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    • 2. 发明专利
    • 最佳化一射頻單極雙投開關之隔離及插入損耗
    • 最优化一射频单极双投开关之隔离及插入损耗
    • TW201448464A
    • 2014-12-16
    • TW103108024
    • 2014-03-07
    • 微晶片科技公司MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
    • 柯永林KOK, YON-LIN
    • H03K17/687H04B1/44
    • H04B1/44H01P1/15H01P1/213H03H7/465
    • 本發明揭示一種單極雙投(SPDT)開關,其製造於一積體電路(IC)上且可包括兩個射頻(RF)開關裝置,該兩個射頻開關裝置之每一者具有耦合於各自RF開關裝置與一共用節點之間的一獨自的DC阻斷電容器。在該兩個RF開關裝置之間使用一細導電線提供一DC連接。此細導電線提供該兩個RF開關裝置之間的增大之隔離及減小之插入損耗。藉由在符合阻抗匹配條件時透過該細導電線之特性阻抗調諧該線而完成該增大之隔離及/或減小之插入損耗。藉由使用進一步降低該(該等)細電線電感之兩個或兩個以上細導電線可實質上降低在該SPDT開關中之非所要電路諧振。
    • 本发明揭示一种单极双投(SPDT)开关,其制造于一集成电路(IC)上且可包括两个射频(RF)开关设备,该两个射频开关设备之每一者具有耦合于各自RF开关设备与一共享节点之间的一独自的DC阻断电容器。在该两个RF开关设备之间使用一细导电线提供一DC连接。此细导电线提供该两个RF开关设备之间的增大之隔离及减小之插入损耗。借由在符合阻抗匹配条件时透过该细导电线之特性阻抗调谐该线而完成该增大之隔离及/或减小之插入损耗。借由使用进一步降低该(该等)细电线电感之两个或两个以上细导电线可实质上降低在该SPDT开关中之非所要电路谐振。