基本信息:
- 专利标题： 半導體積體電路裝置
- 专利标题（英）：Semiconductor integrated circuit apparatus
- 专利标题（中）：半导体集成电路设备
- 申请号：TW091133951 申请日：2002-11-21
- 公开(公告)号：TW200303645A 公开(公告)日：2003-09-01
- 发明人： 齊藤良和
- 申请人： 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立超愛爾 愛斯 愛 系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEM CO., LTD
- 申请人地址： 日本 日本
- 专利权人： 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.,日立超愛爾 愛斯 愛 系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEM CO., LTD
- 当前专利权人： 日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.,日立超愛爾 愛斯 愛 系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEM CO., LTD
- 当前专利权人地址： 日本 日本
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 日本 2001-391235 20011225
- 主分类号： H03F
- IPC分类号： H03F
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit apparatus that has a negative feedback amplification circuit or a voltage descending circuit for effectively responding to the fluctuations of power source voltage and realizing the stabilization of output voltage. A bias current with its consumption current set by a constant current source is flowing through the differential amplification MOSFET. A capacitor, which is used to detect the decrease of external power source voltage, is disposed between the external power source voltage and the specified circuit node. According to the external power source fluctuations and using the current flowing through a capacitor, the operation current of the differential amplification MOSFET is increased so as to make it possible to conduct a stabilizing operation onto the output voltage to handle the decrease of the external power source voltage.
公开/授权文献:
- TWI295879B 半導體積體電路裝置 公开/授权日：2008-04-11