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1. 发明专利

TW200849805A 具有寬頻阻抗和雜訊匹配之頻率選擇性放大器 FREQUENCY SELECTIVE AMPLIFIER WITH WIDE-BAND IMPEDANCE AND NOISE MATCHING 审中-公开
简体标题：具有宽带阻抗和噪声匹配之频率选择性放大器 FREQUENCY SELECTIVE AMPLIFIER WITH WIDE-BAND IMPEDANCE AND NOISE MATCHING
公开(公告)号：TW200849805A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097108421
申请日：2008-03-10
申请人：高通公司 QUALCOMM INCORPORATED
发明人：金泰武 KIM, TAE WOOK , 肯尼士查爾斯巴奈特 BARNETT, KENNETH CHARLES
IPC分类号： H03F , H04B
CPC分类号： H03F1/56 , H03F3/45188 , H03F2203/45296 , H03F2203/45316 , H03F2203/45511 , H03F2203/45512 , H03F2203/45704 , H03H11/1291
摘要：本揭示係關於一種具有寬頻阻抗與雜訊匹配之頻率選擇性低雜訊放大器(LNA)。該等LNA包括一支援寬頻帶輸入匹配之閉環電路。舉例而言,該閉環電路可經組態以阻抗匹配一輸入信號並提供一低雜訊指數。此外,該LNA可包括一放大該輸入信號並提供一高輸出阻抗之開環電路。該開環電路可進一步包括一濾除在一所期望頻帶外之頻率之選擇性濾波器。該LNA可經由該開環電路驅動一可調諧帶通濾波器。
简体摘要：本揭示系关于一种具有宽带阻抗与噪声匹配之频率选择性低噪声放大器(LNA)。该等LNA包括一支持宽带带输入匹配之闭环电路。举例而言,该闭环电路可经组态以阻抗匹配一输入信号并提供一低噪声指数。此外,该LNA可包括一放大该输入信号并提供一高输出阻抗之开环电路。该开环电路可进一步包括一滤除在一所期望频带外之频率之选择性滤波器。该LNA可经由该开环电路驱动一可调谐带通滤波器。

2. 发明专利

TW200840207A 具有交叉耦合電容之差動迴授放大電路失效
简体标题：具有交叉耦合电容之差动回授放大电路
公开(公告)号：TW200840207A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096111185
申请日：2007-03-30
申请人：其樂達科技股份有限公司 CHEERTEK INC.
发明人：蘇東銘 SU, TUNG MING , 林濬哲
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/3211 , H03F1/483 , H03F2200/36 , H03F2203/45018 , H03F2203/45134 , H03F2203/45288 , H03F2203/45296 , H03F2203/45318 , H03F2203/45528 , H03F2203/45722
摘要：一種具有交叉耦合電容之差動迴授放大電路,係將源極隨耦器之第一、第二輸入端分別耦接於差動放大器的第一、第二輸出端,並於源極隨耦器之第一輸出端與差動放大器之第一輸入端之間,以及源極隨耦器之第二輸出端與差動放大器之第二輸入端之間,分別耦接一電阻,以形成迴授回路。此外,於源極隨耦器之第一端電流源閘極與源極隨耦器之第二輸入端之間,以及源極隨耦器之第二端電流源閘極與源極隨耦器之第一輸入端之間,則分別耦接一電容,以提升電路之頻寬與增益。
简体摘要：一种具有交叉耦合电容之差动回授放大电路,系将源极随耦器之第一、第二输入端分别耦接于差动放大器的第一、第二输出端,并于源极随耦器之第一输出端与差动放大器之第一输入端之间,以及源极随耦器之第二输出端与差动放大器之第二输入端之间,分别耦接一电阻,以形成回授回路。此外,于源极随耦器之第一端电流源闸极与源极随耦器之第二输入端之间,以及源极随耦器之第二端电流源闸极与源极随耦器之第一输入端之间,则分别耦接一电容,以提升电路之带宽与增益。

3. 发明专利

TWI334690B 電流控制矽互補金屬氧化物半導體寬帶資料放大器電路 CURRENT-CONTROLLED CMOS (C3MOS) WIDEBAND INPUT DATA AMPLIFIER FOR REDUCED DIFFERENTIAL AND COMMONMODE REFLECTION 有权
简体标题：电流控制硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路 CURRENT-CONTROLLED CMOS (C3MOS) WIDEBAND INPUT DATA AMPLIFIER FOR REDUCED DIFFERENTIAL AND COMMONMODE REFLECTION
公开(公告)号：TWI334690B
公开(公告)日：2010-12-11
申请号：TW095127713
申请日：2006-07-28
申请人：美國博通公司
发明人：曹軍
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/601 , C08G61/02 , C08G61/124 , C08G61/126 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/145 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/1483 , C09K2211/1491 , C09K2211/186 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/0095 , H01L51/5293 , H03F1/42 , H03F3/195 , H03F3/45183 , H03F3/45632 , H03F3/45704 , H03F2200/36 , H03F2203/45084 , H03F2203/45118 , H03F2203/45296 , H03F2203/45318 , H03F2203/45332 , H03F2203/45418 , H03F2203/45466 , H03F2203/45512 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45638 , H03F2203/45702 , H05B33/14
摘要：本發明涉及一種用於减小差分和共模反射的電流控制CMOS (C3MOS)寬帶輸入資料放大器。本發明公開了一種新的解決方案，通過該方案可以在介面處獲得更好的阻抗匹配和擴展帶寬、以提高高頻增益，所述介面是應用於通信設備之中的矽片與封裝和/或電路板之間的介面。恰當選擇的阻抗使差分和共模阻抗顯著較小，同時增加較高頻段的增益。所述新的解決方案可以在使用相對較小的迹線和元件的同時避免使用小的迹線和元件時的反射增强的不良影響。通過允許使用這些小的迹線和元件，在提供良好的反射和頻率相應特性的同時，能量消耗和整個設備尺寸也將顯著减小。
简体摘要：本发明涉及一种用于减小差分和共模反射的电流控制CMOS (C3MOS)宽带输入数据放大器。本发明公开了一种新的解决方案，通过该方案可以在界面处获得更好的阻抗匹配和扩展带宽、以提高高频增益，所述界面是应用于通信设备之中的硅片与封装和/或电路板之间的界面。恰当选择的阻抗使差分和共模阻抗显着较小，同时增加较高频段的增益。所述新的解决方案可以在使用相对较小的迹线和组件的同时避免使用小的迹线和组件时的反射增强的不良影响。通过允许使用这些小的迹线和组件，在提供良好的反射和频率相应特性的同时，能量消耗和整个设备尺寸也将显着减小。

4. 发明专利

TW465177B 夾鉗式調整型串級增益放大器電路有权
简体标题：夹钳式调整型串级增益放大器电路
公开(公告)号：TW465177B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089114317
申请日：2000-07-18
申请人：原相科技股份有限公司
发明人：謝志成
IPC分类号： H03G
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F2203/45292 , H03F2203/45296 , H03F2203/45314 , H03F2203/45356 , H03F2203/45631 , H03F2203/45636 , H03F2203/45641 , H03F2203/45651 , H03F2203/45682
摘要：一種夾鉗式調整型串級增益放大器電路，具有正支線、負支線、兩個輔助放大器與夾鉗結構。其中正支線具有一個正輸出，而負支線具有一個負輸出。正負支線分別具有一個串級電晶體架構，其中的電晶體則以串級的方式連接。兩個輔助放大器則分別具有一個正輸入端、一個負輸入端、一個正偏壓輸出端與一個負偏壓輸出端。夾鉗結構則具有第一二極體與第二二極體，且此第一二極體前端電性耦接至第二二極體之尾端，第二二極體之前端則電性耦接至第一二極體之尾端。此外，兩輔助放大器上分別耦接有此夾鉗結構，且正偏壓輸出端與負偏壓輸出端分別耦接至相對應之夾鉗結構中的二極體的兩端。
简体摘要：一种夹钳式调整型串级增益放大器电路，具有正支线、负支线、两个辅助放大器与夹钳结构。其中正支线具有一个正输出，而负支线具有一个负输出。正负支线分别具有一个串级晶体管架构，其中的晶体管则以串级的方式连接。两个辅助放大器则分别具有一个正输入端、一个负输入端、一个正偏压输出端与一个负偏压输出端。夹钳结构则具有第一二极管与第二二极管，且此第一二极管前端电性耦接至第二二极管之尾端，第二二极管之前端则电性耦接至第一二极管之尾端。此外，两辅助放大器上分别耦接有此夹钳结构，且正偏压输出端与负偏压输出端分别耦接至相对应之夹钳结构中的二极管的两端。

5. 发明专利

TWI330934B 具有交叉耦合電容之差動迴授放大電路失效
简体标题：具有交叉耦合电容之差动回授放大电路
公开(公告)号：TWI330934B
公开(公告)日：2010-09-21
申请号：TW096111185
申请日：2007-03-30
申请人：聯詠科技股份有限公司
发明人：蘇東銘 , 林濬哲
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/3211 , H03F1/483 , H03F2200/36 , H03F2203/45018 , H03F2203/45134 , H03F2203/45288 , H03F2203/45296 , H03F2203/45318 , H03F2203/45528 , H03F2203/45722
摘要：一種具有交叉耦合電容之差動迴授放大電路，係將源極隨耦器之第一、第二輸入端分別耦接於差動放大器的第一、第二輸出端，並於源極隨耦器之第一輸出端與差動放大器之第一輸入端之間，以及源極隨耦器之第二輸出端與差動放大器之第二輸入端之間，分別耦接一電阻，以形成迴授回路。此外，於源極隨耦器之第一端電流源閘極與源極隨耦器之第二輸入端之間，以及源極隨耦器之第二端電流源閘極與源極隨耦器之第一輸入端之間，則分別耦接一電容，以提升電路之頻寬與增益。
简体摘要：一种具有交叉耦合电容之差动回授放大电路，系将源极随耦器之第一、第二输入端分别耦接于差动放大器的第一、第二输出端，并于源极随耦器之第一输出端与差动放大器之第一输入端之间，以及源极随耦器之第二输出端与差动放大器之第二输入端之间，分别耦接一电阻，以形成回授回路。此外，于源极随耦器之第一端电流源闸极与源极随耦器之第二输入端之间，以及源极随耦器之第二端电流源闸极与源极随耦器之第一输入端之间，则分别耦接一电容，以提升电路之带宽与增益。

6. 发明专利

TW200903989A 具有主動後失真線性化之差動放大器 DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH ACTIVE POST-DISTORTION LINEARIZATION 审中-公开
简体标题：具有主动后失真线性化之差动放大器 DIFFERENTIAL AMPLIFIER WITH ACTIVE POST-DISTORTION LINEARIZATION
公开(公告)号：TW200903989A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097112370
申请日：2008-04-03
申请人：高通公司 QUALCOMM INCORPORATED
发明人：金那蘇 KIM, NAMSOO , 肯尼士查爾斯巴奈特 BARNETT, KENNETH CHARLES , 福拉迪米爾阿帕林 APARIN, VLADIMIR
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/3211 , H03F1/22 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/3276 , H03F3/45188 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/456 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2203/45296 , H03F2203/45311 , H03F2203/45352 , H03F2203/45386 , H03F2203/45481 , H04B1/525
摘要：本發明提供一種具有良好線性及雜訊效能之差動放大器,其包括一第一側,該第一側包括第一、第二、第三及第四電晶體及一電感器。該第一及該第二電晶體經耦接為一第一疊接對,且該第三及該第四電晶體經耦接為一第二疊接對。該第三電晶體使其閘極耦接至該第二電晶體之源極,且該第四電晶體使其汲極耦接至該第二電晶體之汲極。該第一電晶體提供信號放大。該第二電晶體提供負載隔離且產生一用於該第三電晶體之中間信號。該第三電晶體產生用於抵消由該第一電晶體所產生之三階失真分量的失真分量。該電感器提供用於該第一電晶體之源極退化且改良失真抵消。選擇該第二及該第三電晶體之尺寸以減少增益損失且達成用於該放大器之良好線性。該差動放大器亦可包括一第二側,該第二側類似於該第一側起作用。
简体摘要：本发明提供一种具有良好线性及噪声性能之差动放大器,其包括一第一侧,该第一侧包括第一、第二、第三及第四晶体管及一电感器。该第一及该第二晶体管经耦接为一第一叠接对,且该第三及该第四晶体管经耦接为一第二叠接对。该第三晶体管使其闸极耦接至该第二晶体管之源极,且该第四晶体管使其汲极耦接至该第二晶体管之汲极。该第一晶体管提供信号放大。该第二晶体管提供负载隔离且产生一用于该第三晶体管之中间信号。该第三晶体管产生用于抵消由该第一晶体管所产生之三阶失真分量的失真分量。该电感器提供用于该第一晶体管之源极退化且改良失真抵消。选择该第二及该第三晶体管之尺寸以减少增益损失且达成用于该放大器之良好线性。该差动放大器亦可包括一第二侧,该第二侧类似于该第一侧起作用。

7. 发明专利

TW200845568A 具有整合式濾波器之放大器 AMPLIFIER WITH INTEGRATED FILTER 审中-公开
简体标题：具有集成式滤波器之放大器 AMPLIFIER WITH INTEGRATED FILTER
公开(公告)号：TW200845568A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097106276
申请日：2008-02-22
申请人：高通公司 QUALCOMM INCORPORATED
发明人：金泰武 KIM, TAE WOOK , 蓋凱曼斯 KLEMENS, GUY , 肯尼斯查爾斯巴尼特 BARNETT, KENNETH CHARLES , 蘇珊塔桑古皮塔 SENGUPTA, SUSANTA , 格克瓦賽恩薩赫塔 SAHOTA, GURKANWAL SINGH
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/195 , H03F3/45188 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/168 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2203/45034 , H03F2203/45058 , H03F2203/45138 , H03F2203/45296 , H03F2203/45301 , H03F2203/45316 , H03F2203/45396 , H03F2203/7239 , H03G1/0017 , H03G1/0029 , H03G1/0088 , H03G3/3052 , H03G3/3078
摘要：本發明描述一種具有整合式濾波器之放大器(例如,一LNA)。在一個設計中,該放大器可包括一增益級、一濾波級及一緩衝級。該增益級可提供用於一輸入信號之信號放大。該濾波級可提供用於輸入信號之濾波。該緩衝級可緩衝一來自濾波級之濾波信號。該放大器可進一步包括一第二濾波級及一第二緩衝級。該第二濾波級可提供用於輸入信號之額外濾波。該第二緩衝級可緩衝一來自該第二濾波級之第二濾波信號。所有該等級可堆疊並耦接於一供應電壓與電路接地之間。該(等)濾波級可實施一橢圓形低通濾波器。每一濾波級可包括並聯耦接並形成一諧振器槽以衰減干擾信號的一電感器及一電容器。
简体摘要：本发明描述一种具有集成式滤波器之放大器(例如,一LNA)。在一个设计中,该放大器可包括一增益级、一滤波级及一缓冲级。该增益级可提供用于一输入信号之信号放大。该滤波级可提供用于输入信号之滤波。该缓冲级可缓冲一来自滤波级之滤波信号。该放大器可进一步包括一第二滤波级及一第二缓冲级。该第二滤波级可提供用于输入信号之额外滤波。该第二缓冲级可缓冲一来自该第二滤波级之第二滤波信号。所有该等级可堆栈并耦接于一供应电压与电路接地之间。该(等)滤波级可实施一椭圆形低通滤波器。每一滤波级可包括并联耦接并形成一谐振器槽以衰减干扰信号的一电感器及一电容器。

8. 发明专利

TW200721663A 電流控制矽互補金屬氧化物半導體寬帶資料放大器電路 CURRENT-CONTROLLED CMOS (C3MOS) WIDEBAND INPUT DATA AMPLIFIER FOR REDUCED DIFFERENTIAL AND COMMONMODE REFLECTION 审中-公开
简体标题：电流控制硅互补金属氧化物半导体宽带数据放大器电路 CURRENT-CONTROLLED CMOS (C3MOS) WIDEBAND INPUT DATA AMPLIFIER FOR REDUCED DIFFERENTIAL AND COMMONMODE REFLECTION
公开(公告)号：TW200721663A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095127713
申请日：2006-07-28
申请人：美國博通公司 BROADCOM CORPORATION
发明人：曹軍 JUN CAO
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/601 , C08G61/02 , C08G61/124 , C08G61/126 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/145 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/1483 , C09K2211/1491 , C09K2211/186 , H01L51/0039 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/0095 , H01L51/5293 , H03F1/42 , H03F3/195 , H03F3/45183 , H03F3/45632 , H03F3/45704 , H03F2200/36 , H03F2203/45084 , H03F2203/45118 , H03F2203/45296 , H03F2203/45318 , H03F2203/45332 , H03F2203/45418 , H03F2203/45466 , H03F2203/45512 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45638 , H03F2203/45702 , H05B33/14
摘要：本發明涉及一種用於減小差分和共模反射的電流控制CMOS(C3MOS)寬帶輸入資料放大器。本發明公開了一種新的解決方案,通過該方案可以在介面處獲得更好的阻抗匹配和擴展帶寬、以提高高頻增益,所述介面是應用於通信設備之中的矽片與封裝和/或電路板之間的介面。恰當選擇的阻抗使差分和共模阻抗顯著較小,同時增加較高頻段的增益。所述新的解決方案可以在使用相對較小的線和元件的同時避免使用小的線和元件時的反射增强的不良影響。通過允許使用這些小的線和元件,在提供良好的反射和頻率相應特性的同時,能量消耗和整個設備尺寸也將顯著減小。
简体摘要：本发明涉及一种用于减小差分和共模反射的电流控制CMOS(C3MOS)宽带输入数据放大器。本发明公开了一种新的解决方案,通过该方案可以在界面处获得更好的阻抗匹配和扩展带宽、以提高高频增益,所述界面是应用于通信设备之中的硅片与封装和/或电路板之间的界面。恰当选择的阻抗使差分和共模阻抗显着较小,同时增加较高频段的增益。所述新的解决方案可以在使用相对较小的线和组件的同时避免使用小的线和组件时的反射增强的不良影响。通过允许使用这些小的线和组件,在提供良好的反射和频率相应特性的同时,能量消耗和整个设备尺寸也将显着减小。

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