专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201743447A 利用極性彈性體的用於電晶體開關速度改進之結構审中-公开
简体标题：利用极性弹性体的用于晶体管开关速度改进之结构
公开(公告)号：TW201743447A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106101148
申请日：2017-01-13
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：艾尼克達溫吉恩 , ENICKS, DARWIN GENE , 賀明謙 , HE, MINGQIAN , 曼利羅伯喬治 , MANLEY, ROBERT GEORGE
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/49 , H01L51/05 , H03K17/041
CPC分类号： H01L51/052 , H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L51/0036 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H03K17/04106
摘要：一種有機薄膜電晶體，其包含一第一閘極、一第二閘極、位於該第一閘極與該第二閘極之間且設置成一通道的一半導體層以及與該半導體層的相對側連接的一源極及一汲極。該有機薄膜電晶體亦包含在電流流過該半導體層的方向上位於該第一閘極與該半導體層之間的一第一介電層，該第一介電層包含一極性彈性介電材料及位於該第二閘極與該半導體層之間的一第二介電層，當給該第一閘極施用一設定電壓時，該極性彈性介電材料將展現出一電雙層充電效應。
简体摘要：一种有机薄膜晶体管，其包含一第一闸极、一第二闸极、位于该第一闸极与该第二闸极之间且设置成一信道的一半导体层以及与该半导体层的相对侧连接的一源极及一汲极。该有机薄膜晶体管亦包含在电流流过该半导体层的方向上位于该第一闸极与该半导体层之间的一第一介电层，该第一介电层包含一极性弹性介电材料及位于该第二闸极与该半导体层之间的一第二介电层，当给该第一闸极施用一设置电压时，该极性弹性介电材料将展现出一电双层充电效应。

2. 发明专利

TW201229085A 高分子化合物、有機半導體材料及有機電晶體 HIGH-POLYMER COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：高分子化合物、有机半导体材料及有机晶体管 HIGH-POLYMER COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201229085A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100136898
申请日：2011-10-12
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：寺井宏樹
IPC分类号： C08G , H01L
CPC分类号： H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/145 , C08G2261/3223 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/92 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0554
摘要：本發明的課題為提供使用於有機電晶體的活性層(有機半導體層)情況下有機電晶體的場效移動度變高之高分子化合物。課題的解決手段為包含：式
[式中，R 1 表示烷基、芳香基或雜芳基；R 2 表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳香基或雜芳基]所示的構造單元，以及式
[式中，Z 1 表示-CR 5 =CR 6 -、-S-、-O-、-Se-或-NR 7 -；R 3 、R 4 、R 5 及R 6 分別獨立地表示氫原子、烷基、芳香基、雜芳基、鹵原子、氰基或硝基；R 7 表示氫原子、烷基、芳香基或雜芳基；Z 2 表示=S=、=CR 5 -CR 6 =或=Se=]所示的構造單元之高分子化合物。
简体摘要：本发明的课题为提供使用于有机晶体管的活性层(有机半导体层)情况下有机晶体管的场效移动度变高之高分子化合物。课题的解决手段为包含：式 [式中，R 1 表示烷基、芳香基或杂芳基；R 2 表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳香基或杂芳基]所示的构造单元，以及式 [式中，Z 1 表示-CR 5 =CR 6 -、-S-、-O-、-Se-或-NR 7 -；R 3 、R 4 、R 5 及R 6 分别独立地表示氢原子、烷基、芳香基、杂芳基、卤原子、氰基或硝基；R 7 表示氢原子、烷基、芳香基或杂芳基；Z 2 表示=S=、=CR 5 -CR 6 =或=Se=]所示的构造单元之高分子化合物。

3. 发明专利

TW200639118A 獨立式靜電摻雜碳奈米管裝置和其製造方法 FREE-STANDING ELECTROSTATICALLY-DOPED CARBON NANOTUBE DEVICE AND METHOD FOR MAKING SAME 失效
简体标题：独立式静电掺杂碳奈米管设备和其制造方法 FREE-STANDING ELECTROSTATICALLY-DOPED CARBON NANOTUBE DEVICE AND METHOD FOR MAKING SAME
公开(公告)号：TW200639118A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095104244
申请日：2006-02-08
申请人：通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：李吉雍 LEE, JI-UNG
IPC分类号： C01B , H01J
CPC分类号： B81C1/00142 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G11C13/025 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/861 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/34 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/0554 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , H01L51/5262 , Y02E10/549 , Y10S977/742 , Y10S977/938
摘要：本發明揭示一種用於形成一獨立式靜電摻雜碳奈米管裝置的方法及其結構。該方法包括在一基板上提供一碳奈米管，使其具有獨立的部分。形成該碳奈米管的一獨立部分之一方式是將該基板的一部分移除。形成該碳奈米管的一獨立部分之另一敘述方式是在第一基板部分上配置一對金屬電極，將相鄰於該金屬電極的該第一基板部分移除，以及在該第一基板部分上共同配置一第二基板部分以形成一溝槽。
简体摘要：本发明揭示一种用于形成一独立式静电掺杂碳奈米管设备的方法及其结构。该方法包括在一基板上提供一碳奈米管，使其具有独立的部分。形成该碳奈米管的一独立部分之一方式是将该基板的一部分移除。形成该碳奈米管的一独立部分之另一叙述方式是在第一基板部分上配置一对金属电极，将相邻于该金属电极的该第一基板部分移除，以及在该第一基板部分上共同配置一第二基板部分以形成一沟槽。

4. 发明专利

TW201703254A 互補式穿隧ＦＥＴ裝置及其形成方法审中-公开
简体标题：互补式穿隧ＦＥＴ设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201703254A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105119211
申请日：2014-11-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾利克索夫艾列克珊德 , ALEKSOV, ALEKSANDAR
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/8258 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7869 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0078 , H01L51/0533 , H01L51/0554 , H01L51/0562
摘要：揭示使用氧化物及/或有機半導體材料之形成互補式穿隧場效電晶體(TFET)的設備。一種型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有選自週期表的III-V、IV-IV、及IV族組成的群組之p型材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的第一及第二區。另一型式的TFET包括：基底；摻雜的第一區，形成在基底上方，具有p型有機半導體材料；摻雜的第二區，形成在基底上方，具有n型氧化物半導體材料；及，閘極堆疊，耦合至摻雜的源極和汲極區。在另一實例中，以有機唯半導體材料用於主動區而製造TFET。
简体摘要：揭示使用氧化物及/或有机半导体材料之形成互补式穿隧场效应管(TFET)的设备。一种型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有选自周期表的III-V、IV-IV、及IV族组成的群组之p型材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有透明氧化物n型半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的第一及第二区。另一型式的TFET包括：基底；掺杂的第一区，形成在基底上方，具有p型有机半导体材料；掺杂的第二区，形成在基底上方，具有n型氧化物半导体材料；及，闸极堆栈，耦合至掺杂的源极和汲极区。在另一实例中，以有机唯半导体材料用于主动区而制造TFET。

5. 发明专利

TWI549292B 互補式穿隧ＦＥＴ裝置及其形成方法有权
简体标题：互补式穿隧ＦＥＴ设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI549292B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103140822
申请日：2014-11-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾利克索夫艾列克珊德 , ALEKSOV, ALEKSANDAR
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/8258 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7869 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0078 , H01L51/0533 , H01L51/0554 , H01L51/0562

6. 发明专利

TWI413251B 藉場遮蔽之像素效能改善有权
简体标题：藉场屏蔽之像素性能改善
公开(公告)号：TWI413251B
公开(公告)日：2013-10-21
申请号：TW095123598
申请日：2006-06-29
申请人：創造者科技有限公司 , CREATOR TECHNOLOGY B. V.
发明人：傑爾瑪艾傑艾蔻修特瑪 , HUITEMA, HJALMAR EDZER AYCO , 傑溫赫曼紐斯吉林克 , GELINCK, GERWIN HERMANUS
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： G02F1/136213 , G02F1/167 , G02F2001/136218 , H01L27/12 , H01L27/3272 , H01L51/0512 , H01L51/0554

7. 发明专利

TW201227962A 垂直式電晶體結構 VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：垂直式晶体管结构 VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW201227962A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099145277
申请日：2010-12-22
申请人：中華映管股份有限公司
发明人：翁守正 , 李懷安
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0554 , H01L29/42392 , H01L29/78642 , H01L51/057
摘要：一種垂直式電晶體結構,包括一基板、一源極、一第一閘極、一第一絕緣層、一第二閘極、一閘絕緣層、一汲極、一第二絕緣層以及一半導體通道層。源極配置於基板上。第一閘極配置於源極上且具有至少一第一貫孔。第一絕緣層配置於第一閘極與源極之間。第二閘極配置於第一閘極上且具有至少一第二貫孔。閘絕緣層配置於第一閘極與第二閘極之間且具有至少一第三貫孔。第一貫孔、第二貫孔以及第三貫孔相互連通。汲極配置於第二閘極上。第二絕緣層配置於第二閘極與汲極之間。半導體通道層填充於第一貫孔、第二貫孔與第三貫孔內。
简体摘要：一种垂直式晶体管结构,包括一基板、一源极、一第一闸极、一第一绝缘层、一第二闸极、一闸绝缘层、一汲极、一第二绝缘层以及一半导体信道层。源极配置于基板上。第一闸极配置于源极上且具有至少一第一贯孔。第一绝缘层配置于第一闸极与源极之间。第二闸极配置于第一闸极上且具有至少一第二贯孔。闸绝缘层配置于第一闸极与第二闸极之间且具有至少一第三贯孔。第一贯孔、第二贯孔以及第三贯孔相互连通。汲极配置于第二闸极上。第二绝缘层配置于第二闸极与汲极之间。半导体信道层填充于第一贯孔、第二贯孔与第三贯孔内。

8. 发明专利

TW200414538A 三重閘裝置及其製造方法 TRI-GATE DEVICES AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：三重闸设备及其制造方法 TRI-GATE DEVICES AND METHODS OF FABRICATION
公开(公告)号：TW200414538A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092123173
申请日：2003-08-22
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：羅博特S. 曹 ROBERT S. CHAU , 布萊恩S. 桃利 BRIAN S. DOYLE , 傑克卡瓦利羅司 JACK KAVALIEROS , 道格拉斯巴勒吉 DOUGLAS BARLAGE , 蘇曼達塔 SUMAN DATTA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/785 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/66795 , H01L29/772 , H01L29/7854 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/938
摘要：本發明為一種半導體裝置，包括具有一上表面及形成於一基板上之側向對立側壁之一半導體晶身。一閘極電介質層被形成於該半導體晶身之上表面以及該半導體晶身之該等側向對立側壁上。一閘電極被形成於該半導體晶身之上表面上之閘極電介質上以及鄰近該半導體晶身之該等側向對立側壁上之閘極電介質。
简体摘要：本发明为一种半导体设备，包括具有一上表面及形成于一基板上之侧向对立侧壁之一半导体晶身。一闸极电介质层被形成于该半导体晶身之上表面以及该半导体晶身之该等侧向对立侧壁上。一闸电极被形成于该半导体晶身之上表面上之闸极电介质上以及邻近该半导体晶身之该等侧向对立侧壁上之闸极电介质。

9. 发明专利

TWI587508B 互補式穿隧ＦＥＴ裝置及其形成方法有权
简体标题：互补式穿隧ＦＥＴ设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI587508B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105119211
申请日：2014-11-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：艾利克索夫艾列克珊德 , ALEKSOV, ALEKSANDAR
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66977 , H01L21/8258 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/24 , H01L29/267 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7869 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0078 , H01L51/0533 , H01L51/0554 , H01L51/0562

10. 发明专利

TW201440275A 有機電子發光器件及其製造方法审中-公开
简体标题：有机电子发光器件及其制造方法
公开(公告)号：TW201440275A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102114857
申请日：2013-04-25
申请人：上海和輝光電有限公司 , EVERDISPLAY OPTRONICS (SHANGHAI) LIMITED
发明人：洪飛 , HONG, FEI
IPC分类号： H01L51/42 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/3274 , H01L51/0554 , H01L51/5296 , H01L2251/308
摘要：本發明提供了一種有機電子發光器件及其製造方法。有機電子發光器件包括：基板、形成於基板上表面的第一柵電極、形成於基板上表面並覆蓋第一柵電極的第一絕緣層、形成於第一絕緣層上表面的有機層、形成於有機層上表面的第二絕緣層、形成於第二絕緣層上表面的第二柵電極，以及形成於第一絕緣層和第二絕緣層之間並分別位於有機層兩側的源電極和汲電極，其中有機層包括至少兩層導電類型不同的有機層。
简体摘要：本发明提供了一种有机电子发光器件及其制造方法。有机电子发光器件包括：基板、形成于基板上表面的第一栅电极、形成于基板上表面并覆盖第一栅电极的第一绝缘层、形成于第一绝缘层上表面的有机层、形成于有机层上表面的第二绝缘层、形成于第二绝缘层上表面的第二栅电极，以及形成于第一绝缘层和第二绝缘层之间并分别位于有机层两侧的源电极和汲电极，其中有机层包括至少两层导电类型不同的有机层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式