会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 8. 发明专利
    • 過電流感測電路及自我調整消除
    • 过电流传感电路及自我调整消除
    • TW453022B
    • 2001-09-01
    • TW088118895
    • 1999-12-03
    • 因特希耳公司
    • 思杜耳特普廉
    • H03F
    • H03F1/52H03F3/2171H03K17/0822
    • 一種感測電路100包括二電阻ll及12,二個pnp電晶體13及14,一電流鏡15及16。電阻1l及12將出現於橋接中之高電壓轉換為一正比之電流。電流鏡mosfet電晶體15及16將 Il與I2比較。如果I2較I1為大則點A之電壓為高。否則此一電壓為低。選擇之電阻12較ll為小使得在正常運作下,當 FET電晶體22導通時I2較Il為大且在點A之電壓為高。當一過電流事件時,跨於FET電晶體22之壓降Von甚高以致I2較 I1為低且A點之電壓保持為低。
    • 一种传感电路100包括二电阻ll及12,二个pnp晶体管13及14,一电流镜15及16。电阻1l及12将出现于桥接中之高电压转换为一正比之电流。电流镜mosfet晶体管15及16将 Il与I2比较。如果I2较I1为大则点A之电压为高。否则此一电压为低。选择之电阻12较ll为小使得在正常运作下,当 FET晶体管22导通时I2较Il为大且在点A之电压为高。当一过电流事件时,跨于FET晶体管22之压降Von甚高以致I2较 I1为低且A点之电压保持为低。