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    • 1. 发明专利
    • 反應性氣體控制 REACTIVE GAS CONTROL
    • 反应性气体控制 REACTIVE GAS CONTROL
    • TW201031848A
    • 2010-09-01
    • TW098131373
    • 2009-09-17
    • 艾爾嘉公司
    • 強斯賈德 馬克
    • F16KB01D
    • B01D53/68B01D47/10B01D53/79B01D2258/0216Y10T137/0379Y10T137/4643
    • 本發明揭示之諸態樣包含一閥,其包括一可操作以控制一氣流通過一埠之流動液體。某些態樣包含可操作以使氣體反應的反應腔,且在一些態樣中氣體係實質上含於由一流動液體組成的一包絡內。某些實施例使用由一流動液體組成、控制氣流通過一埠之一閥而控制氣體進入一腔。本發明描述各種氣體除去系統,包含包括可操作以使氣體反應而產生實質數量的固體反應產物之諸反應腔的諸系統。本發明揭示用於控制氣流的諸方法。諸系統與諸方法包含濕洗滌、反應及視情況進一步濕洗滌一氣流的循序步驟。
    • 本发明揭示之诸态样包含一阀,其包括一可操作以控制一气流通过一端口之流动液体。某些态样包含可操作以使气体反应的反应腔,且在一些态样中气体系实质上含于由一流动液体组成的一包络内。某些实施例使用由一流动液体组成、控制气流通过一端口之一阀而控制气体进入一腔。本发明描述各种气体除去系统,包含包括可操作以使气体反应而产生实质数量的固体反应产物之诸反应腔的诸系统。本发明揭示用于控制气流的诸方法。诸系统与诸方法包含湿洗涤、反应及视情况进一步湿洗涤一气流的循序步骤。
    • 3. 发明专利
    • 開閉閥 OPENING AND CLOSING VALVE
    • 开闭阀 OPENING AND CLOSING VALVE
    • TW201002966A
    • 2010-01-16
    • TW098106205
    • 2009-02-26
    • 愛發科股份有限公司
    • 根岸敏夫越田達彥
    • F16K
    • F16K17/38F16K1/42F16K13/10F16K25/00Y10T137/4643Y10T137/86879
    • 本發明係提供一種壽命長的開閉閥。本發明之開閉閥(70),係具有低熔點金屬(76),該開閉閥(70)係在使低熔點金屬(76)已熔融的狀態下,當使遮蔽構件(72)接觸於該低熔點金屬(76)之表面時,開閉閥(70)之內部空間就成為分離成遮蔽構件(72)之內部空間與外部空間的閉合狀態。開閉閥(70)之內部空間之中,若先分別連接遮蔽構件(72)之內部空間與外部空間,則於閉合狀態時,外部裝置彼此間就被遮斷。在使遮蔽構件(72)之下端間離於低熔點金屬(76)的開啟狀態下,外部裝置彼此間會相互連接。
    • 本发明系提供一种寿命长的开闭阀。本发明之开闭阀(70),系具有低熔点金属(76),该开闭阀(70)系在使低熔点金属(76)已熔融的状态下,当使屏蔽构件(72)接触于该低熔点金属(76)之表面时,开闭阀(70)之内部空间就成为分离成屏蔽构件(72)之内部空间与外部空间的闭合状态。开闭阀(70)之内部空间之中,若先分别连接屏蔽构件(72)之内部空间与外部空间,则于闭合状态时,外部设备彼此间就被遮断。在使屏蔽构件(72)之下端间离于低熔点金属(76)的打开状态下,外部设备彼此间会相互连接。
    • 4. 发明专利
    • 反應性氣體控制 REACTIVE GAS CONTROL
    • 反应性气体控制 REACTIVE GAS CONTROL
    • TWI375767B
    • 2012-11-01
    • TW098131373
    • 2009-09-17
    • 艾爾嘉公司
    • 強斯賈德 馬克
    • F16KB01D
    • B01D53/68B01D47/10B01D53/79B01D2258/0216Y10T137/0379Y10T137/4643
    • 本發明揭示之諸態樣包含一閥,其包括一可操作以控制一氣流通過一埠之流動液體。某些態樣包含可操作以使氣體反應的反應腔,且在一些態樣中氣體係實質上含於由一流動液體組成的一包絡內。某些實施例使用由一流動液體組成、控制氣流通過一埠之一閥而控制氣體進入一腔。本發明描述各種氣體除去系統,包含包括可操作以使氣體反應而產生實質數量的固體反應產物之諸反應腔的諸系統。本發明揭示用於控制氣流的諸方法。諸系統與諸方法包含濕洗滌、反應及視情況進一步濕洗滌一氣流的循序步驟。
    • 本发明揭示之诸态样包含一阀,其包括一可操作以控制一气流通过一端口之流动液体。某些态样包含可操作以使气体反应的反应腔,且在一些态样中气体系实质上含于由一流动液体组成的一包络内。某些实施例使用由一流动液体组成、控制气流通过一端口之一阀而控制气体进入一腔。本发明描述各种气体除去系统,包含包括可操作以使气体反应而产生实质数量的固体反应产物之诸反应腔的诸系统。本发明揭示用于控制气流的诸方法。诸系统与诸方法包含湿洗涤、反应及视情况进一步湿洗涤一气流的循序步骤。
    • 5. 发明专利
    • 液相沈積生產方法及裝置
    • 液相沉积生产方法及设备
    • TWI240763B
    • 2005-10-01
    • TW090111668
    • 2001-05-16
    • 財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 梁沐旺 LIANG, MUHWANG蔣邦民陳朝明黃振榮 HUANG, JENRONG葉清發
    • C23C
    • H01L21/67086H01L21/316Y10T137/4643Y10T137/4891Y10T137/5386Y10T137/5474Y10T137/8593Y10T307/779
    • 本發明係有關於一種液相沈積(LPD)生產方法及裝置,其主要構造包括一組飽和反應系統、一組穩流過飽和循環反應系統、一組溶液化學濃度自動監控系統,及一組廢液回收處理系統。其中飽和反應系統包含一只混合槽、兩只以上之原物料供給裝置、攪拌器、過濾裝置。穩流過飽和循環反應系統含一只過飽和反應槽、一只液位控制槽、兩只以上之反應劑供給裝置、攪拌器、過濾循環裝置。廢液回收處理系統包含兩只以上之廢液儲存槽。其中並搭配相關管路閥體控制元件。以本發明之裝置進行液相沈積生產方法,係先將兩種以上原物料,由飽和反應系統之原物料供給裝置加入混合槽,經攪拌反應、飽和、濾除多餘固體物,同時以穩流過飽和循環反應系統之循環邦浦為動力,送入穩流過飽和循環反應系統之過飽和反應槽。當過飽和反應槽充滿並溢流至液位控制槽,且液位控制槽液面達設定位置時,即停止飽和物料輸送,並切換管路控制元件至穩流過飽和循環反應系統獨立循環狀態。然後放置基板於過飽和反應槽,再由反應劑供給裝置加入反應劑於過飽和反應槽中,形成溶液過飽和現象即可在基板上產生鍍膜。反應中產生之顆粒狀雜質可由過濾循環裝置加以濾除,並由液位計與加熱器控制反應條件,即可維持鍍膜之品質。
    • 本发明系有关于一种液相沉积(LPD)生产方法及设备,其主要构造包括一组饱和反应系统、一组稳流过饱和循环反应系统、一组溶液化学浓度自动监控系统,及一组废液回收处理系统。其中饱和反应系统包含一只混合槽、两只以上之原物料供给设备、搅拌器、过滤设备。稳流过饱和循环反应系统含一只过饱和反应槽、一只液位控制槽、两只以上之反应剂供给设备、搅拌器、过滤循环设备。废液回收处理系统包含两只以上之废液存储槽。其中并搭配相关管路阀体控件。以本发明之设备进行液相沉积生产方法,系先将两种以上原物料,由饱和反应系统之原物料供给设备加入混合槽,经搅拌反应、饱和、滤除多余固体物,同时以稳流过饱和循环反应系统之循环邦浦为动力,送入稳流过饱和循环反应系统之过饱和反应槽。当过饱和反应槽充满并溢流至液位控制槽,且液位控制槽液面达设置位置时,即停止饱和物料输送,并切换管路控件至稳流过饱和循环反应系统独立循环状态。然后放置基板于过饱和反应槽,再由反应剂供给设备加入反应剂于过饱和反应槽中,形成溶液过饱和现象即可在基板上产生镀膜。反应中产生之颗粒状杂质可由过滤循环设备加以滤除,并由液位计与加热器控制反应条件,即可维持镀膜之品质。