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1. 发明专利

TW201843102A 散熱漿料及散熱結構的製造方法审中-公开
简体标题：散热浆料及散热结构的制造方法
公开(公告)号：TW201843102A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106114757
申请日：2017-05-04
申请人：中原大學 , CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：劉偉仁 , LIU, WEI-JEN , 賴怡瑾 , LAI, YI-CHIN , 林品均 , LIN, PIN-CHUN , 吳兆益 , WU, JHAO-YI
IPC分类号： C01B32/184 , B02C19/18 , C09D1/00 , C09D5/00 , B05D3/02 , B05D3/12 , B05D5/00 , C09K5/14
摘要：一種散熱結構的製造方法，其包括以下步驟。對碳原料進行均質破碎製程，以形成碳材。混合碳材與黏著劑，以形成散熱漿料。於基材上塗佈散熱漿料，以於基材上形成散熱膜。
简体摘要：一种散热结构的制造方法，其包括以下步骤。对碳原料进行均质破碎制程，以形成碳材。混合碳材与黏着剂，以形成散热浆料。于基材上涂布散热浆料，以于基材上形成散热膜。

2. 发明专利

TWI647176B 高熱傳導散熱複合膜及其製備方法有权
简体标题：高热传导散热复合膜及其制备方法
公开(公告)号：TWI647176B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW107118345
申请日：2018-05-29
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：戴念華 , TAI, NYAN HWA , 袁惠卿 , YUAN, HUI CHING
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/25 , C01B32/184 , C01B32/28 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K5/14 , H05K7/20

3. 发明专利

TW201823154A 石墨烯之製造审中-公开
简体标题：石墨烯之制造
公开(公告)号：TW201823154A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106130317
申请日：2017-09-05
申请人：美商阿爾發裝配對策公司 , ALPHA ASSEMBLY SOLUTIONS INC.
发明人：查奇尼馬亞庫馬 , CHAKI, NIRMALYA KUMAR , 達斯巴倫 , DAS, BARUN , 狄伐拉詹蘇普萊亞 , DEVARAJAN, SUPRIYA , 沙卡西尤里 , SARKAR, SIULI , 勞特拉胡 , RAUT, RAHUL , 辛巴瓦 , SINGH, BAWA , 潘德朗吉特 , PANDHER, RANJIT , 喀瑟勒夫奧斯卡 , KHASELEV, OSCAR
IPC分类号： C01B32/184 , H01M4/36
摘要：本發明提出一種用以製造石墨烯粒子及薄片之高品質石墨烯合成方法。可對該石墨烯進行設計的性質包括尺寸、縱深比率、邊緣清晰度(edge definition)、表面功能化及控制層數。與先前方法比較，在終端石墨烯產物中找到較少缺陷。本發明的石墨烯製造方法比先前方法具較少侵蝕性、較低成本及更環境友善。此方法可應用至實驗室規模及大量製造二者來製造高品質石墨烯薄片。
简体摘要：本发明提出一种用以制造石墨烯粒子及薄片之高品质石墨烯合成方法。可对该石墨烯进行设计的性质包括尺寸、纵深比率、边缘清晰度(edge definition)、表面功能化及控制层数。与先前方法比较，在终端石墨烯产物中找到较少缺陷。本发明的石墨烯制造方法比先前方法具较少侵蚀性、较低成本及更环境友善。此方法可应用至实验室规模及大量制造二者来制造高品质石墨烯薄片。

4. 发明专利

TW201733911A 合成高結晶石墨烯之方法审中-公开
简体标题：合成高结晶石墨烯之方法
公开(公告)号：TW201733911A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105108396
申请日：2016-03-18
申请人：國立中央大學 , NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY
发明人：蘇清源 , SU, CHING-YUAN , 陳嘉軒 , CHEN, CHIA-HSUAN
IPC分类号： C01B32/184
摘要：本發明揭露一種合成高結晶石墨烯之方法，提供一電化學溶液；該電化學溶液包含一第一溶液以及一第二溶液，將一第一電極與一第二電極不接觸地置於該電化學溶液中，其中該第一電極與該第二電極間具有一電勢差，該第一電極或該第二電極包括一石墨材料；該第一溶液包含一第一分子滲入該石墨材料的各層間，並將該石墨材料片層分離形成複數個石墨烯，該第二溶液包含一功能性化合物包覆該些石墨烯。
简体摘要：本发明揭露一种合成高结晶石墨烯之方法，提供一电化学溶液；该电化学溶液包含一第一溶液以及一第二溶液，将一第一电极与一第二电极不接触地置于该电化学溶液中，其中该第一电极与该第二电极间具有一电势差，该第一电极或该第二电极包括一石墨材料；该第一溶液包含一第一分子渗入该石墨材料的各层间，并将该石墨材料片层分离形成复数个石墨烯，该第二溶液包含一功能性化合物包覆该些石墨烯。

5. 发明专利

TWI650287B 散熱漿料及散熱結構的製造方法有权
简体标题：散热浆料及散热结构的制造方法
公开(公告)号：TWI650287B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106114757
申请日：2017-05-04
申请人：中原大學 , CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：劉偉仁 , LIU, WEI-JEN , 賴怡瑾 , LAI, YI-CHIN , 林品均 , LIN, PIN-CHUN , 吳兆益 , WU, JHAO-YI
IPC分类号： C01B32/184 , B02C19/18 , C09D1/00 , C09D5/00 , B05D3/02 , B05D3/12 , B05D5/00 , C09K5/14

6. 发明专利

TW201840473A 石墨烯奈米片及其相關之製程审中-公开
简体标题：石墨烯奈米片及其相关之制程
公开(公告)号：TW201840473A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107104659
申请日：2018-02-09
申请人：加拿大商雷默工業股份有限公司 , RAYMOR INDUSTRIES INC.
发明人：克勒格杰斯 , KROEGER, JENS , 拉羅杰尼古拉斯 , LAROUCHE, NICHOLAS , 拉羅杰福萊迪克 , LAROUCHE, FREDERIC , 巴梅爾馬修 , BALMAYER, MATTHIEU
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/194
摘要：提供一種石墨烯奈米片，其具有小於約0.7重量%的聚芳族烴濃度，且透過ASTM B527-15標準測量出具有小於約0.08g/cm3的振實密度。石墨烯奈米片也具有大於約250m2/g的比表面積（B.E.T.）。還提供了一種製備石墨烯奈米片以及從石墨烯奈米片中除去聚芳族烴的製程，包括在氧化性氣氛下，在至少約200oC的溫度下加熱所述石墨烯奈米片。
简体摘要：提供一种石墨烯奈米片，其具有小于约0.7重量%的聚芳族烃浓度，且透过ASTM B527-15标准测量出具有小于约0.08g/cm3的振实密度。石墨烯奈米片也具有大于约250m2/g的比表面积（B.E.T.）。还提供了一种制备石墨烯奈米片以及从石墨烯奈米片中除去聚芳族烃的制程，包括在氧化性气氛下，在至少约200oC的温度下加热所述石墨烯奈米片。

7. 发明专利

TW201829308A 二維材料製造方法审中-公开
简体标题：二维材料制造方法
公开(公告)号：TW201829308A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106104250
申请日：2017-02-09
申请人：湯瑪斯塞門查爾斯史都華 , THOMAS, SIMON CHARLES STEWART
发明人：湯瑪斯塞門查爾斯史都華 , THOMAS, SIMON CHARLES STEWART
IPC分类号： C01B32/184
摘要：一種生產石墨烯或其它二維材料如石墨烯的方法，包括將保持在反應腔室內的基板加熱到一前驅物分解範圍內的溫度，且此溫度允許從分解的前驅物所釋放的物質形成二維結晶材料；建立一個從基板表面朝向前驅物的入口延伸的陡峭溫度梯度(優選>1000℃/米)；及引導前驅物通過相對較冷的入口，並跨過該溫度梯度朝向基板表面。陡峭的溫度梯度確保前驅物基本上保持清涼，直到它靠近基板表面，從而使前驅物接近基板表面之前的分解或其他反應最小化，前驅物入口與基板之間的間隔小於100mm。
简体摘要：一种生产石墨烯或其它二维材料如石墨烯的方法，包括将保持在反应腔室内的基板加热到一前驱物分解范围内的温度，且此温度允许从分解的前驱物所释放的物质形成二维结晶材料；创建一个从基板表面朝向前驱物的入口延伸的陡峭温度梯度(优选>1000℃/米)；及引导前驱物通过相对较冷的入口，并跨过该温度梯度朝向基板表面。陡峭的温度梯度确保前驱物基本上保持清凉，直到它靠近基板表面，从而使前驱物接近基板表面之前的分解或其他反应最小化，前驱物入口与基板之间的间隔小于100mm。

8. 发明专利

TW201825392A 用於生產石墨烯奈米片的電漿方法审中-公开
简体标题：用于生产石墨烯奈米片的等离子方法
公开(公告)号：TW201825392A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106145057
申请日：2017-12-21
申请人：加拿大商雷默工業股份有限公司 , RAYMOR INDUSTRIES INC.
发明人：克勒格杰斯 , KROEGER, JENS , 拉羅杰尼古拉斯 , LAROUCHE, NICHOLAS , 拉羅杰福萊迪克 , LAROUCHE, FREDERIC
IPC分类号： C01B32/184 , H05H1/42 , B82Y40/00
摘要：提供了用於生產石墨烯奈米片的電漿方法，其包括以至少60 m/s的速度，標準溫度與壓力STP，將含碳物質注入電漿的熱區中，以使石墨烯奈米片成核，並且用不超過1000℃的淬火氣體，將石墨烯奈米片淬火。可利用多個噴嘴進行含碳物質的注入。當使用514 nm的入射電射波長測量時，石墨烯奈米片可具有大於或等於3的拉曼G/D比以及大於或等於0.8的2D/G比。可以以至少80 g/h的速率生產石墨烯奈米片。石墨烯奈米片可具有按重量計小於約0.7%的多環芳香烴濃度。
简体摘要：提供了用于生产石墨烯奈米片的等离子方法，其包括以至少60 m/s的速度，标准温度与压力STP，将含碳物质注入等离子的热区中，以使石墨烯奈米片成核，并且用不超过1000℃的淬火气体，将石墨烯奈米片淬火。可利用多个喷嘴进行含碳物质的注入。当使用514 nm的入射电射波长测量时，石墨烯奈米片可具有大于或等于3的拉曼G/D比以及大于或等于0.8的2D/G比。可以以至少80 g/h的速率生产石墨烯奈米片。石墨烯奈米片可具有按重量计小于约0.7%的多环芳香烃浓度。

9. 发明专利

TW202017859A 石墨烯之大面積自動化製備方法审中-公开
简体标题：石墨烯之大面积自动化制备方法
公开(公告)号：TW202017859A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107139570
申请日：2018-11-07
申请人：國立臺北科技大學
发明人：曾釋鋒
IPC分类号： C01B32/184 , B23K26/064 , B23K26/352 , B01J19/10 , B01J19/12
摘要：本發明係有關一種石墨烯之大面積自動化製備方法，藉由氧化石墨烯進行超音波震盪，並透過線形雷射光(為雷射光使用光束整形器形成)來移除氧化石墨烯上的氧化官能基，將氧化石墨烯還原形成石墨烯。藉以得到高產率、高均勻性和高導電率之石墨烯。
简体摘要：本发明系有关一种石墨烯之大面积自动化制备方法，借由氧化石墨烯进行超音波震荡，并透过线形激光光(为激光光使用光束整形器形成)来移除氧化石墨烯上的氧化官能基，将氧化石墨烯还原形成石墨烯。借以得到高产率、高均匀性和高导电率之石墨烯。

10. 发明专利

TWI675798B 石墨烯之大面積自動化製備方法有权
简体标题：石墨烯之大面积自动化制备方法
公开(公告)号：TWI675798B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107139570
申请日：2018-11-07
申请人：國立臺北科技大學
发明人：曾釋鋒
IPC分类号： C01B32/184 , B23K26/064 , B23K26/352 , B01J19/10 , B01J19/12

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