第一半导体结构之一面，一第二半导体结构可以提供于该转移材料层上方。应用此等方法制作之键结半导体结构。

8. 发明专利

TW201742189A 用於製作包含中介層之半導體結構之方法审中-公开
简体标题：用于制作包含中介层之半导体结构之方法
公开(公告)号：TW201742189A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106117418
申请日：2017-05-25
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 伊卡諾魯多維克 , ECARNOT, LUDOVIC , 班穆罕默德那地雅 , BEN MOHAMED, NADIA , 馬勒維克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/48 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/7624 , H01L23/3121 , H01L24/02 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/05548 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/29024 , H01L2224/32145 , H01L2224/80006 , H01L2224/80894 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/83005 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/19107 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2224/02 , H01L2224/0231 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2224/11 , H01L23/562 , H01L21/78 , H01L2224/27
摘要：本發明涉及一種用於製作一半導體結構之方法，其包括：在選定條件下將氫種及氦種引入一暫時支撐件(1)，以在該暫時支撐件(1)中一預定深度處形成一弱化平面(2)，並定義出一表面層(3)及該暫時支撐件(1)之一剩餘部分(4)；在該暫時支撐件(1)上形成一互連層(5)；將至少一半導體晶片(6)安置在該互連層(5)上；將一加強件(8)組裝在該至少一半導體晶片(6)之背面；及對該暫時支撐件(1)提供熱能以分離該剩餘部分(4)並提供所述半導體結構。
简体摘要：本发明涉及一种用于制作一半导体结构之方法，其包括：在选定条件下将氢种及氦种引入一暂时支撑件(1)，以在该暂时支撑件(1)中一预定深度处形成一弱化平面(2)，并定义出一表面层(3)及该暂时支撑件(1)之一剩余部分(4)；在该暂时支撑件(1)上形成一互连层(5)；将至少一半导体芯片(6)安置在该互连层(5)上；将一加强件(8)组装在该至少一半导体芯片(6)之背面；及对该暂时支撑件(1)提供热能以分离该剩余部分(4)并提供所述半导体结构。

9. 发明专利

TW201724467A 用於射頻應用之結構及用於製備此結構之方法审中-公开
简体标题：用于射频应用之结构及用于制备此结构之方法
公开(公告)号：TW201724467A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105129964
申请日：2016-09-14
申请人：索泰克公司 , SOITEC , 派瑞格恩半導體有限公司 , PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：阮賓雁 , NGUYEN, BICH-YEN , 馬拉維里克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE , 構堤皮里西楠 , GOKTEPELI, SINAN , 密西歐尼安東尼 M. , MISCIONE, ANTHONY MARK , 杜瓦雷特阿萊恩 , DUVALLET, ALAIN
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L21/763 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L23/66 , H01L27/13 , H01L29/04 , H01L29/16
摘要：本發明係有關於一種用於射頻應用之結構，其包含： - 一單晶基材， - 一多晶矽層，其係直接位於單晶基材上， - 一活性層，其係於多晶矽層上，意在承接射頻組件，特徵在於自多晶矽層與單晶層之界面延伸之多晶矽層的至少一第一部份含有位於多晶矽的顆粒邊界處之碳及/或氮原子，其係包含2%與20%間之濃度。本發明進一步係有關於一種用於製備此一結構之方法。
简体摘要：本发明系有关于一种用于射频应用之结构，其包含： - 一单晶基材， - 一多晶硅层，其系直接位於单晶基材上， - 一活性层，其系于多晶硅层上，意在承接射频组件，特征在于自多晶硅层与单晶层之界面延伸之多晶硅层的至少一第一部份含有位于多晶硅的颗粒边界处之碳及/或氮原子，其系包含2%与20%间之浓度。本发明进一步系有关于一种用于制备此一结构之方法。

10. 发明专利

TWI578495B 製造半導體裝置之方法和製造晶圓的方法，及其半導體裝置和晶圓有权
简体标题：制造半导体设备之方法和制造晶圆的方法，及其半导体设备和晶圆
公开(公告)号：TWI578495B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW101103153
申请日：2012-01-31
申请人：索泰克公司 , SOITEC
发明人：戴佛尼可拉斯 , DAVAL, NICOLAS , 奧爾內特塞西爾 , AULNETTE, CECILE , 阮璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/092
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/10861 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/66181

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