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1. 发明专利

TW201119373A 固態攝像裝置审中-公开
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TW201119373A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099102710
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木久則 , 米田康人 , 高木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
IPC分类号： H04N , H01L
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/76816 , H04N5/3725
摘要：本發明係提供一種固態攝像裝置,本發明之一實施形態之固態攝像裝置具備:攝像區域、輸出暫存器、角形暫存器、增倍暫存器、第1放大器、第2放大器及閥閘電極。輸出暫存器係接收自攝像區域傳送之電荷再將該電荷傳送之傳送暫存器。輸出暫存器可將電荷向一方向及與該一方向相反之另一方向選擇性傳送。角形暫存器係傳送從輸出暫存器向一方向傳送之電荷。增倍暫存器係接收來自角形暫存器之電荷而生成增倍電荷並一面予以傳送。第1放大器生成基於來自增倍暫存器之增倍電荷之信號。第2放大器生成基於藉由輸出暫存器向另一方向傳送之電荷之信號。閥閘電極係用於妨礙輸出暫存器與角形暫存器之間之電荷傳送之電極。
简体摘要：本发明系提供一种固态摄像设备,本发明之一实施形态之固态摄像设备具备:摄像区域、输出寄存器、角形寄存器、增倍寄存器、第1放大器、第2放大器及阀闸电极。输出寄存器系接收自摄像区域发送之电荷再将该电荷发送之发送寄存器。输出寄存器可将电荷向一方向及与该一方向相反之另一方向选择性发送。角形寄存器系发送从输出寄存器向一方向发送之电荷。增倍寄存器系接收来自角形寄存器之电荷而生成增倍电荷并一面予以发送。第1放大器生成基于来自增倍寄存器之增倍电荷之信号。第2放大器生成基于借由输出寄存器向另一方向发送之电荷之信号。阀闸电极系用于妨碍输出寄存器与角形寄存器之间之电荷发送之电极。

2. 发明专利

TWI499294B 固態攝像裝置有权
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TWI499294B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW099102710
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/148
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/76816 , H04N5/3725

3. 发明专利

TW201103140A 內建電子倍增功能型之固體攝像元件审中-公开
简体标题：内置电子倍增功能型之固体摄像组件
公开(公告)号：TW201103140A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW099102723
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木久則 , 米田康人 , 高木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816
摘要：本發明之內建電子倍增功能型之固體攝像元件中，在倍增暫存器EM之垂直於電子傳送方向的剖面內，絕緣層2兩側部之厚度大於中央區域之厚度，在N型半導體區域1C之中央區域與兩側部之交界，形成有一對溢流式汲極1N，各溢流式汲極1N係沿著倍增暫存器EM之電子傳送方向延伸。溢流式閘極電極G係從絕緣層2之較薄部分以至較厚部分延伸，又，其係介存於各傳送電極8(8A、8B)之長向之兩端部與絕緣層2之間，且作為對各電極8(8A、8B)之屏蔽電極亦發揮功能。
简体摘要：本发明之内置电子倍增功能型之固体摄像组件中，在倍增寄存器EM之垂直于电子发送方向的剖面内，绝缘层2两侧部之厚度大于中央区域之厚度，在N型半导体区域1C之中央区域与两侧部之交界，形成有一对溢流式汲极1N，各溢流式汲极1N系沿着倍增寄存器EM之电子发送方向延伸。溢流式闸极电极G系从绝缘层2之较薄部分以至较厚部分延伸，又，其系介存于各发送电极8(8A、8B)之长向之两端部与绝缘层2之间，且作为对各电极8(8A、8B)之屏蔽电极亦发挥功能。

4. 发明专利

TW201034454A 固態攝像裝置审中-公开
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TW201034454A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099102274
申请日：2010-01-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木久則 , 米田康人 , 高木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
IPC分类号： H04N , H01L
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L29/76816
摘要：本發明之一實施形態之固態攝像裝置,係多埠型之固態攝像裝置,其具備攝像區域、及複數之單元。攝像區域具有複數之像素行。複數之單元係生成基於來自攝像區域之電荷的信號者。複數之單元分別具有輸出暫存器、複數之倍增暫存器、及放大器。輸出暫存器係傳送來自複數之像素行中一個以上之對應之像素行的電荷。複數之倍增暫存器係並聯設置,且接受來自輸出暫存器之電荷而個別生成倍增之電荷。放大器係生成基於來自複數之倍增暫存器之經倍增電荷的信號。
简体摘要：本发明之一实施形态之固态摄像设备,系多端口型之固态摄像设备,其具备摄像区域、及复数之单元。摄像区域具有复数之像素行。复数之单元系生成基于来自摄像区域之电荷的信号者。复数之单元分别具有输出寄存器、复数之倍增寄存器、及放大器。输出寄存器系发送来自复数之像素行中一个以上之对应之像素行的电荷。复数之倍增寄存器系并联设置,且接受来自输出寄存器之电荷而个别生成倍增之电荷。放大器系生成基于来自复数之倍增寄存器之经倍增电荷的信号。

5. 发明专利

TW208094B 用於小圖素電荷耦合感像裝置之電荷倍增偵測器失效
简体标题：用于小图素电荷耦合感像设备之电荷倍增侦测器
公开(公告)号：TW208094B
公开(公告)日：1993-06-21
申请号：TW081108833
申请日：1992-11-05
申请人：德州儀器公司
发明人：賀加洛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14831 , H01L29/76858
摘要：概括而言，並且在本發明之一種形式，為揭示一種用以在電荷耦合之元件使電荷倍增之方法，包含在電荷耦合元件引起載荷子碰撞電離之步驟。
本發明也揭示其他裝置，系統及方法。
简体摘要：概括而言，并且在本发明之一种形式，为揭示一种用以在电荷耦合之组件使电荷倍增之方法，包含在电荷耦合组件引起载荷子碰撞电离之步骤。本发明也揭示其他设备，系统及方法。

6. 发明专利

TWI470781B 內建電子倍增功能型之固體攝像元件有权
简体标题：内置电子倍增功能型之固体摄像组件
公开(公告)号：TWI470781B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW099102723
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816

7. 发明专利

TWI466283B 用於產生一影像感測器及一影像捕捉裝置之方法有权
简体标题：用于产生一影像传感器及一影像捕捉设备之方法
公开(公告)号：TWI466283B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW100143607
申请日：2011-11-28
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：帕克斯克里斯多夫 , PARKS, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
CPC分类号： H04N5/355 , H01L29/76816 , H04N5/37213

8. 发明专利

TWI397950B 半導體ＣＣＤ裝置的製造方法失效
简体标题：半导体ＣＣＤ设备的制造方法
公开(公告)号：TWI397950B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW097149078
申请日：2008-12-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：關根弘一 , SEKINE, HIROKAZU , 佐佐木修 , SASAKI, SYU
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2652 , H01L29/76816 , H01L29/76875

9. 发明专利

TW201320280A 輸出級的結構有权
简体标题：输出级的结构
公开(公告)号：TW201320280A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101128089
申请日：2012-08-03
申请人：奇景光電股份有限公司 , HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：曾偉凱 , TSENG, WEI KAI
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L29/76816
摘要：一種輸出級的結構，其結構包括第一電極、第二電極、第三電極、多個第一輔助電極、多個第二輔助電極、多個第三輔助電極、多個第四輔助電極、第一開關單元及第二開關單元。其中，多個第一電流流經導通的第一開關單元且第一電流在導通的第一開關單元中的第一流動方向是由第一電極到第二電極。多個第二電流流經導通的第二開關單元且第二電流在導通的第二開關單元中的第二流動方向是由第二電極到第三電極。
简体摘要：一种输出级的结构，其结构包括第一电极、第二电极、第三电极、多个第一辅助电极、多个第二辅助电极、多个第三辅助电极、多个第四辅助电极、第一开关单元及第二开关单元。其中，多个第一电流流经导通的第一开关单元且第一电流在导通的第一开关单元中的第一流动方向是由第一电极到第二电极。多个第二电流流经导通的第二开关单元且第二电流在导通的第二开关单元中的第二流动方向是由第二电极到第三电极。

10. 发明专利

TW429625B 具有臨近於浮接擴散區之最終位能井的電荷移轉裝置有权
简体标题：具有临近于浮接扩散区之最终位能井的电荷移转设备
公开(公告)号：TW429625B
公开(公告)日：2001-04-11
申请号：TW088120301
申请日：1999-11-20
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：中柴康隆
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14698 , H01L27/14806 , Y10S257/912
摘要：一種電荷移轉裝置，具有位於電荷移轉電極(107a/107b/108a/108b/207a/208a)下方的電荷移轉區(102/103/203a/203b)，以便逐步地經由位能井傳遞電荷封包到浮接擴散區(112),且電荷移轉區擁有向浮接擴散區緊縮的邊界副區(102/203a/203b)，其中最終位能井產生於該邊界副區臨近於浮接擴散區的特定區域(203b)使得每一電荷封包移動經過一短距離，藉此加強電荷移轉效率。
简体摘要：一种电荷移转设备，具有位于电荷移转电极(107a/107b/108a/108b/207a/208a)下方的电荷移转区(102/103/203a/203b)，以便逐步地经由位能井传递电荷封包到浮接扩散区(112),且电荷移转区拥有向浮接扩散区紧缩的边界副区(102/203a/203b)，其中最终位能井产生于该边界副区临近于浮接扩散区的特定区域(203b)使得每一电荷封包移动经过一短距离，借此加强电荷移转效率。

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