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1. 发明专利

TWI566680B 近場雜訊抑制片有权
简体标题：近场噪声抑制片
公开(公告)号：TWI566680B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW101105938
申请日：2012-02-23
申请人：加川清二 , KAGAWA, SEIJI
发明人：加川清二 , KAGAWA, SEIJI
IPC分类号： H05K9/00 , B32B7/10
CPC分类号： H05K9/0081 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/265 , H01Q1/526 , H01Q17/00 , H05K9/0088

2. 发明专利

TWI528636B 複合式電磁波吸收器有权
简体标题：复合式电磁波吸收器
公开(公告)号：TWI528636B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW098112324
申请日：2009-04-14
申请人：理研股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA RIKEN
发明人：廣瀨敬太 , HIROSE, KEITA , 小野敬 , ONO, TAKASHI
IPC分类号： H01Q17/00 , H05K9/00
CPC分类号： H01Q17/00 , H01Q17/008 , H05K9/0003

3. 发明专利

TW201350871A 電波暗室审中-公开
简体标题：电波暗室
公开(公告)号：TW201350871A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101121697
申请日：2012-06-18
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：何等乾 , HO, TEN CHEN
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： H01Q17/00 , G01R29/0821 , G01R29/0871 , G01R29/105 , G01R31/002
摘要：一種電波暗室，包括一遮罩室、一設於遮罩室的底壁上的接地板、一設於接地板上的測試轉臺、一調節裝置及一天線支架，該接地板靠近測試轉臺設有一長形的開口，該底壁設有一與開口相連通的收容腔，該調節裝置收容於該收容腔內，該調節裝置包括一支撐座、兩分別樞接於支撐座的兩端的滾輪及一圍繞該兩滾輪的傳動鏈，該天線支架包括一滑動地放置於該支撐座的底座及一垂直安裝於該底座的立柱，該立柱穿過該傳動鏈，其中一滾輪由一馬達驅動而轉動以帶動該傳動鏈移動以進一步移動該天線支架。
简体摘要：一种电波暗室，包括一遮罩室、一设于遮罩室的底壁上的接地板、一设于接地板上的测试转台、一调节设备及一天线支架，该接地板靠近测试转台设有一长形的开口，该底壁设有一与开口相连通的收容腔，该调节设备收容于该收容腔内，该调节设备包括一支撑座、两分别枢接于支撑座的两端的滚轮及一围绕该两滚轮的传动链，该天线支架包括一滑动地放置于该支撑座的底座及一垂直安装于该底座的立柱，该立柱穿过该传动链，其中一滚轮由一马达驱动而转动以带动该传动链移动以进一步移动该天线支架。

4. 发明专利

TWI357425B 微波吸收性現場成形糊膏 MICROWAVE-ABSORBING FORM-IN-PLACE PASTE 失效
简体标题：微波吸收性现场成形煳膏 MICROWAVE-ABSORBING FORM-IN-PLACE PASTE
公开(公告)号：TWI357425B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW093127150
申请日：2004-09-08
申请人：雷德科技股份有限公司
发明人：詹森理查N , 羅特克里斯多弗
IPC分类号： C08J
CPC分类号： H01Q17/00
摘要：一種微波吸收材料，其可以標準現場成形施配設備來進行施配，且其係以一磁性或有耗介電填充物來掺合一液體樹脂系統。於一較佳具體例中，該液體樹脂系統是一矽酮樹脂系統且該磁性填充物是羰基鐵粉末。本發明微波吸收材料將被施配入一電子設備之殼體。本發明材料可予以施配入該殼體之一凹槽，並於該凹槽進行自動整平及固化。可選擇地，本發明材料可予以施配至該殼體之一表面，由於該材料之觸變(thixotropic)性質，該材料可於該表面維持其形狀，並於固化時於該表面形成一由固化微波吸收材料所構成之吸收墊片。
简体摘要：一种微波吸收材料，其可以标准现场成形施配设备来进行施配，且其系以一磁性或有耗介电填充物来掺合一液体树脂系统。于一较佳具体例中，该液体树脂系统是一硅酮树脂系统且该磁性填充物是羰基铁粉末。本发明微波吸收材料将被施配入一电子设备之壳体。本发明材料可予以施配入该壳体之一凹槽，并于该凹槽进行自动整平及固化。可选择地，本发明材料可予以施配至该壳体之一表面，由于该材料之触变(thixotropic)性质，该材料可于该表面维持其形状，并于固化时于该表面形成一由固化微波吸收材料所构成之吸收垫片。

5. 发明专利

TW201044840A 手持式電子裝置 HANDHELD ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：手持式电子设备 HANDHELD ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW201044840A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098119958
申请日：2009-06-15
申请人：宏達國際電子股份有限公司
发明人：吳維揚 , 鄧穎聰 , 洪崇庭 , 陳國丞
IPC分类号： H04M
CPC分类号： H01Q1/242 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q7/00 , H01Q17/00
摘要：一種手持式電子裝置包括殼體、受話器、平衡式天線及本體。殼體包括頂端及底端。受話器係設置於殼體中並相鄰頂端,而平衡式天線係設置於殼體中並相鄰底端。本體係設置於殼體中並電性連接至受話器及平衡式天線。
简体摘要：一种手持式电子设备包括壳体、受话器、平衡式天线及本体。壳体包括顶端及底端。受话器系设置于壳体中并相邻顶端,而平衡式天线系设置于壳体中并相邻底端。本体系设置于壳体中并电性连接至受话器及平衡式天线。

6. 发明专利

TW200943633A 無線晶片至晶片通信之裝置及方法 METHODS AND DEVICES FOR WIRELESS CHIP-TO-CHIP COMMUNICATIONS 审中-公开
简体标题：无线芯片至芯片通信之设备及方法 METHODS AND DEVICES FOR WIRELESS CHIP-TO-CHIP COMMUNICATIONS
公开(公告)号：TW200943633A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098100572
申请日：2009-01-08
申请人：高通公司
发明人：鍾宇哲
IPC分类号： H01Q , G06F
CPC分类号： H05K1/0243 , H01L23/48 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2223/6677 , H01L2224/16145 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01Q1/2266 , H01Q1/521 , H01Q17/00 , H05K1/0298 , H05K1/181 , H05K2201/086 , H05K2201/10098 , H05K2201/10515 , H05K2201/10674
摘要：本發明揭示無線晶片至晶片通信之方法及裝置。在一實例中，一無線晶片至晶片通信裝置包括複數個晶片，該複數個晶片中之每一者具有至少一天線且形成於一多層結構上。該多層結構包括第一及第二吸收層。該第一及該第二吸收層經組態以封閉一具有一給定介電常數之傳播介質。該複數個晶片經組態以根據一給定無線通信協定經由該傳播介質內之一直接傳播路徑而經由該等個別天線彼此無線地通信。
简体摘要：本发明揭示无线芯片至芯片通信之方法及设备。在一实例中，一无线芯片至芯片通信设备包括复数个芯片，该复数个芯片中之每一者具有至少一天线且形成于一多层结构上。该多层结构包括第一及第二吸收层。该第一及该第二吸收层经组态以封闭一具有一给定介电常数之传播介质。该复数个芯片经组态以根据一给定无线通信协定经由该传播介质内之一直接传播路径而经由该等个别天线彼此无线地通信。

7. 发明专利

TW200539795A 電磁波吸收體 ELECTROMAGNETIC WAVES ABSORBER 失效
简体标题：电磁波吸收体 ELECTROMAGNETIC WAVES ABSORBER
公开(公告)号：TW200539795A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094109236
申请日：2005-03-25
申请人：傑爾科技股份有限公司 GELTEC CO., LTD.
发明人：小林達也 KOBAYSHI, TATSUYA
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01Q17/00 , B82Y25/00 , C01P2006/42 , C09C1/22 , H01F1/37 , H01F10/007 , H01Q17/002 , H05K1/0233 , H05K9/0088 , Y10T428/31663 , Y10T428/32 , Y10T428/325
摘要：本發明係提供一種電磁波吸收體，其係含有(a)以無官能基系矽烷化合物表面處理之軟性肥粒鐵、(c)磁鐵礦、及(d)聚矽氧，或含有(a)以無官能基系矽烷化合物表面處理之軟性肥粒鐵、(b)扁平軟磁性金屬粉、(c)磁鐵礦、及(d)聚矽氧，且該電磁波吸收體係具有優越的電磁波吸收性、熱傳導性、難燃性，溫度相依性較少及柔軟性，且也具有優越的黏著強度，具有優越的高電阻高絕緣特性、在MHz～10GHz之寬帶頻率下穩定的能量轉換效率者。本發明也提供一種積層電磁波吸收體，係在該電磁波吸收體上積層導電體之反射層且具有能黏附於高速運算元件等之無用電磁波放射源上，即使黏附於樹脂型罩殼之水平的玻璃面狀之頂面也不致於落下之黏著力者。
简体摘要：本发明系提供一种电磁波吸收体，其系含有(a)以无官能基系硅烷化合物表面处理之软性肥粒铁、(c)磁铁矿、及(d)聚硅氧，或含有(a)以无官能基系硅烷化合物表面处理之软性肥粒铁、(b)扁平软磁性金属粉、(c)磁铁矿、及(d)聚硅氧，且该电磁波吸收体系具有优越的电磁波吸收性、热传导性、难燃性，温度相依性较少及柔软性，且也具有优越的黏着强度，具有优越的高电阻高绝缘特性、在MHz～10GHz之宽带频率下稳定的能量转换效率者。本发明也提供一种积层电磁波吸收体，系在该电磁波吸收体上积层导电体之反射层且具有能黏附于高速算子件等之无用电磁波放射源上，即使黏附于树脂型罩壳之水平的玻璃面状之顶面也不致于落下之黏着力者。

8. 发明专利

TW200426023A 吸收電磁波之多層膜結構及其製造方法 MULTILAYER STRUCTURE FOR ABSORBING ELECTROMAGNATIC WAVE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：吸收电磁波之多层膜结构及其制造方法 MULTILAYER STRUCTURE FOR ABSORBING ELECTROMAGNATIC WAVE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200426023A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW092113431
申请日：2003-05-19
申请人：嚴立賢 LI-HSIEN YEN , 林宏益 GARRETT LIN
发明人：嚴立賢 LI-HSIEN YEN , 林宏益 GARRETT LIN
IPC分类号： B32B
CPC分类号： B32B15/08 , B32B5/16 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/32 , B32B2255/205 , B32B2264/108 , B32B2307/20 , B32B2307/212 , B32B2457/00 , H01Q17/00 , H05K9/0088 , Y10T428/12569 , Y10T428/259 , Y10T428/31678
摘要：一種吸收電磁波之多層膜結構及其製造方法，此種多層膜結構係由數層高分子聚合物薄膜以及數層導磁性薄膜所組成，其中高分子聚合物薄膜係互相堆疊排列，且於高分子聚合物薄膜中包含一碳族化合物結構。而導磁性薄膜則形成於各個高分子聚合物薄膜表面。由於每一層導磁性薄膜均具有巨磁阻特性，所以當導磁性薄膜受到電磁場影響時，層與層之間會產生互相反向的磁力矩，故電磁波射入後將會被抵銷掉。而進入高分子聚合物薄膜的電磁波則會不斷折射直到能量耗盡，或是被高分子聚合物薄膜中之碳族化合物結構吸收後轉化成熱能散出。
简体摘要：一种吸收电磁波之多层膜结构及其制造方法，此种多层膜结构系由数层高分子聚合物薄膜以及数层导磁性薄膜所组成，其中高分子聚合物薄膜系互相堆栈排列，且于高分子聚合物薄膜中包含一碳族化合物结构。而导磁性薄膜则形成于各个高分子聚合物薄膜表面。由于每一层导磁性薄膜均具有巨磁阻特性，所以当导磁性薄膜受到电磁场影响时，层与层之间会产生互相反向的磁力矩，故电磁波射入后将会被抵销掉。而进入高分子聚合物薄膜的电磁波则会不断折射直到能量耗尽，或是被高分子聚合物薄膜中之碳族化合物结构吸收后转化成热能散出。

9. 发明专利

TW533761B 電波吸收體組合用構件、電波吸收體及電波吸收體之製造方法失效
简体标题：电波吸收体组合用构件、电波吸收体及电波吸收体之制造方法
公开(公告)号：TW533761B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW089100754
申请日：2000-01-18
申请人： TDK股份有限公司 , 常盤電機股份有限公司
发明人：村瀨琢 , 栗原弘 , 齊藤壽文 , 柳川太成 , 林宏三 , 藤本恭一
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H01Q17/008 , H01Q17/00
摘要：本發明電波吸收體組合用構件係由能組合所望形狀的構造體之電波吸收性的薄材所形成，此薄材具備內部含有導電性材料、及／或是表面含有導電性材料的導電層，彎折此電波吸收體組合用構件，接合薄材的端部彼此間而得到立體構造之電波吸收體。
简体摘要：本发明电波吸收体组合用构件系由能组合所望形状的构造体之电波吸收性的薄材所形成，此薄材具备内部含有导电性材料、及／或是表面含有导电性材料的导电层，弯折此电波吸收体组合用构件，接合薄材的端部彼此间而得到三維构造之电波吸收体。

10. 发明专利

TW201735766A 電磁波吸收體及具有其之附電磁波吸收體之成形體审中-公开
简体标题：电磁波吸收体及具有其之附电磁波吸收体之成形体
公开(公告)号：TW201735766A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105141378
申请日：2016-12-14
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：山形一斗 , YAMAGATA, KAZUTO , 待永廣宣 , MATINAGA, HIRONOBU , 宇井丈裕 , UI, TAKEHIRO , 請井博一 , UKEI, HIROKAZU , 北川祐矢 , KITAGAWA, YUYA , 佐佐和明 , SASA, KAZUAKI
IPC分类号： H05K9/00 , B32B15/08 , B32B9/04 , B32B27/00
CPC分类号： B32B27/18 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B2255/06 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2264/102 , B32B2264/105 , B32B2457/00 , H01Q1/3283 , H01Q17/00 , H05K9/00
摘要：本發明之目的為提供一種可長期間保持優異性能之電磁波吸收體，該電磁波吸收體具有：介電體層，由高分子薄膜構成；電阻層，形成於介電體層之第1面上，以氧化銦錫作為主成分；及導電層，形成於介電體層之第2面上，具有比上述電阻層低之片電阻；且上述電阻層之氧化銦錫中所含之氧化錫為20~40重量%。
简体摘要：本发明之目的为提供一种可长期间保持优异性能之电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：介电体层，由高分子薄膜构成；电阻层，形成于介电体层之第1面上，以氧化铟锡作为主成分；及导电层，形成于介电体层之第2面上，具有比上述电阻层低之片电阻；且上述电阻层之氧化铟锡中所含之氧化锡为20~40重量%。

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