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1. 发明专利

TWI665160B 包含複合式奈米碳管之電池正極漿料有权
简体标题：包含复合式奈米碳管之电池正极浆料
公开(公告)号：TWI665160B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW106110383
申请日：2017-03-28
申请人：識驊科技股份有限公司
发明人：賴鴻政 , 李依霖 , 曹邵喧 , 林正崧 , 張曾隆
IPC分类号： C01B32/158 , C01B32/182 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/052

2. 发明专利

TWI647176B 高熱傳導散熱複合膜及其製備方法有权
简体标题：高热传导散热复合膜及其制备方法
公开(公告)号：TWI647176B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW107118345
申请日：2018-05-29
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：戴念華 , TAI, NYAN HWA , 袁惠卿 , YUAN, HUI CHING
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/25 , C01B32/184 , C01B32/28 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K5/14 , H05K7/20

3. 发明专利

TW201836974A 包含複合式奈米碳管之電池正極漿料审中-公开
简体标题：包含复合式奈米碳管之电池正极浆料
公开(公告)号：TW201836974A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106110383
申请日：2017-03-28
申请人：識驊科技股份有限公司
发明人：賴鴻政 , 李依霖 , 曹邵喧 , 林正崧 , 張曾隆
IPC分类号： C01B32/158 , C01B32/182 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/052
摘要：一種包含複合式奈米碳管之電池正極漿料，其中具備有不同長度與管徑之奈米碳管，包含中型奈米碳管，其佔整個漿料的比例在0%~5%重量百分比之間；且其長度介於5μm到15μm之間而直徑為12nm到20nm之間；長奈米碳管，其佔整個漿料的比例約在0.1%~1%重量百分比之間；且其長度介於100μm到300μm之間而直徑為10nm到12nm之間；短奈米碳管，其佔整個漿料的比例在0%~5%重量百分比之間；且其長度介於1μm到15μm之間而直徑為20nm到50nm之間；石墨烯用於橋接不同中型、短及長奈米碳管，其為二至四層的結構，其佔整個漿料的比例在1%~1.2%重量百分比之間；高分子材料用於穩定上述中型、短及長奈米碳管，且有調節漿料黏度之功效；其佔整個漿料的比例在1%~1.2%重量百分比之間；分散劑用於充填該高分子材料及複合式奈米碳管間的空隙，提高奈米碳管表面包覆度進而降低團聚現象發生；其中該高分子材料與分散劑的比例為7：3； NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)作為溶劑之用，以溶解上述各溶質；當該漿料用於電池正極時，該中型及短奈米碳管可包圍正極之正極導電單元，長奈米碳管可有效跨接多個不同正極導電單元，進而降低電子跨越電解液至另一正極導電單元所產生之內電阻，達成提升電池電性表現。
简体摘要：一种包含复合式奈米碳管之电池正极浆料，其中具备有不同长度与管径之奈米碳管，包含中型奈米碳管，其占整个浆料的比例在0%~5%重量百分比之间；且其长度介于5μm到15μm之间而直径为12nm到20nm之间；长奈米碳管，其占整个浆料的比例约在0.1%~1%重量百分比之间；且其长度介于100μm到300μm之间而直径为10nm到12nm之间；短奈米碳管，其占整个浆料的比例在0%~5%重量百分比之间；且其长度介于1μm到15μm之间而直径为20nm到50nm之间；石墨烯用于桥接不同中型、短及长奈米碳管，其为二至四层的结构，其占整个浆料的比例在1%~1.2%重量百分比之间；高分子材料用于稳定上述中型、短及长奈米碳管，且有调节浆料黏度之功效；其占整个浆料的比例在1%~1.2%重量百分比之间；分散剂用于充填该高分子材料及复合式奈米碳管间的空隙，提高奈米碳管表面包覆度进而降低团聚现象发生；其中该高分子材料与分散剂的比例为7：3； NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone，N-甲基吡咯烷酮)作为溶剂之用，以溶解上述各溶质；当该浆料用于电池正极时，该中型及短奈米碳管可包围正极之正极导电单元，长奈米碳管可有效跨接多个不同正极导电单元，进而降低电子跨越电解液至另一正极导电单元所产生之内电阻，达成提升电池电性表现。

4. 发明专利

TWI637906B 形成多層結構之方法有权
简体标题：形成多层结构之方法
公开(公告)号：TWI637906B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107109946
申请日：2018-03-23
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：王德岩 , WANG, DEYAN
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/19 , C07F7/00

5. 发明专利

TW201821361A 人造石墨的製備方法审中-公开
简体标题：人造石墨的制备方法
公开(公告)号：TW201821361A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105143344
申请日：2016-12-27
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：柳鵬 , LIU, PENG , 趙偉 , ZHAO, WEI , 王江濤 , WANG, JIANG-TAO , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C01B32/205 , C01B32/182
摘要：一種人造石墨的製備方法，包括以下步驟：將一石墨烯膜放置於一基板上；將所述承載有石墨烯膜的基板放入一反應室內，加熱到900℃~1800℃，並通入碳源氣體；及在惰性氣氛或者真空環境中，進行石墨化處理。
简体摘要：一种人造石墨的制备方法，包括以下步骤：将一石墨烯膜放置于一基板上；将所述承载有石墨烯膜的基板放入一反应室内，加热到900℃~1800℃，并通入碳源气体；及在惰性气氛或者真空环境中，进行石墨化处理。

6. 发明专利

TW202003381A 高熱傳導散熱複合膜及其製備方法审中-公开
简体标题：高热传导散热复合膜及其制备方法
公开(公告)号：TW202003381A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107118345
申请日：2018-05-29
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：戴念華 , TAI, NYAN HWA , 袁惠卿 , YUAN, HUI CHING
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/25 , C01B32/184 , C01B32/28 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K5/14 , H05K7/20
摘要：本發明提供一種製備方法，包含：製備包含複數氧化石墨烯的氧化石墨烯溶液；製備包含複數奈米初始複合結構的奈米顆粒溶液，奈米初始複合結構包含複數聚多巴胺層包覆的奈米鑽石；提供混合作業，將氧化石墨烯溶液與奈米顆粒溶液混合為混合溶液；提供預備膜成型作業，抽濾混合溶液，保留混合之氧化石墨烯及奈米初始複合結構形成預備膜；提供熱處理作業，加熱預備膜使氧化石墨烯還原為複數還原石墨烯，使奈米初始複合結構的聚多巴胺層變為複數碳層，藉此形成高熱傳導散熱複合膜，以使高熱傳導散熱複合膜具有良好的垂直方向及水平方向導熱性。
简体摘要：本发明提供一种制备方法，包含：制备包含复数氧化石墨烯的氧化石墨烯溶液；制备包含复数奈米初始复合结构的奈米颗粒溶液，奈米初始复合结构包含复数聚多巴胺层包覆的奈米钻石；提供混合作业，将氧化石墨烯溶液与奈米颗粒溶液混合为混合溶液；提供预备膜成型作业，抽滤混合溶液，保留混合之氧化石墨烯及奈米初始复合结构形成预备膜；提供热处理作业，加热预备膜使氧化石墨烯还原为复数还原石墨烯，使奈米初始复合结构的聚多巴胺层变为复数碳层，借此形成高热传导散热复合膜，以使高热传导散热复合膜具有良好的垂直方向及水平方向导热性。

7. 发明专利

TWI679167B 利用奈米碳管複合膜轉移二維奈米材料的方法有权
简体标题：利用奈米碳管复合膜转移二维奈米材料的方法
公开(公告)号：TWI679167B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107104857
申请日：2018-02-12
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：叢琳 , CONG, LIN , 趙偉 , ZHAO, WEI , 張金 , ZHANG, JIN , 蔡裕謙 , TSAI, YU-CHIEN , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C01B32/15 , C01B32/182 , B82B3/00 , B82Y40/00 , H01L27/04 , H01B1/02

8. 发明专利

TWI667197B 石墨烯-氧化鉍複合材料的製備方法、石墨烯-氧化鉍複合材料及其應用有权
简体标题：石墨烯-氧化铋复合材料的制备方法、石墨烯-氧化铋复合材料及其应用
公开(公告)号：TWI667197B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107107694
申请日：2018-03-07
申请人：國立高雄科技大學
发明人：楊文都 , 林育江 , 楊雅喬
IPC分类号： C01B32/182 , C01G29/00 , H01G11/30 , H01M4/48 , H01M4/583

9. 发明专利

TWI649261B 含石墨烯的複合式電纜有权
简体标题：含石墨烯的复合式电缆
公开(公告)号：TWI649261B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106128070
申请日：2017-08-18
申请人：河南烯碳合成材料有限公司
发明人：王海超 , 臧波 , 刘明举 , 刘建设 , 宋健民
IPC分类号： C01B32/182 , H02G1/00 , H01M4/66

10. 发明专利

TW201836975A 形成多層結構之方法审中-公开
简体标题：形成多层结构之方法
公开(公告)号：TW201836975A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107109946
申请日：2018-03-23
申请人：美商羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
发明人：王德岩 , WANG, DEYAN
IPC分类号： C01B32/182 , C01B32/19 , C07F7/00
摘要：包括液體載劑及某些MX/石墨碳前驅體之組合物可用於形成多層結構，所述多層結構具有設置在基板上之MX層及石墨碳層，其中，在多層結構中MX層介於基板與石墨碳層之間。
简体摘要：包括液体载剂及某些MX/石墨碳前驱体之组合物可用于形成多层结构，所述多层结构具有设置在基板上之MX层及石墨碳层，其中，在多层结构中MX层介于基板与石墨碳层之间。

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