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1. 发明专利

TWI556414B 有機發光二極體陣列的製備方法有权
简体标题：有机发光二极管数组的制备方法
公开(公告)号：TWI556414B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103102036
申请日：2014-01-21
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：簡良能 , CHIEN, LIANG NENG , 鄭榮安 , CHENG, JUNG AN , 安東 , AN, DONG , 朱振東 , ZHU, ZHEN-DONG , 林昌廷 , LIN, CHANG TING , 吳逸蔚 , WU, I WEI , 李群慶 , LI, QUN-QING , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/0013 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3281 , H01L51/52 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L2227/323 , H01L2251/558

2. 发明专利

TW201609749A 有機電場發光電晶體（一）审中-公开
简体标题：有机电场发光晶体管（一）
公开(公告)号：TW201609749A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104124105
申请日：2015-07-24
申请人：波利亞有限公司 , POLYERA CORPORATION , E T C 有限責任公司 , E. T. C. S. R. L. , 義大利國家研究委員會 , CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)
发明人：菲奇提安東尼歐 , FACCHETTI, ANTONIO , 烏斯塔哈肯 , USTA, HAKAN , 登提米歇爾 , DENTI, MITCHELL , 拜昂多薇薇安 , BIONDO, VIVIANA , 索爾丹諾卡泰里那 , SOLDANO, CATERINA , 穆奇尼米歇爾 , MUCCINI, MICHELE
IPC分类号： C07D495/04 , C07D493/04 , C07D517/04 , H05B33/22 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5296 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/0545 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5203
摘要：本發明教示內容係關於具有改良之光發射特徵的有機電場發光電晶體。更特定言之，本發明有機電場發光電晶體具有包括至少一個n型半導體材料層、至少一個p型半導體材料層及佈置在該p型半導體材料層與該n型半導體材料層之間的至少一個發射材料層的發射雙極通道，其中該n型半導體材料包含由式(N-1)表示之電子傳輸化合物：其中X、Ar、Ar'、R1、R2、m及m'如本文所定義。
简体摘要：本发明教示内容系关于具有改良之光发射特征的有机电场发光晶体管。更特定言之，本发明有机电场发光晶体管具有包括至少一个n型半导体材料层、至少一个p型半导体材料层及布置在该p型半导体材料层与该n型半导体材料层之间的至少一个发射材料层的发射双极信道，其中该n型半导体材料包含由式(N-1)表示之电子传输化合物：其中X、Ar、Ar'、R1、R2、m及m'如本文所定义。

3. 发明专利

TWI445802B 發光元件，發光裝置與電子用具有权
简体标题：发光组件，发光设备与电子用具
公开(公告)号：TWI445802B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW097132836
申请日：2008-08-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：牛窪孝洋 , USHIKUBO, TAKAHIRO , 瀨尾哲史 , SEO, SATOSHI
IPC分类号： C09K11/06 , C07D209/82 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L27/3209 , H01L27/3281 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5212 , Y02B20/181 , Y10S428/917

4. 发明专利

TWI431804B 製造可定址及靜態電子顯示器、發電或其它電子裝置之方法失效
简体标题：制造可寻址及静态电子显示器、发电或其它电子设备之方法
公开(公告)号：TWI431804B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW097145855
申请日：2008-11-27
申请人：無限科技全球公司 , NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC.
发明人：馬克D. 洛文索 , LOWENTHAL, MARK D. , 威廉約翰斯頓雷 , RAY, WILLIAM JOHNSTONE
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/3281 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/054 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201311043A 發光元件，發光裝置以及電子裝置审中-公开
简体标题：发光组件，发光设备以及电子设备
公开(公告)号：TW201311043A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101141148
申请日：2009-12-28
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：瀨尾哲史 , SEO, SATOSHI , 鈴木恒德 , SUZUKI, TSUNENORI
IPC分类号： H05B33/14 , C09K11/06 , C07D209/86
CPC分类号： H01L51/5012 , H01L27/3246 , H01L27/3281 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5056 , H01L2251/552
摘要：本發明提供一種發光元件，包括第一發光層、與第一發光層接觸的第二發光層、第二電極。第一發光層包括第一發光物質及電洞傳輸性的有機化合物，並且第二發光層包括第二發光物質及電子傳輸性的有機化合物。選擇物質，以便第一和第二發光物質的最低空分子軌域能級與電子傳輸性的有機化合物的最低空分子軌域能級之差是0.2eV或以下，並且，電洞傳輸性的有機化合物的最高佔有分子軌域能級與第一和第二發光物質的最高佔有分子軌域能級之差是0.2eV或以下，並且電洞傳輸性的有機化合物的最低空分子軌域能級和第一發光物質的最低空分子軌域能級之差大於0.3eV。
简体摘要：本发明提供一种发光组件，包括第一发光层、与第一发光层接触的第二发光层、第二电极。第一发光层包括第一发光物质及电洞传输性的有机化合物，并且第二发光层包括第二发光物质及电子传输性的有机化合物。选择物质，以便第一和第二发光物质的最低空分子轨域能级与电子传输性的有机化合物的最低空分子轨域能级之差是0.2eV或以下，并且，电洞传输性的有机化合物的最高占有分子轨域能级与第一和第二发光物质的最高占有分子轨域能级之差是0.2eV或以下，并且电洞传输性的有机化合物的最低空分子轨域能级和第一发光物质的最低空分子轨域能级之差大于0.3eV。

6. 发明专利

TW201138177A 電氣裝置及其製造方法 ELECTRICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：电气设备及其制造方法 ELECTRICAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201138177A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100107516
申请日：2011-03-07
申请人：住友化學股份有限公司
发明人：笠原健司 , 清水誠也 , 倉田知己
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L51/525 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/107 , H01L51/5246
摘要：本發明之電氣裝置具有:支持基板12;電氣電路14,被設在設定於支持基板12上之密封區域內;密封構件16,包圍密封區域,被設在支持基板12上;密封基板17,貼合在支持基板12,在其間包夾有密封構件16;以及間隔物23,被配置在支持基板12和密封基板17之間。電氣電路14具備具有有機層之電子元件24,密封構件16和間隔物23使用相同材料形成。
简体摘要：本发明之电气设备具有:支持基板12;电气电路14,被设在设置于支持基板12上之密封区域内;密封构件16,包围密封区域,被设在支持基板12上;密封基板17,贴合在支持基板12,在其间包夹有密封构件16;以及间隔物23,被配置在支持基板12和密封基板17之间。电气电路14具备具有有机层之电子组件24,密封构件16和间隔物23使用相同材料形成。

7. 发明专利

TW201117652A 有機發光二極體照明裝置 ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE LUMINAIRES 审中-公开
简体标题：有机发光二极管照明设备 ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE LUMINAIRES
公开(公告)号：TW201117652A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099128184
申请日：2010-08-23
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：杜比司克爾溫D , 賀朗諾曼 , 羅斯多切夫弗瑟孚羅
IPC分类号： H05B , C07D , C07F
CPC分类号： H01L27/3281 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , H01L27/3206 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L51/0085 , H01L51/5206 , H01L2251/5361 , H05B33/14 , Y02B20/181
摘要：本發明提供一種有機發光二極體照明器具。該照明器具包括一圖型化第一電極、一第二電極與其間之一發光層。該發光層包括具有一第一複數像素,其具有一藍-綠色發射顏色以及一第二複數個像素,其具有一紅-橘色發射顏色,該第二複數個像素係橫向間隔於該第一複數個像素。該發射顏色之加成性混合產生一白光之整體發射。
简体摘要：本发明提供一种有机发光二极管照明器具。该照明器具包括一图型化第一电极、一第二电极与其间之一发光层。该发光层包括具有一第一复数像素,其具有一蓝-绿色发射颜色以及一第二复数个像素,其具有一红-橘色发射颜色,该第二复数个像素系横向间隔于该第一复数个像素。该发射颜色之加成性混合产生一白光之整体发射。

8. 发明专利

TW201108487A 光電元件及其製造方法 ELECTRO-OPTIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：光电组件及其制造方法 ELECTRO-OPTIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201108487A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099123195
申请日：2010-07-14
申请人：周星工程股份有限公司
发明人：李亨燮 , 劉致旭 , 李成姬
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/3281 , H01L51/5221 , H01L51/56
摘要：本發明提供一種光電元件及一種用於製造該光電元件之方法。該方法包含:在一基板上形成一底部電極;形成跨越該底部電極之一第一絕緣膜;在其上形成有該底部電極及該第一絕緣膜之該基板上形成一有機物膜;在該有機物膜上形成一頂部膜;及藉由透過一雷射劃線製程移除該頂部膜之一部分來形成跨越該底部電極之一頂部電極。本文中,在該透過該雷射劃線製程形成該頂部電極中,可將該頂部電極之一下側之一邊緣區域定位於該第一絕緣膜上方。因此,可減少形成該頂部電極所需之處理裝置及步驟的數目,藉此簡化製造製程並節約製造成本。此外,由於在該頂部電極之一邊緣區域下方形成一絕緣膜,即使該頂部電極之該邊緣區域在一雷射劃線製程期間受到損壞,亦可防止由該頂部電極之變形導致之洩漏電流的產生及該光電元件的失靈。因此,可改良光電元件的可靠性。
简体摘要：本发明提供一种光电组件及一种用于制造该光电组件之方法。该方法包含:在一基板上形成一底部电极;形成跨越该底部电极之一第一绝缘膜;在其上形成有该底部电极及该第一绝缘膜之该基板上形成一有机物膜;在该有机物膜上形成一顶部膜;及借由透过一激光划线制程移除该顶部膜之一部分来形成跨越该底部电极之一顶部电极。本文中,在该透过该激光划线制程形成该顶部电极中,可将该顶部电极之一下侧之一边缘区域定位于该第一绝缘膜上方。因此,可减少形成该顶部电极所需之处理设备及步骤的数目,借此简化制造制程并节约制造成本。此外,由于在该顶部电极之一边缘区域下方形成一绝缘膜,即使该顶部电极之该边缘区域在一激光划线制程期间受到损坏,亦可防止由该顶部电极之变形导致之泄漏电流的产生及该光电组件的失灵。因此,可改良光电组件的可靠性。

9. 发明专利

TW201001371A 有機電激發光矩陣元件之驅動方法及為此驅動之列電路审中-公开
简体标题：有机电激发光矩阵组件之驱动方法及为此驱动之列电路
公开(公告)号：TW201001371A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098104703
申请日：2009-02-13
申请人：富士電機控股股份有限公司
发明人：小林誠
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G3/3216 , G09G3/3266 , H01L27/3281
摘要：本發明係一種有機電激發光被動矩陣元件之驅動裝置及其方法，屬於有機電激發光被動矩陣元件之驅動方法，其中，提供在有機電激發光被動矩陣元件之驅動時，將非選擇線作為高阻抗狀態之驅動方法。列電路（800）乃具備：汲極端子接地之第1之FET801、和源極端子與第1之FET801之源極端子連接之第2之FET802、和源極端子與第2之FET802之汲極端子連接之第3之FET803、和汲極端子與第3之FET803之汲極端子連接，源極端子與電源電壓連接之第4之FET804、和與第1至第4之FET之閘極端子連接之邏輯器（810）。如此，於輸出線與電源線及接地之間，各插入逆向之FET。於驅動時，連接於非選擇線之列電路之邏輯器乃令所有第1至第4之FET做為關閉狀態。
简体摘要：本发明系一种有机电激发光被动矩阵组件之驱动设备及其方法，属于有机电激发光被动矩阵组件之驱动方法，其中，提供在有机电激发光被动矩阵组件之驱动时，将非选择线作为高阻抗状态之驱动方法。列电路（800）乃具备：汲极端子接地之第1之FET801、和源极端子与第1之FET801之源极端子连接之第2之FET802、和源极端子与第2之FET802之汲极端子连接之第3之FET803、和汲极端子与第3之FET803之汲极端子连接，源极端子与电源电压连接之第4之FET804、和与第1至第4之FET之闸极端子连接之逻辑器（810）。如此，于输出线与电源线及接地之间，各插入逆向之FET。于驱动时，连接于非选择线之列电路之逻辑器乃令所有第1至第4之FET做为关闭状态。

10. 发明专利

TW200950148A 可定址或靜態、發光、發電或其它電子裝置 ADDRESSABLE OR STATIC LIGHT EMITTING, POWER GENERATING OR OTHER ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
简体标题：可寻址或静态、发光、发电或其它电子设备 ADDRESSABLE OR STATIC LIGHT EMITTING, POWER GENERATING OR OTHER ELECTRONIC APPARATUS
公开(公告)号：TW200950148A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097145856
申请日：2008-11-27
申请人：無限科技全球公司
发明人：馬克D 洛文索 , 威廉約翰斯頓雷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/3281 , H01L25/0753 , H01L27/142 , H01L31/0475 , H01L31/048 , H01L31/0508 , H01L31/0512 , H01L31/054 , H01L2924/0002 , Y02E10/52 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了一種可定址式或是靜態的電子裝置，例如發光顯示器、或發電裝置。一個示範性的裝置包含具有複數個空穴的基板；連接至該基板且至少部份地包含在該空穴之內的複數個第一導體，且該複數個第一導體具有第一且實質上平行的方向；連接至該複數個第一導體且具有實質上垂直於該第一方向的第二方向的複數個發光二極體、光生伏打二極體、或其它電子元件；以及連接至該複數個二極體且具有實質上垂直於該第二方向以及實質上垂直於該第一方向的第三方向的複數個實質上光學穿透式的第二導體。在一個示範性的方法中，在一種懸浮的媒介中的該複數個電子元件係沉積在該複數個空穴之內，且該複數個電子元件係使用一種外加場來定向，接下來是將該複數個電子元件黏接至該複數個第一導體。
简体摘要：本发明提供了一种可寻址式或是静态的电子设备，例如发光显示器、或发电设备。一个示范性的设备包含具有复数个空穴的基板；连接至该基板且至少部份地包含在该空穴之内的复数个第一导体，且该复数个第一导体具有第一且实质上平行的方向；连接至该复数个第一导体且具有实质上垂直于该第一方向的第二方向的复数个发光二极管、光生伏打二极管、或其它电子组件；以及连接至该复数个二极管且具有实质上垂直于该第二方向以及实质上垂直于该第一方向的第三方向的复数个实质上光学穿透式的第二导体。在一个示范性的方法中，在一种悬浮的媒介中的该复数个电子组件系沉积在该复数个空穴之内，且该复数个电子组件系使用一种外加场来定向，接下来是将该复数个电子组件黏接至该复数个第一导体。

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