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1. 发明专利

TW201702784A 電壓調節器（一）审中-公开
简体标题：电压调节器（一）
公开(公告)号：TW201702784A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105118375
申请日：2016-06-13
申请人：諾迪克半導體股份有限公司 , NORDIC SEMICONDUCTOR ASA
发明人：達爾漢斯O , DAHL, HANS OLA
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/575 , G05F1/468 , G05F1/565 , G05F3/262 , H03F3/345 , H03F3/45179 , H03F2203/45
摘要：一種低壓差電壓調節器包含：一差分放大器部位，包括連接至一參考電壓之一第一放大器輸入、一第二放大器輸入、及被該參考電壓及該第二放大器輸入上之一電壓之間之差所決定的一差分輸出；一輸出部位，被安排以提供被該放大器部位之該差分輸出所控制之一調節器輸出電壓，該第二放大器輸入被連接至該調節器輸出電壓或自其導出；及一偏壓部位，被安排以量測一外部負載電流及提供一偏壓電流給依賴該負載電流之該差分放大器部位。
简体摘要：一种低压差电压调节器包含：一差分放大器部位，包括连接至一参考电压之一第一放大器输入、一第二放大器输入、及被该参考电压及该第二放大器输入上之一电压之间之差所决定的一差分输出；一输出部位，被安排以提供被该放大器部位之该差分输出所控制之一调节器输出电压，该第二放大器输入被连接至该调节器输出电压或自其导出；及一偏压部位，被安排以量测一外部负载电流及提供一偏压电流给依赖该负载电流之该差分放大器部位。

2. 发明专利

TWI477944B 電流鏡有权
简体标题：电流镜
公开(公告)号：TWI477944B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW102136240
申请日：2013-10-07
申请人：威盛電子股份有限公司 , VIA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：李永勝 , LEE, YEONG-SHENG
IPC分类号： G05F3/26
CPC分类号： H03F3/345 , H03F3/45183 , H03F2200/91 , H03F2203/45674

3. 发明专利

TW201403622A 電流輸送電路审中-公开
简体标题：电流输送电路
公开(公告)号：TW201403622A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102104850
申请日：2013-02-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：芬卡達荷瑞敘納格 , VENKATA, HARISH NAGA
IPC分类号： G11C8/12
CPC分类号： G06F3/044 , H02J1/00 , H02J3/006 , H02J9/00 , H03F3/345 , H03K17/955
摘要：一種電流輸送電路，包含：第一電流傳送路徑；具有與第一電流傳送路徑相同之裝置之第二電流傳送路徑；以及用以控制第一電流傳送路徑與第二電流傳送路徑以進入普通模式或電流分離模式之至少一控制電路，其中在普通模式中，第一電流傳送路徑與第二電流傳送路徑都會被致能並能傳送電流，而在電流分離模式中，第一電流傳送路徑會被致能以傳送電流，但第二電流傳送路徑會被停用而無法傳送電流。
简体摘要：一种电流输送电路，包含：第一电流发送路径；具有与第一电流发送路径相同之设备之第二电流发送路径；以及用以控制第一电流发送路径与第二电流发送路径以进入普通模式或电流分离模式之至少一控制电路，其中在普通模式中，第一电流发送路径与第二电流发送路径都会被致能并能发送电流，而在电流分离模式中，第一电流发送路径会被致能以发送电流，但第二电流发送路径会被停用而无法发送电流。

4. 发明专利

TW200830548A 用以放大信號之方法與裝置 METHODS AND DEVICES FOR AMPLIFYING A SIGNAL 审中-公开
简体标题：用以放大信号之方法与设备 METHODS AND DEVICES FOR AMPLIFYING A SIGNAL
公开(公告)号：TW200830548A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096140763
申请日：2007-10-30
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：克恩斯道格拉斯 KERNS, DOUGLAS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/808 , H03F3/345
摘要：一種用於放大輸入信號的接面場效電晶體(JFET)裝置被揭露。該JFET裝置包括一個第一閘極區域和一個可以形成一個第二閘極區域的基體/井/體區域。該JFET裝置亦包括一個第一源極/汲極區域和一個第二源極/汲極區域。該第一源極/汲極區域可以接收一個輸入信號而且該第一閘極區域或該第二閘極區域會供應一個放大輸出信號。一個被供應越過該通道區域的電流會是實質上與被供應在該基體之體區域與閘極區域之間的電流無關。該裝置可以被構築來放大一個時間變化輸入信號俾可供應一個放大時間變化輸出信號。
简体摘要：一种用于放大输入信号的接面场效应管(JFET)设备被揭露。该JFET设备包括一个第一闸极区域和一个可以形成一个第二闸极区域的基体/井/体区域。该JFET设备亦包括一个第一源极/汲极区域和一个第二源极/汲极区域。该第一源极/汲极区域可以接收一个输入信号而且该第一闸极区域或该第二闸极区域会供应一个放大输出信号。一个被供应越过该信道区域的电流会是实质上与被供应在该基体之体区域与闸极区域之间的电流无关。该设备可以被构筑来放大一个时间变化输入信号俾可供应一个放大时间变化输出信号。

5. 发明专利

TW200630771A 厄力效應消除電路、差動放大器、線性調整器、及厄力效應消除方法 EARLY EFFECT CANCELING CIRCUIT, DIFFERENTIAL AMPLIFIER, LINEAR REGULATOR, AND EARLY EFFECT CANCELING METHOD 审中-公开
简体标题：厄力效应消除电路、差动放大器、线性调整器、及厄力效应消除方法 EARLY EFFECT CANCELING CIRCUIT, DIFFERENTIAL AMPLIFIER, LINEAR REGULATOR, AND EARLY EFFECT CANCELING METHOD
公开(公告)号：TW200630771A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW094115903
申请日：2005-05-17
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：木崎貴洋 KIZAKI, YOSHIHIRO , 安河內克之 YASUKOUCHI, KATSUYUKI , 伊藤秀信 ITO, HIDENOBU
IPC分类号： G05F , H03F , H02M
CPC分类号： G05F1/575 , H03F3/345 , H03F3/45273 , H03F2200/303 , H03F2200/91
摘要：在電流鏡電路之一輸入電晶體中，避免由厄力效應產生之電流出現在電流鏡電路之輸入電流中。厄力電壓偵測器22具有與驅動電路21相同之連接方式與架構，並且與驅動電路並聯，偵測流入厄力電壓偵測器22輸入電晶體Q9之電流。厄力電壓偵測器22之輸出電流(電流IQ11)加到驅動電路21之輸入電流(電流IQ5)。因此在電流鏡電路25之輸入電流(電流IQ7)中，由厄力電壓效應產生之電流α得以消除。同時可以避免厄力電壓效應在電流鏡電路輸入電晶體Q5產生之電流α出現在電流鏡電路25之輸出電流(電流IQ8)中。
简体摘要：在电流镜电路之一输入晶体管中，避免由厄力效应产生之电流出现在电流镜电路之输入电流中。厄力电压侦测器22具有与驱动电路21相同之连接方式与架构，并且与驱动电路并联，侦测流入厄力电压侦测器22输入晶体管Q9之电流。厄力电压侦测器22之输出电流(电流IQ11)加到驱动电路21之输入电流(电流IQ5)。因此在电流镜电路25之输入电流(电流IQ7)中，由厄力电压效应产生之电流α得以消除。同时可以避免厄力电压效应在电流镜电路输入晶体管Q5产生之电流α出现在电流镜电路25之输出电流(电流IQ8)中。

6. 发明专利

TW200625048A 源極隨耦器及其穩定電流回授電路 SOURCE FOLLOWER AND STABILIZING CURRENT FEEDBACK CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题：源极随耦器及其稳定电流回授电路 SOURCE FOLLOWER AND STABILIZING CURRENT FEEDBACK CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200625048A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW093139232
申请日：2004-12-16
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：杜全平 TU, CHUAN-PING
IPC分类号： G05F
CPC分类号： H03F1/34 , H03F1/3205 , H03F3/345 , H03F3/347 , H03F3/505 , H03F2200/135
摘要：一種穩定電流回授電路，用於一源極隨耦器中。源極隨耦器包括第一MOS電晶體及一電流鏡。第一MOS電晶體之閘極接收一輸入訊號，其源極輸出一輸出訊號，且一汲極電流係流過第一MOS電晶體。電流鏡係根據一加成電流，以產生汲極電流。穩定電流回授電路係用以使汲極電流實質上等於固定值。穩定電流回授電路包括被動元件及放大器。被動元件具第一端及第二端，對應電流係流經被動元件，於第二端產生一誤差電壓，對應電流之大小係隨著汲極電流之大小而改變。放大器係根據誤差電壓及參考電壓輸出參考訊號，以調整加成電流之大小。
简体摘要：一种稳定电流回授电路，用于一源极随耦器中。源极随耦器包括第一MOS晶体管及一电流镜。第一MOS晶体管之闸极接收一输入信号，其源极输出一输出信号，且一汲极电流系流过第一MOS晶体管。电流镜系根据一加成电流，以产生汲极电流。稳定电流回授电路系用以使汲极电流实质上等于固定值。稳定电流回授电路包括被动组件及放大器。被动组件具第一端及第二端，对应电流系流经被动组件，于第二端产生一误差电压，对应电流之大小系随着汲极电流之大小而改变。放大器系根据误差电压及参考电压输出参考信号，以调整加成电流之大小。

7. 发明专利

TW200303645A 半導體積體電路裝置审中-公开
简体标题：半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW200303645A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091133951
申请日：2002-11-21
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立超愛爾愛斯愛系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEM CO., LTD
发明人：齊藤良和
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/34 , G05F1/56 , G05F1/565 , G11C5/147 , H03F3/345 , H03F3/45179 , H03F2200/513 , H03F2203/45458
摘要：本發明之目的在於提供具有可有效地響應電源電壓之變動而實現輸出電壓之穩定化之負反饋放大電路、或降壓電路之半導體積體電路裝置。對差動放大MOSFET通以利用定電流源設定耗電流之偏壓電流，在外部電源電壓與特定之電路節點之間設置電容器，利用上述電容器檢知外部電源電壓之降低，依據此種外部電源變動，利用通至電容器之電流，增大上述差動放大MOSFET之動作電流，藉以施行可應付外部電源電壓之降低之輸出電壓之穩定化動作。
简体摘要：本发明之目的在于提供具有可有效地响应电源电压之变动而实现输出电压之稳定化之负反馈放大电路、或降压电路之半导体集成电路设备。对差动放大MOSFET通以利用定电流源设置耗电流之偏压电流，在外部电源电压与特定之电路节点之间设置电容器，利用上述电容器检知外部电源电压之降低，依据此种外部电源变动，利用通至电容器之电流，增大上述差动放大MOSFET之动作电流，借以施行可应付外部电源电压之降低之输出电压之稳定化动作。

8. 发明专利

TW516211B 電流源電路失效
简体标题：电流源电路
公开(公告)号：TW516211B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW090123009
申请日：2001-09-19
申请人：東芝股份有限公司
发明人：池橋民雄
IPC分类号： G05F , H03F , H01L
CPC分类号： G05F3/242 , H03F3/345
摘要：本發明係一種電流源電路，其係包含：第一電流路徑，其係從第一電流源透過第一端子，將第一電流供給至第一電路者，該第一電路係由具有一特定電壓一電流特性之元件所構成者；及第二電流路徑，其係從具有與前述第一電流源相同電流供給能力之第二電流源透過第二端子，將第二電流供給至第二電路者，該第二電路係由具有與前述第一電路元件之電壓一電流特性相異之電壓一電流特性，且電壓、電流兩特性曲線相交之元件所構成者。此外，該電流限流電路更包含：第三電路，其係一與前述第一端子連接，且從前述第一端子移除電流者；及第四電路，其係與前述第二端子連接，從前述第二端子移除與前述第三電路同值電流者。藉由前述第三、第四電路各別從第一，第二端子移除過多電流，以使前述第一、第二電流相等。
简体摘要：本发明系一种电流源电路，其系包含：第一电流路径，其系从第一电流源透过第一端子，将第一电流供给至第一电路者，该第一电路系由具有一特定电压一电流特性之组件所构成者；及第二电流路径，其系从具有与前述第一电流源相同电流供给能力之第二电流源透过第二端子，将第二电流供给至第二电路者，该第二电路系由具有与前述第一电路组件之电压一电流特性相异之电压一电流特性，且电压、电流两特性曲线相交之组件所构成者。此外，该电流限流电路更包含：第三电路，其系一与前述第一端子连接，且从前述第一端子移除电流者；及第四电路，其系与前述第二端子连接，从前述第二端子移除与前述第三电路同值电流者。借由前述第三、第四电路各别从第一，第二端子移除过多电流，以使前述第一、第二电流相等。

9. 发明专利

TW349264B 連續時間濾波之方法及裝置失效
简体标题：连续时间滤波之方法及设备
公开(公告)号：TW349264B
公开(公告)日：1999-01-01
申请号：TW086108310
申请日：1997-06-16
申请人： LM艾瑞克生電話公司
发明人：譚南湘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03F3/345 , H03F2200/331 , H03H11/04
摘要：在數位互補式金半導體(CMOS)製程中，既無電阻也無線性電容器可以運用，而利用傳統方式來設計連續時間濾波器(continuous-time filters)是不可能的或者就是不實際的；因此，當在數位互補式金氧半導體製程中設計取樣資料系統(sampled data system)來達成在電壓到電流轉換器(voltage-to-cruuent converter)中的濾波功能：該極頻率則由金氧半電晶體(6)的互導(transconductance)和在它的閘極(gate)所看到電容(8)的電容值來決定。在這個應用中，提出一個在數位互補式金氧半導體製程中設計連續時間濾波器的一般化方法以及串接方法，來減少極點頻率的擴散。
简体摘要：在数码互补式金半导体(CMOS)制程中，既无电阻也无线性电容器可以运用，而利用传统方式来设计连续时间滤波器(continuous-time filters)是不可能的或者就是不实际的；因此，当在数码互补式金属氧化物半导体制程中设计采样数据系统(sampled data system)来达成在电压到电流转换器(voltage-to-cruuent converter)中的滤波功能：该极频率则由金氧半晶体管(6)的互导(transconductance)和在它的闸极(gate)所看到电容(8)的电容值来决定。在这个应用中，提出一个在数码互补式金属氧化物半导体制程中设计连续时间滤波器的一般化方法以及串接方法，来减少极点频率的扩散。

10. 发明专利

TWI610065B 緩衝直接注入(BDI)讀出電路及成像系統有权
简体标题：缓冲直接注入(BDI)读出电路及成像系统
公开(公告)号：TWI610065B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103117250
申请日：2014-05-15
申请人：無限傳感有限公司 , SENSORS UNLIMITED, INC.
发明人：林敏隆 , LIN, MINLONG
IPC分类号： G01J1/44 , H04N5/00
CPC分类号： H03F3/345 , H01L27/14649 , H03F3/082 , H03F2200/261 , H03F2200/78 , H04N5/33 , H04N5/374 , H04N5/3745

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