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1. 发明专利

TW201639715A 用於具有多重列印頭晶粒之列印頭的裂縫感測技術审中-公开
简体标题：用于具有多重打印头晶粒之打印头的裂缝传感技术
公开(公告)号：TW201639715A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105102074
申请日：2016-01-22
申请人：惠普發展公司有限責任合夥企業 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.
发明人：安德森達亦爾E , ANDERSON, DARYL E. , 寇瑞根喬治H , CORRIGAN, GEORGE H. , 琳恩史考特A , LINN, SCOTT A.
IPC分类号： B41J29/00 , G01N27/20 , B41J2/135 , B41J2/07
CPC分类号： B41J2/0451 , B41J2/04501 , B41J2/0458 , B41J2/04581 , B41J2/04586 , B41J2/14153 , B41J2/145 , B41J2/175 , B41J2202/20 , B41J2202/21
摘要：一種包括複數個列印頭晶粒之噴墨列印頭，各個列印頭晶粒包括至少一裂縫感測電阻器；連接至各個列印頭晶粒之至少一類比匯流排；以及與該等複數個列印頭晶粒分離之一控制器。該控制器被組配以經由該至少一類比匯流排而以一可選擇樣型提供一已知電流至各個列印頭晶粒之該至少一裂縫感測電阻器，並且基於在該至少一類比匯流排上所產生之造成電壓以判定該列印頭晶粒是否破裂。
简体摘要：一种包括复数个打印头晶粒之喷墨打印头，各个打印头晶粒包括至少一裂缝传感电阻器；连接至各个打印头晶粒之至少一模拟总线；以及与该等复数个打印头晶粒分离之一控制器。该控制器被组配以经由该至少一模拟总线而以一可选择样型提供一已知电流至各个打印头晶粒之该至少一裂缝传感电阻器，并且基于在该至少一模拟总线上所产生之造成电压以判定该打印头晶粒是否破裂。

2. 发明专利

TWI553310B 黏貼狀態偵測方法有权
简体标题：黏贴状态侦测方法
公开(公告)号：TWI553310B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104110932
申请日：2015-04-02
申请人：致伸科技股份有限公司 , PRIMAX ELECTRONICS LTD.
发明人：曾英哲 , TSENG, YING CHE , 伍通亨 , WU, TUNG HENG
IPC分类号： G01N27/04 , G01N27/20
CPC分类号： G01N19/04

3. 发明专利

TWI518318B 配線缺陷檢查方法及配線缺陷檢查裝置有权
简体标题：配线缺陷检查方法及配线缺陷检查设备
公开(公告)号：TWI518318B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101132399
申请日：2012-09-05
申请人：夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：山田榮二 , YAMADA, EIJI
IPC分类号： G01N27/20 , G01R31/02 , G01N25/72
CPC分类号： G01R31/025

4. 发明专利

TWI512864B 在電漿處理設備中即時診斷部件狀態之方法及裝置有权
简体标题：在等离子处理设备中实时诊断部件状态之方法及设备
公开(公告)号：TWI512864B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW097133953
申请日：2008-09-04
申请人：藍姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：羅傑派屈克 , PATRICK, ROGER
IPC分类号： H01L21/66 , G01N27/20
CPC分类号： G01N27/20 , C23C16/50 , G01N17/00 , G01N17/04 , Y10T29/49004

5. 发明专利

TW201329443A 電路板孔內焊錫之測試方法审中-公开
简体标题：电路板孔内焊锡之测试方法
公开(公告)号：TW201329443A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101100629
申请日：2012-01-06
申请人：臻鼎科技股份有限公司 , ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：白耀文 , BAI, YAO-WEN
IPC分类号： G01N27/20 , H05K3/00
摘要：一種電路板孔內焊錫之測試方法，其包括以下步驟：提供一待測電路板，所述待測電路板包括至少一個通孔，所述通孔孔壁鍍有銅層，所述銅層表面形成有噴錫層；量測所述通孔兩個開口之間之噴錫層之間之電阻值，記錄為R1；將所述待測電路板於一鹼性蝕刻液中浸泡，之後取出並清潔乾燥，其中，所述鹼性蝕刻液之組分包括氨水、氯化銨及氯化銅，所述鹼性蝕刻液之PH範圍為7.8-9.0；再次量測所述通孔兩個開口之間之噴錫層之間之電阻值，記錄為R2；及計算ΔR=（R2-R1）/R1，如果ΔR大於一設定值，則判定所述噴錫層有焊錫裂縫或孔內缺錫不良。
简体摘要：一种电路板孔内焊锡之测试方法，其包括以下步骤：提供一待测电路板，所述待测电路板包括至少一个通孔，所述通孔孔壁镀有铜层，所述铜层表面形成有喷锡层；量测所述通孔两个开口之间之喷锡层之间之电阻值，记录为R1；将所述待测电路板于一碱性蚀刻液中浸泡，之后取出并清洁干燥，其中，所述碱性蚀刻液之组分包括氨水、氯化铵及氯化铜，所述碱性蚀刻液之PH范围为7.8-9.0；再次量测所述通孔两个开口之间之喷锡层之间之电阻值，记录为R2；及计算ΔR=（R2-R1）/R1，如果ΔR大于一设置值，则判定所述喷锡层有焊锡裂缝或孔内缺锡不良。

6. 发明专利

TW201743341A 測試插座以及導電顆粒审中-公开
简体标题：测试插座以及导电颗粒
公开(公告)号：TW201743341A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106115629
申请日：2017-05-11
申请人： ISC股份有限公司 , ISC CO., LTD.
发明人：鄭永倍 , CHUNG, YOUNG BAE
IPC分类号： H01B5/14 , H01B1/22 , G01N27/20
CPC分类号： G01R1/04 , G01R3/00 , G01R31/28 , H01B5/14 , H01B5/16
摘要：本發明是有關於一種測試插座。更具體而言，所述測試插座被配置成放置於測試目標裝置與測試設備之間，以將所述測試目標裝置的端子電性連接至所述測試設備的接墊。所述測試插座包括：多個導電部，排列於與測試目標裝置的端子對應的位置且在測試插座的表面方向上彼此間隔開，所述導電部中的每一者包括多個導電顆粒，所述多個導電顆粒包含於彈性絕緣材料中且在測試插座的厚度方向上對齊；以及絕緣支撐體，排列於彼此間隔開的導電部之間，以支撐所述導電部並使所述導電部在表面方向上彼此絕緣，其中導電顆粒中的每一者包括：本體，具有柱形狀；以及至少兩個突出部，自所述本體的上端部突出，其中在彼此相鄰的所述突出部之間設置有朝所述本體凹陷的凹陷部，且所述突出部的相互面對的內表面之間的角度是大於90°的鈍角。
简体摘要：本发明是有关于一种测试插座。更具体而言，所述测试插座被配置成放置于测试目标设备与测试设备之间，以将所述测试目标设备的端子电性连接至所述测试设备的接垫。所述测试插座包括：多个导电部，排列于与测试目标设备的端子对应的位置且在测试插座的表面方向上彼此间隔开，所述导电部中的每一者包括多个导电颗粒，所述多个导电颗粒包含于弹性绝缘材料中且在测试插座的厚度方向上对齐；以及绝缘支撑体，排列于彼此间隔开的导电部之间，以支撑所述导电部并使所述导电部在表面方向上彼此绝缘，其中导电颗粒中的每一者包括：本体，具有柱形状；以及至少两个突出部，自所述本体的上端部突出，其中在彼此相邻的所述突出部之间设置有朝所述本体凹陷的凹陷部，且所述突出部的相互面对的内表面之间的角度是大于90°的钝角。

7. 发明专利

TWI596052B 用於輸送塊狀多晶矽或粒狀多晶矽的產物流的設備有权
简体标题：用于输送块状多晶硅或粒状多晶硅的产物流的设备
公开(公告)号：TWI596052B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW105115430
申请日：2016-05-19
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：古保彼得 , GRUEBL, PETER , 布列薩爾馬丁 , BRIXEL, MARTIN , 費雀納湯瑪士 , FICHTNER, THOMAS , 希聖伯格麥克斯 , HITZENBERGER, MAX
IPC分类号： B65G15/30 , G01N27/20
CPC分类号： B65G43/08 , B07C5/344 , B07C2501/0036 , B65G27/04 , B65G2201/042 , B65G2203/0208 , B65G2203/042

8. 发明专利

TWI592676B 線路檢測裝置及方法有权
简体标题：线路检测设备及方法
公开(公告)号：TWI592676B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104136695
申请日：2015-11-06
申请人：業成光電(深圳)有限公司 , INTERFACE OPTOELECTRONICS (SHENZHEN) CO., LTD. , 英特盛科技股份有限公司 , GENERAL INTERFACE SOLUTION LIMITED
发明人：呂昆峰 , LU, KUN FENG , 黃彥衡 , HUANG, YEN HENG , 林子祥 , LIN, TZU HSIANG , 謝嘉銘 , HSIEH, CHIA MING , 郭南村 , KUO, NAN TSUN , 許華書 , HSU, HUA SHU
IPC分类号： G01R31/28 , G01N27/20

9. 发明专利

TW201641390A 用於輸送塊狀多晶矽或粒狀多晶矽的產物流的設備审中-公开
简体标题：用于输送块状多晶硅或粒状多晶硅的产物流的设备
公开(公告)号：TW201641390A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105115430
申请日：2016-05-19
申请人：瓦克化學公司 , WACKER CHEMIE AG
发明人：古保彼得 , GRUEBL, PETER , 布列薩爾馬丁 , BRIXEL, MARTIN , 費雀納湯瑪士 , FICHTNER, THOMAS , 希聖伯格麥克斯 , HITZENBERGER, MAX
IPC分类号： B65G15/30 , G01N27/20
CPC分类号： B65G43/08 , B07C5/344 , B07C2501/0036 , B65G27/04 , B65G2201/042 , B65G2203/0208 , B65G2203/042
摘要：一種用於輸送塊狀多晶矽或粒狀多晶矽的產物流的設備，該設備包含：由金屬製成的輸送表面，該輸送表面以塑膠或以矽為襯裡；以及用於檢測該產物流中金屬的或導電的異物的渦流感測器。
简体摘要：一种用于输送块状多晶硅或粒状多晶硅的产物流的设备，该设备包含：由金属制成的输送表面，该输送表面以塑胶或以硅为衬里；以及用于检测该产物流中金属的或导电的异物的涡流传感器。

10. 发明专利

TWI551859B 高壓放電檢測絕緣體破洞之系統及方法有权
简体标题：高压放电检测绝缘体破洞之系统及方法
公开(公告)号：TWI551859B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104115368
申请日：2015-05-14
申请人：國立高雄第一科技大學 , NATIONAL KAOHSIUNG FIRST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：張簡嘉壬 , CHANG CHIEN, JIA REN
IPC分类号： G01N27/20

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