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    • 8. 发明专利
    • 被膜形成用組成物及其製造方法
    • 被膜形成用组成物及其制造方法
    • TW201808811A
    • 2018-03-16
    • TW106110879
    • 2017-03-30
    • 日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 加藤拓KATO, TAKU鈴木正睦SUZUKI, MASAYOSHI村上奈子美MURAKAMI, NATSUMI飯島大貴IIJIMA, DAIKI古川智規FURUKAWA, TOMOKI小山欣也KOYAMA, YOSHINARI
    • C01G23/04C01G23/047C09D183/02C09D183/04C09D185/00G02B1/10G02B3/00
    • C01G23/04C01G23/047C09D183/02C09D183/04C09D185/00G02B1/10G02B3/00
    • 本發明的課題為提供一種耐熱性及透明性高,可邊表現高折射率,邊厚膜化,且被膜形成用組成物的保存安定性優異之被膜形成用組成物與其製造方法。本發明的解決手段係藉由被膜形成用組成物所致,其係包含下述之(A)成分與(B)成分,(A)成分:以下述式(1)表示之至少1種水解性矽烷的水解縮合物【化1】R2aSi(OR1)4-a 式(1)(式中,R1為碳原子數1~6之烷基,R2為碳原子數1~18之烷基或碳原子數6~18之芳基,a為0~3之整數)、及(B)成分:將具有2~60nm之一次粒徑的金屬氧化物膠體粒子(B1)作為核心,於將其表面以被覆物(B2)被覆之具有2~100nm之一次粒徑的改質金屬氧化物膠體粒子(B3)的表面,鍵結雙親性(Amphiphilic)之有機矽化合物的無機微粒子,該被覆物(B2)係由具有1~4nm之一次粒徑的金屬氧化物膠體粒子所構成,該雙親性(Amphiphilic)之有機矽化合物係具有作為親水性基之選自聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚氧丁烯基中之1種以上的聚(氧伸烷)基、與作為疏水性基之選自碳原子數1~18之伸烷基或亞乙烯基中之1種以上的基。
    • 本发明的课题为提供一种耐热性及透明性高,可边表现高折射率,边厚膜化,且被膜形成用组成物的保存安定性优异之被膜形成用组成物与其制造方法。本发明的解决手段系借由被膜形成用组成物所致,其系包含下述之(A)成分与(B)成分,(A)成分:以下述式(1)表示之至少1种水解性硅烷的水解缩合物【化1】R2aSi(OR1)4-a 式(1)(式中,R1为碳原子数1~6之烷基,R2为碳原子数1~18之烷基或碳原子数6~18之芳基,a为0~3之整数)、及(B)成分:将具有2~60nm之一次粒径的金属氧化物胶体粒子(B1)作为内核,于将其表面以被覆物(B2)被覆之具有2~100nm之一次粒径的改质金属氧化物胶体粒子(B3)的表面,键结双亲性(Amphiphilic)之有机硅化合物的无机微粒子,该被覆物(B2)系由具有1~4nm之一次粒径的金属氧化物胶体粒子所构成,该双亲性(Amphiphilic)之有机硅化合物系具有作为亲水性基之选自聚氧乙烯基、聚氧丙烯基或聚氧丁烯基中之1种以上的聚(氧伸烷)基、与作为疏水性基之选自碳原子数1~18之伸烷基或亚乙烯基中之1种以上的基。