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    • 5. 发明专利
    • 超線性高頻跨導結構
    • 超线性高频跨导结构
    • TW527765B
    • 2003-04-11
    • TW090110865
    • 2001-07-17
    • 英特系爾公司
    • 布崙特 梅爾斯朗克修 岡提
    • H03F
    • H03F3/45937H03F3/45511H03F2203/45356H03F2203/45394H03F2203/45404H03F2203/45418
    • 一跨導體區塊,其具有一Czarnul調諧網路、跨導電阻器、一輸入電壓隨耦放大器、一共同模式電路、耦接成串接結構之PMOS電晶體、一輸入電流源、及一於輸出驅動 NMOS電晶體之高增益放大器。該輸入電壓隨耦放大器係接收一差動輸入信號,其具有一共同模式電壓及施加該差動輸入信號至該Czarnul調諧網路。該Czarnul調諧網路具有串列電阻器且並聯耦合於跨導電阻器。該共同模式電路係接收該差動輸入信號及一參考共同模式電壓,並提供一偏壓電壓及一共同模式回授電壓。該共同模式電路係確保該共同模式回授電壓至該等輸出PMOS電晶體,藉以建立一直流(DC)輸出電流及最小化該跨導體區塊之共同模式電壓漂移。另外,該偏壓電壓係由該共同模式信號位準平移。該高增益放大器係維持該Czarnul調諧網路及跨導電阻器之輸出於該偏壓電壓。
    • 一跨导体区块,其具有一Czarnul调谐网络、跨导电阻器、一输入电压随耦放大器、一共同模式电路、耦接成串接结构之PMOS晶体管、一输入电流源、及一于输出驱动 NMOS晶体管之高增益放大器。该输入电压随耦放大器系接收一差动输入信号,其具有一共同模式电压及施加该差动输入信号至该Czarnul调谐网络。该Czarnul调谐网络具有串行电阻器且并联耦合于跨导电阻器。该共同模式电路系接收该差动输入信号及一参考共同模式电压,并提供一偏压电压及一共同模式回授电压。该共同模式电路系确保该共同模式回授电压至该等输出PMOS晶体管,借以创建一直流(DC)输出电流及最小化该跨导体区块之共同模式电压漂移。另外,该偏压电压系由该共同模式信号位准平移。该高增益放大器系维持该Czarnul调谐网络及跨导电阻器之输出于该偏压电压。