专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200921718A 超薄鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法审中-公开
简体标题：超薄铁磁/反铁磁耦合薄膜之结构及其制法
公开(公告)号：TW200921718A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141973
申请日：2007-11-07
申请人：國立中正大學 NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：蔡志申 TSAY, JYH SHEN , 李奇暐 LEE, CHIWEI , 陳恭 CHERN, GUNG
IPC分类号： H01F
CPC分类号： C23C14/5853 , B82Y25/00 , C23C14/16 , G11B5/3906 , G11B5/66 , H01F10/3218 , H01F41/20 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/24942
摘要：一種鐵磁/反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法,該結構包含基材、於700至900 K之溫度條件下,形成於基材表面厚度為2至15原子層(monolayers, ML)之氧化鈷反鐵磁層、以及形成於氧化鈷反鐵磁層表面至少1原子層之鈷膜鐵磁層。該方法係先於基材表面鍍上至少2原子層之第一鈷膜,接著使該第一鈷膜曝氧至飽和並於700至900 K之溫度條件下加熱使氧與鈷均勻化合形成厚度為2至15原子層之氧化鈷層,再於該氧化鈷層表面鍍上至少1原子層之第二鈷膜。所形成之薄膜結構經場冷卻後,利用表面磁光科爾效應儀(surface magneto-optic Kerr effect, SMOKE)進行磁性量測,發現磁滯偏移現象,為良好的鐵磁/反鐵磁薄膜。藉由調整反鐵磁層的厚度,可以改變交換耦合的强度,獲得鐵磁層與反鐵磁層交換耦合的最佳條件,適合用於製作磁記錄媒體。
简体摘要：一种铁磁/反铁磁耦合薄膜之结构及其制法,该结构包含基材、于700至900 K之温度条件下,形成于基材表面厚度为2至15原子层(monolayers, ML)之氧化钴反铁磁层、以及形成于氧化钴反铁磁层表面至少1原子层之钴膜铁磁层。该方法系先于基材表面镀上至少2原子层之第一钴膜,接着使该第一钴膜曝氧至饱和并于700至900 K之温度条件下加热使氧与钴均匀化合形成厚度为2至15原子层之氧化钴层,再于该氧化钴层表面镀上至少1原子层之第二钴膜。所形成之薄膜结构经场冷却后,利用表面磁光科尔效应仪(surface magneto-optic Kerr effect, SMOKE)进行磁性量测,发现磁滞偏移现象,为良好的铁磁/反铁磁薄膜。借由调整反铁磁层的厚度,可以改变交换耦合的强度,获得铁磁层与反铁磁层交换耦合的最佳条件,适合用于制作磁记录媒体。

2. 发明专利

TWI559019B 使用處於第二諧波偵測模式之磁阻感測器來感測弱磁場之方法有权
简体标题：使用处于第二谐波侦测模式之磁阻传感器来传感弱磁场之方法
公开(公告)号：TWI559019B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101140850
申请日：2012-11-02
申请人：哈尼威爾國際公司 , HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人：潘特巴哈雷特B , PANT, BHARAT B.
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093 , G01R33/02 , Y10T428/1107

3. 发明专利

TW201329480A 使用處於第二諧波偵測模式之磁阻感測器來感測弱磁場之方法审中-公开
简体标题：使用处于第二谐波侦测模式之磁阻传感器来传感弱磁场之方法
公开(公告)号：TW201329480A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101140850
申请日：2012-11-02
申请人：哈尼威爾國際公司 , HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人：潘特巴哈雷特B , PANT, BHARAT B.
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/093 , G01R33/02 , Y10T428/1107
摘要：本發明提供一種用以量測一磁場之方法。該方法包含將一交變驅動電流施加至上覆一磁阻感測器之一驅動帶以使該磁阻感測器之一操作點移位至一低雜訊區。藉由該交變驅動電流在該磁阻感測器中產生一交變磁性驅動場。當該欲量測之磁場疊加於該磁阻感測器中之該交變磁性驅動場上時，該方法進一步包括提取該磁阻感測器之一輸出之一第二諧波分量。該欲量測之磁場與該所提取第二諧波分量之一帶正負號振幅成比例。
简体摘要：本发明提供一种用以量测一磁场之方法。该方法包含将一交变驱动电流施加至上覆一磁阻传感器之一驱动带以使该磁阻传感器之一操作点移位至一低噪声区。借由该交变驱动电流在该磁阻传感器中产生一交变磁性驱动场。当该欲量测之磁场叠加于该磁阻传感器中之该交变磁性驱动场上时，该方法进一步包括提取该磁阻传感器之一输出之一第二谐波分量。该欲量测之磁场与该所提取第二谐波分量之一带正负号振幅成比例。

4. 发明专利

TWI443656B 磁性疊層結構及其製造方法有权
简体标题：磁性叠层结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI443656B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098112666
申请日：2009-04-16
申请人：國立雲林科技大學 , NATIONAL YUNLIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：吳德和 , WU, TEHO , 葉林秀 , YE, LINHSIU , 李景明 , LEE, CHINGMING
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11B5/66 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/84 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/307 , Y10T428/1107 , Y10T428/115

5. 发明专利

TWI394179B 超薄鐵磁／反鐵磁耦合薄膜之結構及其製法有权
简体标题：超薄铁磁／反铁磁耦合薄膜之结构及其制法
公开(公告)号：TWI394179B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW096141973
申请日：2007-11-07
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：蔡志申 , TSAY, JYH SHEN , 李奇暐 , LEE, CHIWEI , 陳恭 , CHERN, GUNG
IPC分类号： H01F10/16 , H01F10/30
CPC分类号： C23C14/5853 , B82Y25/00 , C23C14/16 , G11B5/3906 , G11B5/66 , H01F10/3218 , H01F41/20 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/24942

6. 发明专利

TW201039344A 磁性疊層結構及其製造方法 MAGNETIC-STACK STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：磁性叠层结构及其制造方法 MAGNETIC-STACK STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201039344A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW098112666
申请日：2009-04-16
申请人：國立雲林科技大學
发明人：吳德和 , 葉林秀 , 李景明
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11B5/66 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/84 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/302 , H01F41/307 , Y10T428/1107 , Y10T428/115
摘要：一種磁性疊層結構,包含一自由磁性層及兩金屬層。兩金屬層接觸連接於磁性層之兩側,其中自由磁性層之厚度範圍在1nm至30nm間,而兩金屬層的厚度範圍分別為0.1nm至20nm。此磁性疊層結構可降低自由磁性層的矯頑力。
简体摘要：一种磁性叠层结构,包含一自由磁性层及两金属层。两金属层接触连接于磁性层之两侧,其中自由磁性层之厚度范围在1nm至30nm间,而两金属层的厚度范围分别为0.1nm至20nm。此磁性叠层结构可降低自由磁性层的矫顽力。

7. 发明专利

TWI243254B 磁場感測器 MAGNETIC FIELD SENSOR 失效
简体标题：磁场传感器 MAGNETIC FIELD SENSOR
公开(公告)号：TWI243254B
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：TW090115247
申请日：2001-06-22
申请人：昆提克股份有限公司 QINETIQ LIMITED
发明人：田墨迪艾雪利 TIMOTHY ASHLEY , 查理斯湯馬斯艾略特 CHARLES THOMAS ELLIOT , 田墨迪强納森菲利普斯 TIMOTHY JONATHAN PHILLIPS
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G01R33/07 , Y10T428/1107 , Y10T428/1186
摘要：本發明提供一種霍爾效應磁場感測器(10,50)，包括載子排斥(70,72)或萃取裝置(66)，用以減小本質貢獻(contribution)於其中之載子濃度，以備供感測器在外質飽和模態中之操作性。此提供之利益是可實質造成感測器(10,50)之磁場測量靈敏度對感測器溫度不靈敏，因而改善測量精確度。
简体摘要：本发明提供一种霍尔效应磁场传感器(10,50)，包括载子排斥(70,72)或萃取设备(66)，用以减小本质贡献(contribution)于其中之载子浓度，以备供传感器在外质饱和模态中之操作性。此提供之利益是可实质造成传感器(10,50)之磁场测量灵敏度对传感器温度不灵敏，因而改善测量精确度。

8. 发明专利

TW560095B 磁動電阻元件,具有磁動電阻元件之記憶體元件,及使用記憶體元件之記憶體失效
简体标题：磁动电阻组件,具有磁动电阻组件之内存组件,及使用内存组件之内存
公开(公告)号：TW560095B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091106511
申请日：2002-04-01
申请人：佳能股份有限公司
发明人：池田貴司 , 小金井昭雄 , 岡野一久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C11/16 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/12465 , Y10T428/12986 , Y10T428/24942
摘要：一種磁動電阻薄膜，其包括一種非磁性薄膜，以及一種在該非磁性薄膜兩側形成磁性薄膜之結構。該磁性薄膜至少一者係垂直磁化之薄膜。一種易磁化軸自垂直於薄膜表面之方向斜傾之磁性薄膜係於該磁性薄膜接觸該垂直磁化薄膜但未接觸該非磁性薄膜之處形成。復揭示一種記憶體、磁性元件、磁動電阻元件及磁性元件之製造方法。
简体摘要：一种磁动电阻薄膜，其包括一种非磁性薄膜，以及一种在该非磁性薄膜两侧形成磁性薄膜之结构。该磁性薄膜至少一者系垂直磁化之薄膜。一种易磁化轴自垂直于薄膜表面之方向斜倾之磁性薄膜系于该磁性薄膜接触该垂直磁化薄膜但未接触该非磁性薄膜之处形成。复揭示一种内存、磁性组件、磁动电阻组件及磁性组件之制造方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式