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1. 发明专利

TW201614822A 背面入射型固體攝像裝置审中-公开
简体标题：背面入射型固体摄像设备
公开(公告)号：TW201614822A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104129183
申请日：2015-09-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14818 , H01L27/14 , H01L27/14685 , H01L27/148 , H01L27/14825 , H04N5/369 , H04N5/372
摘要：本發明之背面入射型固體攝像裝置SI包括半導體基板1、移位暫存器19、及遮光膜57。半導體基板1係於背面側具有光入射面，並且具有根據光入射而產生電荷之受光部13。移位暫存器19設置於半導體基板1之與光入射面相反側之光檢測面7側。遮光膜57設置於半導體基板1之光檢測面7側。遮光膜57具有與光檢測面7對向之凹凸面57a。
简体摘要：本发明之背面入射型固体摄像设备SI包括半导体基板1、移位寄存器19、及遮光膜57。半导体基板1系于背面侧具有光入射面，并且具有根据光入射而产生电荷之受光部13。移位寄存器19设置于半导体基板1之与光入射面相反侧之光检测面7侧。遮光膜57设置于半导体基板1之光检测面7侧。遮光膜57具有与光检测面7对向之凹凸面57a。

2. 发明专利

TW201119373A 固態攝像裝置审中-公开
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TW201119373A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099102710
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木久則 , 米田康人 , 高木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
IPC分类号： H04N , H01L
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/76816 , H04N5/3725
摘要：本發明係提供一種固態攝像裝置,本發明之一實施形態之固態攝像裝置具備:攝像區域、輸出暫存器、角形暫存器、增倍暫存器、第1放大器、第2放大器及閥閘電極。輸出暫存器係接收自攝像區域傳送之電荷再將該電荷傳送之傳送暫存器。輸出暫存器可將電荷向一方向及與該一方向相反之另一方向選擇性傳送。角形暫存器係傳送從輸出暫存器向一方向傳送之電荷。增倍暫存器係接收來自角形暫存器之電荷而生成增倍電荷並一面予以傳送。第1放大器生成基於來自增倍暫存器之增倍電荷之信號。第2放大器生成基於藉由輸出暫存器向另一方向傳送之電荷之信號。閥閘電極係用於妨礙輸出暫存器與角形暫存器之間之電荷傳送之電極。
简体摘要：本发明系提供一种固态摄像设备,本发明之一实施形态之固态摄像设备具备:摄像区域、输出寄存器、角形寄存器、增倍寄存器、第1放大器、第2放大器及阀闸电极。输出寄存器系接收自摄像区域发送之电荷再将该电荷发送之发送寄存器。输出寄存器可将电荷向一方向及与该一方向相反之另一方向选择性发送。角形寄存器系发送从输出寄存器向一方向发送之电荷。增倍寄存器系接收来自角形寄存器之电荷而生成增倍电荷并一面予以发送。第1放大器生成基于来自增倍寄存器之增倍电荷之信号。第2放大器生成基于借由输出寄存器向另一方向发送之电荷之信号。阀闸电极系用于妨碍输出寄存器与角形寄存器之间之电荷发送之电极。

3. 发明专利

TW201523859A 電荷耦合元件及其製造方法、以及固體攝像裝置审中-公开
简体标题：电荷耦合组件及其制造方法、以及固体摄像设备
公开(公告)号：TW201523859A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103138417
申请日：2014-11-05
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14685 , H01L27/14812 , H01L27/14825 , H01L27/14837 , H04N5/2253
摘要：各個像素區域PX具備光電轉換區域S1、電阻性閘極電極R、第1傳送電極T1、第2傳送電極T2、位於半導體基板10中之第1傳送電極T1正下方之障壁區域B、及位於半導體基板10中之第2傳送電極T2正下方之電荷儲存區域S2。障壁區域B之雜質濃度低於電荷儲存區域S2之雜質濃度，且第1傳送電極T1與第2傳送電極T2電性連接。
简体摘要：各个像素区域PX具备光电转换区域S1、电阻性闸极电极R、第1发送电极T1、第2发送电极T2、位于半导体基板10中之第1发送电极T1正下方之障壁区域B、及位于半导体基板10中之第2发送电极T2正下方之电荷存储区域S2。障壁区域B之杂质浓度低于电荷存储区域S2之杂质浓度，且第1发送电极T1与第2发送电极T2电性连接。

4. 发明专利

TWI481257B 固態攝像裝置有权
简体标题：固态摄像设备
公开(公告)号：TWI481257B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099102275
申请日：2010-01-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14806 , H04N5/3653 , H04N5/37213 , H04N5/378

5. 发明专利

TW201401496A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201401496A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102113344
申请日：2013-04-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 杉本賢一 , SUGIMOTO, KENICHI , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/1461 , H01L27/14629 , H01L27/14806 , H01L27/14843 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , Y02E10/50
摘要：本發明之固體攝像裝置1包括：半導體基板20，其具有相互對向之主面20a與主面20b，且於主面20a側設置有複數個光感應區域3；及絕緣膜61，其具有相互對向之主面61a與主面61b，且以主面61a與主面20a對向之方式配置於半導體基板20上。半導體基板20之主面20a中之與各光感應區域3對應之區域之、與半導體基板20之厚度方向平行之剖面係凹曲線與凸曲線交替地連續而成之波形狀。絕緣膜61之主面61a中之與各光感應區域3對應之區域之、與絕緣膜61之厚度方向平行之剖面係對應於主面20a而由凹曲線與凸曲線交替地連續而成之波形狀。絕緣膜61之主面61b為平坦。
简体摘要：本发明之固体摄像设备1包括：半导体基板20，其具有相互对向之主面20a与主面20b，且于主面20a侧设置有复数个光感应区域3；及绝缘膜61，其具有相互对向之主面61a与主面61b，且以主面61a与主面20a对向之方式配置于半导体基板20上。半导体基板20之主面20a中之与各光感应区域3对应之区域之、与半导体基板20之厚度方向平行之剖面系凹曲线与凸曲线交替地连续而成之波形状。绝缘膜61之主面61a中之与各光感应区域3对应之区域之、与绝缘膜61之厚度方向平行之剖面系对应于主面20a而由凹曲线与凸曲线交替地连续而成之波形状。绝缘膜61之主面61b为平坦。

6. 发明专利

TW201232771A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201232771A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100140987
申请日：2011-11-09
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：高木慎一郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L27/14612 , H01L27/14825 , H04N5/355 , H04N5/37213 , H04N5/3725
摘要：固體攝像裝置1包含:複數個光電轉換部3,其各自具有光感應區域15及電位梯度形成區域17,且以沿著與特定方向交叉之方向的方式並置;緩衝閘部5,其各自對應於光電轉換部3且配置於光感應區域15之成平面形狀之另一方之短邊側,並蓄積所對應之光電轉換部3之光感應區域15中產生之電荷;及移位暫存器9,其獲取自複數個緩衝閘部5分別傳送之電荷,並向與特定方向交叉之方向傳送並輸出。緩衝閘部5包含至少兩個閘極電極,該等閘極電極沿特定之方向配置,且以向特定之方向提高電勢之方式分別被賦與特定之電位。
简体摘要：固体摄像设备1包含:复数个光电转换部3,其各自具有光感应区域15及电位梯度形成区域17,且以沿着与特定方向交叉之方向的方式并置;缓冲闸部5,其各自对应于光电转换部3且配置于光感应区域15之成平面形状之另一方之短边侧,并蓄积所对应之光电转换部3之光感应区域15中产生之电荷;及移位寄存器9,其获取自复数个缓冲闸部5分别发送之电荷,并向与特定方向交叉之方向发送并输出。缓冲闸部5包含至少两个闸极电极,该等闸极电极沿特定之方向配置,且以向特定之方向提高电势之方式分别被赋与特定之电位。

7. 发明专利

TW201103139A 內建電子倍增功能型之固體攝像元件审中-公开
简体标题：内置电子倍增功能型之固体摄像组件
公开(公告)号：TW201103139A
公开(公告)日：2011-01-16
申请号：TW099102711
申请日：2010-01-29
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司
发明人：鈴木久則 , 米田康人 , 高木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/1485 , H01L27/1464 , H01L27/14843 , H04N5/335 , H04N5/37213
摘要：本發明之固體攝像元件具備有：P型半導體基板1A；於半導體基板1A上生長之P型磊晶層1B；形成於磊晶層1B內之攝像區域VR；具有形成於磊晶層1B內之N型半導體區域1C並傳送來自攝像區域VR之信號之水平移位暫存器HR；及形成於磊晶層1B內之P型阱區域1D。N型之半導體區域1C係延伸至阱區域1D內，阱區域1D內之P型雜質濃度係高於磊晶層1B內之P型雜質濃度，在阱區域1D中，形成有倍增來自水平移位暫存器之電子之倍增暫存器EM。
简体摘要：本发明之固体摄像组件具备有：P型半导体基板1A；于半导体基板1A上生长之P型磊晶层1B；形成于磊晶层1B内之摄像区域VR；具有形成于磊晶层1B内之N型半导体区域1C并发送来自摄像区域VR之信号之水平移位寄存器HR；及形成于磊晶层1B内之P型阱区域1D。N型之半导体区域1C系延伸至阱区域1D内，阱区域1D内之P型杂质浓度系高于磊晶层1B内之P型杂质浓度，在阱区域1D中，形成有倍增来自水平移位寄存器之电子之倍增寄存器EM。

8. 发明专利

TW201921665A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201921665A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128773
申请日：2018-08-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148
摘要：第一區域包含排列於第一方向之複數個第一傳送行區域。第二區域包含排列於第一方向之複數個第二傳送行區域。第二區域在第二傳送部中之電荷傳送方向上位於第一區域之下游。複數個第一傳送行區域之第二方向上之長度相同。複數個第二傳送行區域之第二方向上之長度大於第一傳送行區域之長度，且在電荷傳送方向上越為位於下游側之第二傳送行區域則越大。第三區域對應於第一區域而配置，且沿第一方向延伸。第四區域對應於第二區域而配置，且以第二方向上之與像素區域之間隔對應於複數個第二傳送行區域之長度變化而在電荷傳送方向上增大之方式延伸。
简体摘要：第一区域包含排列于第一方向之复数个第一发送行区域。第二区域包含排列于第一方向之复数个第二发送行区域。第二区域在第二发送部中之电荷发送方向上位于第一区域之下游。复数个第一发送行区域之第二方向上之长度相同。复数个第二发送行区域之第二方向上之长度大于第一发送行区域之长度，且在电荷发送方向上越为位于下游侧之第二发送行区域则越大。第三区域对应于第一区域而配置，且沿第一方向延伸。第四区域对应于第二区域而配置，且以第二方向上之与像素区域之间隔对应于复数个第二发送行区域之长度变化而在电荷发送方向上增大之方式延伸。

9. 发明专利

TW201921664A 固體攝像裝置审中-公开
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TW201921664A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107128772
申请日：2018-08-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 間瀬光人 , MASE, MITSUHITO , 平光純 , HIRAMITSU, JUN , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
摘要：光感應區域包含第一雜質區域、及與第一雜質區域相比雜質濃度較高之第二雜質區域。光感應區域具有在第二方向上遠離傳送部之一端、與在第二方向上靠近傳送部之另一端。第二雜質區域之俯視時之形狀相對於沿著第二方向之光感應區域之中心線成線對稱。第二雜質區域在第一方向上之寬度沿自一端朝向另一端之傳送方向增加。將光感應區域在第二方向上分割成n個之各區間中之第二雜質區域之寬度之增加率在傳送方向上逐漸增大。n為2以上之整數。
简体摘要：光感应区域包含第一杂质区域、及与第一杂质区域相比杂质浓度较高之第二杂质区域。光感应区域具有在第二方向上远离发送部之一端、与在第二方向上靠近发送部之另一端。第二杂质区域之俯视时之形状相对于沿着第二方向之光感应区域之中心线成线对称。第二杂质区域在第一方向上之宽度沿自一端朝向另一端之发送方向增加。将光感应区域在第二方向上分割成n个之各区间中之第二杂质区域之宽度之增加率在发送方向上逐渐增大。n为2以上之整数。

10. 发明专利

TWI558209B 固體攝像裝置有权
简体标题：固体摄像设备
公开(公告)号：TWI558209B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW099102305
申请日：2010-01-27
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 高木慎一郎 , TAKAGI, SHINICHIRO , 前田堅太郎 , MAETA, KENTARO , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU
IPC分类号： H04N5/335
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14609 , H01L27/14812

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