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1. 发明专利

TW201613256A 單端放大器及其雜訊消除方法审中-公开
简体标题：单端放大器及其噪声消除方法
公开(公告)号：TW201613256A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104123396
申请日：2015-07-20
申请人：晨星半導體股份有限公司 , MSTAR SEMICONDUCTOR, INC
发明人：南超州 , NAN, CHAO-ZHOU , 鄧俊雄 , DENG, JUN-XIONG
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/301 , H03F3/16 , H03F2200/108 , H03F2200/135 , H03F2200/18 , H03F2200/372 , H03F2200/459 , H03F2200/492 , H03F2200/78
摘要：一種單端放大器及其雜訊消除方法。單端放大器包括雜訊去除電路，連接於電源，用於接收電源信號並去除電源信號中的部分紋波和雜訊，產生一初始信號；放大電路用於在放大電路的第一端接收初始信號，並將初始信號放大後在第二端產生第一信號，第一傳輸電路接收電源信號，在放大電路第二端產生第二信號，第一信號和第二信號疊加後輸出以去除電源信號中的大部分紋波和雜訊；其中，雜訊去除電路包括第一電容和第一扼流圈，第一電容的一端連接電源信號，另一端耦接放大電路的第一端，並通過第一扼流圈接地。
简体摘要：一种单端放大器及其噪声消除方法。单端放大器包括噪声去除电路，连接于电源，用于接收电源信号并去除电源信号中的部分纹波和噪声，产生一初始信号；放大电路用于在放大电路的第一端接收初始信号，并将初始信号放大后在第二端产生第一信号，第一传输电路接收电源信号，在放大电路第二端产生第二信号，第一信号和第二信号叠加后输出以去除电源信号中的大部分纹波和噪声；其中，噪声去除电路包括第一电容和第一扼流圈，第一电容的一端连接电源信号，另一端耦接放大电路的第一端，并通过第一扼流圈接地。

2. 发明专利

TWI344263B 低雜訊放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER 有权
简体标题：低噪声放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TWI344263B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW097102784
申请日：2008-01-25
申请人：國立臺灣大學
发明人：鄧平援 , 江簡富
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0205 , H03F1/565 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/255 , H03F2200/294 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03F2200/492
摘要：一種低雜訊放大器，係包括第一、第二、第三級放大器、輸入匹配網路、中間級匹配網路、以及輸出匹配網路，其中，輸入匹配網路之阻抗係與第一級放大器之輸入阻抗共軛匹配，以降低系統功效消耗及雜訊係數，並由三級放大器串接提升系統增益。
简体摘要：一种低噪声放大器，系包括第一、第二、第三级放大器、输入匹配网络、中间级匹配网络、以及输出匹配网络，其中，输入匹配网络之阻抗系与第一级放大器之输入阻抗共轭匹配，以降低系统功效消耗及噪声系数，并由三级放大器串接提升系统增益。

3. 发明专利

TW201032466A 具有改良靜電放電保護電路之放大器 AMPLIFIER WITH IMPROVED ESD PROTECTION CIRCUITRY 审中-公开
简体标题：具有改良静电放电保护电路之放大器 AMPLIFIER WITH IMPROVED ESD PROTECTION CIRCUITRY
公开(公告)号：TW201032466A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：TW098136713
申请日：2009-10-29
申请人：高通公司
发明人：瓦雷尤金R
IPC分类号： H03F , H02H
CPC分类号： H03F1/523 , H01L27/0255 , H03F3/195 , H03F3/45183 , H03F2200/294 , H03F2200/441 , H03F2200/444 , H03F2200/492 , H03F2203/45314 , H03F2203/45386 , H03F2203/45568
摘要：本發明描述一種具有經改良ESD保護電路之放大器(例如,一LNA)。在一例示性設計中,該放大器包括一電晶體、一電感器及一箝位電路。該電晶體具有一耦接至一襯墊之閘極且為該放大器提供信號放大。該電感器耦接至該電晶體之一源極且為該電晶體提供源極退化。該箝位電路耦接於該電晶體之該閘極與該源極之間且為該電晶體提供ESD保護。該箝位電路可包括耦接於該電晶體之該閘極與該源極之間的至少一二極體。當將一大電壓脈衝施加至該襯墊時,該箝位電路傳導電流通過該電感器以產生一跨越該電感器之電壓降。該電晶體之閘極對源極電壓(Vgs)係以跨越該電感器之該電壓降減小,此可改良該電晶體之可靠性。
简体摘要：本发明描述一种具有经改良ESD保护电路之放大器(例如,一LNA)。在一例示性设计中,该放大器包括一晶体管、一电感器及一箝位电路。该晶体管具有一耦接至一衬垫之闸极且为该放大器提供信号放大。该电感器耦接至该晶体管之一源极且为该晶体管提供源极退化。该箝位电路耦接于该晶体管之该闸极与该源极之间且为该晶体管提供ESD保护。该箝位电路可包括耦接于该晶体管之该闸极与该源极之间的至少一二极管。当将一大电压脉冲施加至该衬垫时,该箝位电路传导电流通过该电感器以产生一跨越该电感器之电压降。该晶体管之闸极对源极电压(Vgs)系以跨越该电感器之该电压降减小,此可改良该晶体管之可靠性。

4. 发明专利

TWI383581B 功率放大器和其功率放大方法有权
公开(公告)号：TWI383581B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW096107631
申请日：2007-03-06
申请人：威盛電子股份有限公司 , VIA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：廖哲宏 , LIAO, CHEHUNG , 劉榮昌 , LIU, LUNG CHANG , 曾英哲 , TSENG, YING CHE , 施迪民 , DID-MIN SHIH
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/083 , H03F1/3205 , H03F3/191 , H03F2200/181 , H03F2200/492

5. 发明专利

TW201019592A 可將主動單端訊號轉換成差分訊號的互補式低雜訊轉導器 COMPLEMENTARY LOW NOISE TRANSCONDUCTOR WITH ACTIVE SINGLE ENDED TO DIFFERENTIAL SIGNAL CONVERSION 审中-公开
简体标题：可将主动单端信号转换成差分信号的互补式低噪声转导器 COMPLEMENTARY LOW NOISE TRANSCONDUCTOR WITH ACTIVE SINGLE ENDED TO DIFFERENTIAL SIGNAL CONVERSION
公开(公告)号：TW201019592A
公开(公告)日：2010-05-16
申请号：TW098125350
申请日：2009-07-28
申请人：馬維爾世界貿易股份有限公司
发明人：羅希帕歐羅
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/45071 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/45179 , H03F3/68 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F2203/45221 , H03F2203/45681
摘要：本發明提供可將單端訊號轉換為差分訊號的系統及方法。從一低雜訊放大器的輸入端接收一單端電壓訊號。該單端電壓訊號可耦合至一第一輸入區間來將該單端電壓訊號的來源阻抗與一預定的輸出阻抗作匹配。具有預定輸出阻抗的該單端電壓訊號可作為一第一電壓訊號輸出至一第一轉換區間。提供一輸入偏壓至該第一轉換區間以偏壓該第一電壓訊號。已偏壓的該第一電壓訊號可作為一第一差分端電流訊號輸出至該低雜訊放大器的一輸出端。
简体摘要：本发明提供可将单端信号转换为差分信号的系统及方法。从一低噪声放大器的输入端接收一单端电压信号。该单端电压信号可耦合至一第一输入区间来将该单端电压信号的来源阻抗与一预定的输出阻抗作匹配。具有预定输出阻抗的该单端电压信号可作为一第一电压信号输出至一第一转换区间。提供一输入偏压至该第一转换区间以偏压该第一电压信号。已偏压的该第一电压信号可作为一第一差分端电流信号输出至该低噪声放大器的一输出端。

6. 发明专利

TW535353B 高頻放大器失效
简体标题：高频放大器
公开(公告)号：TW535353B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW091113475
申请日：2002-06-20
申请人：智原科技股份有限公司
发明人：陳永宏
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F1/223 , H03F2200/213 , H03F2200/222 , H03F2200/243 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03F2200/399 , H03F2200/414 , H03F2200/421 , H03F2200/492
摘要：本發明提供一種高頻放大器，包括兩個放大用之電晶體及輸入匹配電路及輸出匹配電路。輸入匹配電路中具有可變電容，可依據強度指示器之控制信號進行電容值之調整。輸出匹配電路中亦具有可變電容，可依據強度指示器之控制信號進行電容值之調整。此外，在輸出匹配電路中亦包含了一可變電阻，此可變電阻之電阻值由強度指示器之控制信號調整，可藉此變化高頻放大器之增益值。強度指示器則接收降頻信號經過帶通過濾後之輸出信號而產生控制信號。
简体摘要：本发明提供一种高频放大器，包括两个放大用之晶体管及输入匹配电路及输出匹配电路。输入匹配电路中具有可变电容，可依据强度指示器之控制信号进行电容值之调整。输出匹配电路中亦具有可变电容，可依据强度指示器之控制信号进行电容值之调整。此外，在输出匹配电路中亦包含了一可变电阻，此可变电阻之电阻值由强度指示器之控制信号调整，可借此变化高频放大器之增益值。强度指示器则接收降频信号经过带通过滤后之输出信号而产生控制信号。

7. 发明专利

TWI378638B 放大器、衰減模組以及用來衰減一射頻訊號之方法 AMPLIFIER, ATTENUATING MODULE AND METHOD FOR ATTENUATING AN RF SIGNAL 有权
简体标题：放大器、衰减模块以及用来衰减一射频信号之方法 AMPLIFIER, ATTENUATING MODULE AND METHOD FOR ATTENUATING AN RF SIGNAL
公开(公告)号：TWI378638B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097147159
申请日：2008-12-04
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：吳家欣
IPC分类号： H03F , H03H
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/302 , H03F2200/09 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/492
摘要：本發明揭示了一種放大器、衰減模組以及用來衰減一射頻訊號之方法。其中放大器，包含一放大模組以及一衰減模組，該放大模組耦接於一輸入節點。該衰減模組包含一衰減電阻以及一阻抗補償單元，該衰減電阻耦接於該輸入節點。該阻抗補償單元耦接於該輸入節點，用來於一輸入射頻訊號被該衰減模組衰減時，補償一輸入阻抗。本發明提供的放大器可提高接收靈敏度，而且具有整體系統的功率消耗下降的優點。
简体摘要：本发明揭示了一种放大器、衰减模块以及用来衰减一射频信号之方法。其中放大器，包含一放大模块以及一衰减模块，该放大模块耦接于一输入节点。该衰减模块包含一衰减电阻以及一阻抗补偿单元，该衰减电阻耦接于该输入节点。该阻抗补偿单元耦接于该输入节点，用来于一输入射频信号被该衰减模块衰减时，补偿一输入阻抗。本发明提供的放大器可提高接收灵敏度，而且具有整体系统的功率消耗下降的优点。

8. 发明专利

TW200934146A 負載電感之分享 LOAD INDUCTOR SHARING 审中-公开
简体标题：负载电感之分享 LOAD INDUCTOR SHARING
公开(公告)号：TW200934146A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097137345
申请日：2008-09-26
申请人：納諾安普資訊顧問有限公司(開曼群島) NANOAMP SOLUTIONS INC. (CAYMAN)
发明人：大衛H 申 SHEN, DAVID H. , 詹姆士柏漢 BURNHAM, JAMES , 亞里塔巴塔貝伊 TABATABAEI, ALI , 安P 申 SHEN, ANN P.
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F3/193 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2203/45386 , H03F2203/45396 , H03F2203/45638 , H03F2203/7209
摘要：共用一或多個負載電感器包含在一第一放大器之一第一端子處接收一第一輸入信號並且使用該第一放大器放大該第一輸入信號。該第一放大器在該第一放大器之一第二端子處耦合至一或多個負載電感器而且在該第一放大器之一第三端子處耦合至一多個專用源極電感器。再者,在使用一第二放大器放大一第二輸入信號的該第二放大器之一第一端子處接收該第二輸入信號。該第二放大器在該第二放大器之一第二端子處耦合至一或多個負載電感器而且在該第二放大器之一第三端子處耦合至一或多個專用源極電感器。
简体摘要：共享一或多个负载电感器包含在一第一放大器之一第一端子处接收一第一输入信号并且使用该第一放大器放大该第一输入信号。该第一放大器在该第一放大器之一第二端子处耦合至一或多个负载电感器而且在该第一放大器之一第三端子处耦合至一多个专用源极电感器。再者,在使用一第二放大器放大一第二输入信号的该第二放大器之一第一端子处接收该第二输入信号。该第二放大器在该第二放大器之一第二端子处耦合至一或多个负载电感器而且在该第二放大器之一第三端子处耦合至一或多个专用源极电感器。

9. 发明专利

TW200807716A 在電晶體器件中利用反向短通道效應之裝置與方法 APPARATUS AND METHOD FOR EXPLOITING REVERSE SHORT CHANNEL EFFECTS IN TRANSISTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：在晶体管器件中利用反向短信道效应之设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR EXPLOITING REVERSE SHORT CHANNEL EFFECTS IN TRANSISTOR DEVICES
公开(公告)号：TW200807716A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096120443
申请日：2007-06-07
申请人： LM艾瑞克生(PUBL)電話公司 TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL)
发明人：塔克亞倫柏 ARNBORG, TORKEL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03F1/3205 , H01L21/823412 , H01L27/088 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2200/492 , H03F2203/21178
摘要：本發明揭示一種實施電晶體電路之方法,其包含以並聯方式耦合第一與第二電晶體,其中該第一電晶體具有一與該電晶體之電壓臨限値曲線中之一起因於反向短通道效應之峰値相對應的通道長度,且該第二電晶體具有一更長通道長度進而具有一更低臨限電壓。以此方式利用反向短通道效應致能實施展現改良線性之「複合」電晶體電路。
简体摘要：本发明揭示一种实施晶体管电路之方法,其包含以并联方式耦合第一与第二晶体管,其中该第一晶体管具有一与该晶体管之电压临限値曲线中之一起因于反向短信道效应之峰値相对应的信道长度,且该第二晶体管具有一更长信道长度进而具有一更低临限电压。以此方式利用反向短信道效应致能实施展现改良线性之“复合”晶体管电路。

10. 发明专利

TW200735522A 單端輸入雙端輸出低雜訊放大器電路 SINGLE-END INPUT TO DIFFERENTIAL-ENDS OUTPUT LOW NOISE AMPLIFIER 审中-公开
简体标题：单端输入双端输出低噪声放大器电路 SINGLE-END INPUT TO DIFFERENTIAL-ENDS OUTPUT LOW NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TW200735522A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095106774
申请日：2006-03-01
申请人：普誠科技股份有限公司 PRINCETON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：高念安 KAO, NIEN-AN , 張國威 CHANG, KWO WEI
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F1/223 , H03F3/19 , H03F2200/108 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2203/45166 , H03F2203/45332 , H03F2203/45631
摘要：一種單端輸入雙端輸出放大器電路,包括放大器以及單端輸入雙端輸出轉換電路。放大器係用以將輸入信號放大為放大信號,包括用以接收上述輸入信號之輸入端,以及第一輸出端。單端輸入雙端輸出轉換電路係用以將放大信號轉換為差動信號對,包括用來接收放大信號之第一電晶體,具有耦接至第一輸出端之第一閘極,耦接至第二輸出端之第一第一極,以及耦接至第一節點之第一第二極;第二電晶體,具有第二閘極,耦接至第三輸出端之第二第一極,以及耦接至第一節點之第二第二極;第二電容,耦接於第二輸出端以及第二閘極之間;第一電阻,耦接於第二輸出端與電壓源之間;第二電阻,耦接於第三輸出端與電壓源之間;以及電流源,耦接於第一節點與接地點之間。
简体摘要：一种单端输入双端输出放大器电路,包括放大器以及单端输入双端输出转换电路。放大器系用以将输入信号放大为放大信号,包括用以接收上述输入信号之输入端,以及第一输出端。单端输入双端输出转换电路系用以将放大信号转换为差动信号对,包括用来接收放大信号之第一晶体管,具有耦接至第一输出端之第一闸极,耦接至第二输出端之第一第一极,以及耦接至第一节点之第一第二极;第二晶体管,具有第二闸极,耦接至第三输出端之第二第一极,以及耦接至第一节点之第二第二极;第二电容,耦接于第二输出端以及第二闸极之间;第一电阻,耦接于第二输出端与电压源之间;第二电阻,耦接于第三输出端与电压源之间;以及电流源,耦接于第一节点与接地点之间。

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