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1. 发明专利

TW200515609A 半導體光檢測元件及放射線檢測裝置 SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTION DEVICE AND RADIATION DETECTION APPARATUS 失效
简体标题：半导体光检测组件及放射线检测设备 SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTION DEVICE AND RADIATION DETECTION APPARATUS
公开(公告)号：TW200515609A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093131280
申请日：2004-10-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山中辰己 YAMANAKA, TATSUMI
IPC分类号： H01L , G01T
CPC分类号： G01T1/2018 , G01T1/2006 , H01L27/1446 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14661 , H01L31/118
摘要：在n型半導體基板5於其表面側中，p型區域7係二次元排列成陣列狀。在接鄰的p型區域7彼此之間配置有高濃度n型區域9以及p型區域11。高濃度n型區域9係由基板5的表面側擴散n型雜質而形成，俾由表面側看，包圍p型區域7。p型區域11係由基板5的表面側擴散p型雜質而形成，俾由表面側看，包圍p型區域7以及高濃度n型區域9。在n型半導體基板5的表面側形成有：電性連接於p型區域7的電極15；電性連接於高濃度n型區域9以及p型區域11的電極19。據此，可實現可良好地抑制串擾的發生，以及即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等而發生連接點的破壞，使某光電二極體變成電性浮接的狀態的情形中，也能抑制載子的流入接鄰的光電二極體之半導體光檢測元件及放射線檢測裝置。
简体摘要：在n型半导体基板5于其表面侧中，p型区域7系二次元排列成数组状。在接邻的p型区域7彼此之间配置有高浓度n型区域9以及p型区域11。高浓度n型区域9系由基板5的表面侧扩散n型杂质而形成，俾由表面侧看，包围p型区域7。p型区域11系由基板5的表面侧扩散p型杂质而形成，俾由表面侧看，包围p型区域7以及高浓度n型区域9。在n型半导体基板5的表面侧形成有：电性连接于p型区域7的电极15；电性连接于高浓度n型区域9以及p型区域11的电极19。据此，可实现可良好地抑制串扰的发生，以及即使在因初期的连接错误或温度循环等而发生连接点的破坏，使某光电二极管变成电性浮接的状态的情形中，也能抑制载子的流入接邻的光电二极管之半导体光检测组件及放射线检测设备。

2. 发明专利

TWI355092B 半導體光檢測元件及放射線檢測裝置 SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTION DEVICE AND RADIATION DETECTION APPARATUS 失效
简体标题：半导体光检测组件及放射线检测设备 SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTION DEVICE AND RADIATION DETECTION APPARATUS
公开(公告)号：TWI355092B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW093131280
申请日：2004-10-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：山中辰己
IPC分类号： H01L , G01T
CPC分类号： G01T1/2018 , G01T1/2006 , H01L27/1446 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14661 , H01L31/118
摘要：在n型半導體基板5於其表面側中，p型區域7係二次元排列成陣列狀。在接鄰的p型區域7彼此之間配置有高濃度n型區域9以及p型區域11。高濃度n型區域9係由基板5的表面側擴散n型雜質而形成，俾由表面側看，包圍p型區域7。p型區域11係由基板5的表面側擴散p型雜質而形成，俾由表面側看，包圍p型區域7以及高濃度n型區域9。在n型半導體基板5的表面側形成有：電性連接於p型區域7的電極15；電性連接於高濃度n型區域9以及p型區域11的電極19。據此，可實現可良好地抑制串擾的發生，以及即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等而發生連接點的破壞，使某光電二極體變成電性浮接的狀態的情形中，也能抑制載子的流入接鄰的光電二極體之半導體光檢測元件及放射線檢測裝置。
简体摘要：在n型半导体基板5于其表面侧中，p型区域7系二次元排列成数组状。在接邻的p型区域7彼此之间配置有高浓度n型区域9以及p型区域11。高浓度n型区域9系由基板5的表面侧扩散n型杂质而形成，俾由表面侧看，包围p型区域7。p型区域11系由基板5的表面侧扩散p型杂质而形成，俾由表面侧看，包围p型区域7以及高浓度n型区域9。在n型半导体基板5的表面侧形成有：电性连接于p型区域7的电极15；电性连接于高浓度n型区域9以及p型区域11的电极19。据此，可实现可良好地抑制串扰的发生，以及即使在因初期的连接错误或温度循环等而发生连接点的破坏，使某光电二极管变成电性浮接的状态的情形中，也能抑制载子的流入接邻的光电二极管之半导体光检测组件及放射线检测设备。

3. 发明专利

TW541708B 半導體放射線檢測元件有权
简体标题：半导体放射线检测组件
公开(公告)号：TW541708B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW091109369
申请日：2002-05-06
申请人：阿庫羅拉洛股份有限公司
发明人：守山實希 , 村上正紀 , 喜屋武篤史 , 大野良一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/118
摘要：肖特基勢壘型半導體放射線檢測元件是用以對以鎘與碲為主成分的化合物半導體結晶施加電壓的手段，在該化合物半導體結晶的一面具有由銦與鎘與碲構成的化合物 InxCdyTez。此化合物InxCdyTez中的碲所佔的比例z最好為原子數比42.9％以上50％以下的範圍，此化合物InxCdyTez中的鎘所佔的比例y最好為原子數比0％以上10％以下的範圍。
简体摘要：肖特基势垒型半导体放射线检测组件是用以对以镉与碲为主成分的化合物半导体结晶施加电压的手段，在该化合物半导体结晶的一面具有由铟与镉与碲构成的化合物 InxCdyTez。此化合物InxCdyTez中的碲所占的比例z最好为原子数比42.9％以上50％以下的范围，此化合物InxCdyTez中的镉所占的比例y最好为原子数比0％以上10％以下的范围。

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