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1. 发明专利

TWI680114B 用於抑制電磁干擾之元件及用於製造抑制電磁干擾之元件之方法有权
简体标题：用于抑制电磁干扰之组件及用于制造抑制电磁干扰之组件之方法
公开(公告)号：TWI680114B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW106103371
申请日：2017-01-26
申请人：德商伍斯艾索電子有限公司及合資公司 , WURTH ELEKTRONIK EISOS GMBH & CO. KG
发明人：穆區斯特芬 , MUTSCH, STEFFEN , 洛伊德弗洛恩 , ROIDER, FLORIAN , 加布納法蘭克 , GRABNER, FRANK
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/64 , H01F1/34 , H01F41/02 , H05K9/00

2. 发明专利

TW201718438A 鐵酸鉍光電陶瓷膜的製造方法审中-公开
简体标题：铁酸铋光电陶瓷膜的制造方法
公开(公告)号：TW201718438A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138568
申请日：2015-11-20
申请人：明志科技大學
发明人：陳炳宜 , CHEN, PIN YI , 李宏彥 , LEE, HUNG YAN , 陳正劭 , CHEN, CHENG SAO , 杜繼舜 , TU, CHI SHUN
IPC分类号： C04B35/622 , H01L31/18 , C04B35/26 , C04B35/453 , H01L31/032
摘要：一種鐵酸鉍光電陶瓷膜的製造方法，包含以下步驟：一混合步驟、一煆燒步驟、一漿料配製步驟、一薄帶生胚形成步驟，及一燒結步驟。該混合步驟是混合氧化鉍、氧化鐵，及氧化釹粉末。該煆燒步驟是將該氧化鉍、氧化鐵，及氧化釹的混合粉末進行煆燒。該漿料配製步驟是將該陶瓷粉末混合分散，得到一陶瓷漿料。該薄帶生胚形成步驟是準備一包括一傳輸平台及一刮刀的薄帶成型裝置，將該陶瓷漿料置於該傳輸平台上，並調整該刮刀與該傳輸平台的間距，從而使該陶瓷漿料形成一厚度介於50μm~150μm的薄帶陶瓷生胚。該燒結步驟是將該薄帶陶瓷生胚進行高溫燒結而成該鐵酸鉍光電陶瓷膜。
简体摘要：一种铁酸铋光电陶瓷膜的制造方法，包含以下步骤：一混合步骤、一煅烧步骤、一浆料配制步骤、一薄带生胚形成步骤，及一烧结步骤。该混合步骤是混合氧化铋、氧化铁，及氧化钕粉末。该煅烧步骤是将该氧化铋、氧化铁，及氧化钕的混合粉末进行煅烧。该浆料配制步骤是将该陶瓷粉末混合分散，得到一陶瓷浆料。该薄带生胚形成步骤是准备一包括一传输平台及一刮刀的薄带成型设备，将该陶瓷浆料置于该传输平台上，并调整该刮刀与该传输平台的间距，从而使该陶瓷浆料形成一厚度介于50μm~150μm的薄带陶瓷生胚。该烧结步骤是将该薄带陶瓷生胚进行高温烧结而成该铁酸铋光电陶瓷膜。

3. 发明专利

TWI694059B MnCoZn系肥粒鐵及其製造方法有权
简体标题： MnCoZn系肥粒铁及其制造方法
公开(公告)号：TWI694059B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108103880
申请日：2019-01-31
申请人：日商杰富意化學股份有限公司 , JFE CHEMICAL CORPORATION
发明人：吉田裕史 , YOSHIDA, HIROFUMI , 中村由紀子 , NAKAMURA, YUKIKO
IPC分类号： C04B35/26 , C22C29/12 , C04B35/622 , H01F1/34

4. 发明专利

TWI693206B 改質鐵氧體磁粉的製造方法及鐵氧體磁石的製造方法有权
简体标题：改质铁氧体磁粉的制造方法及铁氧体磁石的制造方法
公开(公告)号：TWI693206B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108107911
申请日：2019-03-08
申请人：中國鋼鐵股份有限公司 , CHINA STEEL CORPORATION
发明人：黃靖謙 , HUANG, CHING CHIEN , 伍正恒 , WU, CHENG HENG , 蕭宗瀚 , HSIAO, TSUNG HAN
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/26 , H01F1/10

5. 发明专利

TWI562973B 低溫異質共燒磁性介電陶瓷複合材料及其製法有权
简体标题：低温异质共烧磁性介电陶瓷复合材料及其制法
公开(公告)号：TWI562973B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103122460
申请日：2014-06-30
申请人：華新科技股份有限公司
发明人：勞業武 , 陳惠如 , 謝育書 , 楊倧銘
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/34 , H01F27/36 , H01F41/02

6. 发明专利

TW201617298A 尖晶石鎳鈷氧化物靶材製造方法审中-公开
简体标题：尖晶石镍钴氧化物靶材制造方法
公开(公告)号：TW201617298A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138647
申请日：2014-11-07
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：林佳詩 , LIN, CHIA SHIH , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 倪國裕 , NIEH, CUO YO , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 方冠榮 , FUNG, KUAN ZONG
IPC分类号： C04B35/63 , C04B35/64 , C04B35/26 , C23C14/34
摘要：本發明係提供尖晶石鎳鈷氧化物靶材製造方法，係藉由尖晶石鎳鈷氧化物(NiCo2O4)添加低熔點鹽類(如Li2CO3)，並藉由低熔點元素的助熔特性，改善靶材的緻密性，可達到靶材燒結緻密性的提升效果，製備出高緻密化之靶材材料。
简体摘要：本发明系提供尖晶石镍钴氧化物靶材制造方法，系借由尖晶石镍钴氧化物(NiCo2O4)添加低熔点盐类(如Li2CO3)，并借由低熔点元素的助熔特性，改善靶材的致密性，可达到靶材烧结致密性的提升效果，制备出高致密化之靶材材料。

7. 发明专利

TWI686356B 改質鐵氧體磁粉及磁石的製造方法有权
简体标题：改质铁氧体磁粉及磁石的制造方法
公开(公告)号：TWI686356B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108116228
申请日：2019-05-10
申请人：中國鋼鐵股份有限公司 , CHINA STEEL CORPORATION
发明人：黃靖謙 , HUANG, CHING-CHIEN , 蕭宗瀚 , HSIAO, TSUNG-HAN , 吳坤陽 , WU, KUN-YANG , 宋松榮 , SUNG, SUNG-JUNG , 莫智傑 , MO, CHIN-CHIEH , 盧聖涵 , LU, SHENG-HAN
IPC分类号： C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , B22F9/00 , B22F3/12 , H01F1/11 , H01F7/02 , H01F41/02

8. 发明专利

TW201840511A 電子零件、天線及ＲＦ標籤审中-公开
简体标题：电子零件、天线及ＲＦ标签
公开(公告)号：TW201840511A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103405
申请日：2018-01-31
申请人：日商戶田工業股份有限公司 , TODA KOGYO CORP.
发明人：野村吏志 , NOMURA, SATOSHI , 香嶋純 , KOUJIMA, JUN , 西尾靖士 , NISHIO, YASUSHI , 中務愛仁 , NAKATSUKASA, MANATO , 藤井泰彦 , FUJII, YASUHIKO
IPC分类号： C04B35/26 , H01F1/34 , H01F3/00 , H01F17/04 , H01Q7/08 , G06K17/00
摘要：本發明係一種電子零件，天線及RF標籤，有關電子零件之構成，另外，有關利用磁場成分而為了交互通信資訊之天線的構成，而該天線係使小型化與交互通信敏感度之提升並存的天線。本發明之電子零件係由鐵氧體磁心與線圈所構成之電子零件，其中，構成該鐵氧體磁心之鐵氧體係尖晶石構造，作為構成金屬元素而含有Fe、Ni、Zn、Cu及Co，而將各構成金屬元素換算為Fe2O3、NiO、ZnO、CuO及CoO時，將Fe2O3、NiO、ZnO、CuO及CoO之合計作為基準，含有46～50mol% Fe2O3、含有20～27mol% NiO、含有15～22mol% ZnO，含有9～11mol% CuO，及含有0.01～1.0mol% CoO。
简体摘要：本发明系一种电子零件，天线及RF标签，有关电子零件之构成，另外，有关利用磁场成分而为了交互通信信息之天线的构成，而该天线系使小型化与交互通信敏感度之提升并存的天线。本发明之电子零件系由铁氧体磁心与线圈所构成之电子零件，其中，构成该铁氧体磁心之铁氧体系尖晶石构造，作为构成金属元素而含有Fe、Ni、Zn、Cu及Co，而将各构成金属元素换算为Fe2O3、NiO、ZnO、CuO及CoO时，将Fe2O3、NiO、ZnO、CuO及CoO之合计作为基准，含有46～50mol% Fe2O3、含有20～27mol% NiO、含有15～22mol% ZnO，含有9～11mol% CuO，及含有0.01～1.0mol% CoO。

9. 发明专利

TW201819339A 旋磁體的製造方法审中-公开
简体标题：旋磁体的制造方法
公开(公告)号：TW201819339A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138140
申请日：2016-11-21
申请人：中國鋼鐵股份有限公司 , CHINA STEEL CORPORATION
发明人：黃靖謙 , HUANG, CHING CHIEN , 洪永熊 , HUNG, YUNG HSIUNG , 黃菁儀 , HUANG, JING YI , 郭明峯 , KUO, MING FENG
IPC分类号： C04B35/26 , H01F41/02 , H01F1/03
摘要：本發明提供一種旋磁體的製造方法，其包含步驟：提供一旋磁材料；對該旋磁材料進行一第一球磨步驟，獲得一旋磁粉末；在該第一球磨步驟之後，對該旋磁粉末進行一煆燒步驟；在該煆燒步驟之後，對該旋磁粉末進行一第二球磨步驟；在該第二球磨步驟之後，對該旋磁粉末進行一退火步驟；在該退火步驟之後，對該旋磁粉末進行一第三球磨步驟；在該第三球磨步驟之後，對該旋磁粉末進行一冷間均壓成型步驟，以壓製該旋磁粉末為一胚件；以及在1350至1450℃的溫度及氧氣中使該胚件進行一燒結步驟，以形成一旋磁體。
简体摘要：本发明提供一种旋磁体的制造方法，其包含步骤：提供一旋磁材料；对该旋磁材料进行一第一球磨步骤，获得一旋磁粉末；在该第一球磨步骤之后，对该旋磁粉末进行一煅烧步骤；在该煅烧步骤之后，对该旋磁粉末进行一第二球磨步骤；在该第二球磨步骤之后，对该旋磁粉末进行一退火步骤；在该退火步骤之后，对该旋磁粉末进行一第三球磨步骤；在该第三球磨步骤之后，对该旋磁粉末进行一冷间均压成型步骤，以压制该旋磁粉末为一胚件；以及在1350至1450℃的温度及氧气中使该胚件进行一烧结步骤，以形成一旋磁体。

10. 发明专利

TW201613840A 鐵酸鉍陶瓷靶材的製法审中-公开
简体标题：铁酸铋陶瓷靶材的制法
公开(公告)号：TW201613840A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103134179
申请日：2014-10-01
申请人：鑫科材料科技股份有限公司
发明人：葉冠成 , 蔡銘洲 , 趙珅暢 , 管琪芸 , 王文記 , 周邦彥 , 凌永富
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/453 , C04B35/26 , C23C14/08 , C23C14/28
摘要：本發明之鐵酸鉍陶瓷靶材的製法，藉由令含有三氧化二鉍粉末及三氧化二鐵粉末且鉍與鐵之原子比例為1.1：1至1.4：1之原料經濕式球磨、烘乾及預燒後得到一經預燒之粉末、令該經預燒之粉末經濕式球磨、烘乾及過篩後得到一細緻化粉末、將該細緻化粉末填充於一不鏽鋼模具中並抽真空以及於650℃至750℃之溫度及150毫帕至200毫帕之壓力下，熱等均壓該填充有該細緻化粉末之不鏽鋼模具等步驟，係能製得一具有尺寸於達到100mm×100mm×100mm以上時仍具有高均質性及高緻密度之靶材體的鐵酸鉍陶瓷靶材。且該鐵酸鉍陶瓷靶材係可製得一相組成為純BiFeO3相的高品質之鐵酸鉍薄膜。
简体摘要：本发明之铁酸铋陶瓷靶材的制法，借由令含有三氧化二铋粉末及三氧化二铁粉末且铋与铁之原子比例为1.1：1至1.4：1之原料经湿式球磨、烘干及预烧后得到一经预烧之粉末、令该经预烧之粉末经湿式球磨、烘干及过筛后得到一细致化粉末、将该细致化粉末填充于一不锈钢模具中并抽真空以及于650℃至750℃之温度及150毫帕至200毫帕之压力下，热等均压该填充有该细致化粉末之不锈钢模具等步骤，系能制得一具有尺寸于达到100mm×100mm×100mm以上时仍具有高均质性及高致密度之靶材体的铁酸铋陶瓷靶材。且该铁酸铋陶瓷靶材系可制得一相组成为纯BiFeO3相的高品质之铁酸铋薄膜。

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