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1. 发明专利

TWI620996B 電子束微影方法及其系統有权
简体标题：电子束微影方法及其系统
公开(公告)号：TWI620996B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW105139545
申请日：2016-11-30
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：管傑雄 , KUAN, CHIEH HSIUNG , 粘群 , NIEN, CHUN , 蘇文生 , SU, WEN SHENG , 張立成 , CHANG, LI CHEN , 鍾政桓 , CHUNG, CHENG HUAN , 饒偉正 , RAO, WEI CHENG , 葉修昀 , YEH, HSIU YUN , 張韶文 , CHANG, SHAO WEN , 沈冠源 , SHEN, KUAN YUAN , 小野進 , ONO, SUSUMN
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3002 , H01J37/3174 , H01J2237/2001 , H01J2237/31754

2. 发明专利

TW201503229A 安定時間之取得方法审中-公开
简体标题：安定时间之取得方法
公开(公告)号：TW201503229A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103105851
申请日：2014-02-21
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：西村理恵子 , NISHIMURA, RIEKO , 酒井道宏 , SAKAI, MICHIHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J2237/31754 , H01J2237/31776 , H01J2237/31798
摘要：本發明之一態樣之安定時間之取得方法，其特徵為：使用第1與第2成形孔口，以及使通過第1與第2成形孔口間的荷電粒子束偏向的偏向器成形的至少1次照射之荷電粒子束所導致的基準圖案描繪於1個以上的試料，使用第1與第2成形孔口與偏向器，使被成形為尺寸不同的第1與第2圖案的2次照射的荷電粒子束的組合所導致的解像後的圖案寬幅尺寸成為與設計上基準圖案相同的評估圖案，使針對第2次照射的粒子束成形控制偏向器的DAC(數位類比轉換器)放大器的安定時間為可變同時於各安定時間描繪於試料上，測定基準圖案的圖案寬幅尺寸，測定各安定時間之評估圖案的圖案寬幅尺寸，於各安定時間，算出基準圖案的圖案寬幅尺寸與評估圖案的圖案寬幅尺寸的差分，取得差分成為閾值以下的DAC放大器的安定時間。
简体摘要：本发明之一态样之安定时间之取得方法，其特征为：使用第1与第2成形孔口，以及使通过第1与第2成形孔口间的荷电粒子束偏向的偏向器成形的至少1次照射之荷电粒子束所导致的基准图案描绘于1个以上的试料，使用第1与第2成形孔口与偏向器，使被成形为尺寸不同的第1与第2图案的2次照射的荷电粒子束的组合所导致的解像后的图案宽幅尺寸成为与设计上基准图案相同的评估图案，使针对第2次照射的粒子束成形控制偏向器的DAC(数码模拟转换器)放大器的安定时间为可变同时于各安定时间描绘于试料上，测定基准图案的图案宽幅尺寸，测定各安定时间之评估图案的图案宽幅尺寸，于各安定时间，算出基准图案的图案宽幅尺寸与评估图案的图案宽幅尺寸的差分，取得差分成为阈值以下的DAC放大器的安定时间。

3. 发明专利

TW201346609A 用於高效率無罩電子束微影製程之圖案化資料系統审中-公开
简体标题：用于高效率无罩电子束微影制程之图案化数据系统
公开(公告)号：TW201346609A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102104690
申请日：2013-02-06
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：凱羅艾倫 , CARROLL, ALLEN
IPC分类号： G06F17/50 , G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5068 , G03F1/36 , H01J37/3177 , H01J2237/31754 , H01J2237/31761 , H01J2237/31762
摘要：一實施例係關於一種用於無罩電子束微影之圖案資料系統。該系統包含一轉譯器，該轉譯器接收預曝光晶粒影像資料，對該預曝光晶粒影像資料執行轉譯以產生光柵資料。該系統進一步包含通信地耦合至該轉譯器之複數個資料散發器。各資料散發器將該光柵資料調適至一相關聯圖案寫入器之特性。本發明亦揭示其他實施例、態樣及特徵。
简体摘要：一实施例系关于一种用于无罩电子束微影之图案数据系统。该系统包含一转译器，该转译器接收预曝光晶粒影像数据，对该预曝光晶粒影像数据运行转译以产生光栅数据。该系统进一步包含通信地耦合至该转译器之复数个数据散发器。各数据散发器将该光栅数据调适至一相关联图案写入器之特性。本发明亦揭示其他实施例、态样及特征。

4. 发明专利

TWI588863B 發射資料生成方法及多荷電粒子束描繪方法有权
简体标题：发射数据生成方法及多荷电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TWI588863B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104107917
申请日：2015-03-12
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：井上英郎 , INOUE, HIDEO
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317 , G06F17/50
CPC分类号： H01J37/3026 , G11B9/10 , H01J37/3177 , H01J2237/30422 , H01J2237/3175 , H01J2237/31754 , H01J2237/31762

5. 发明专利

TW201606840A 電子束描繪裝置及電子束描繪方法审中-公开
简体标题：电子束描绘设备及电子束描绘方法
公开(公告)号：TW201606840A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104113031
申请日：2015-04-23
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松井秀樹 , MATSUI, HIDEKI
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/147 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/30472 , H01J2237/31754 , H01J2237/31762 , H01J2237/31764
摘要：電子束描繪裝置，具備：第1孔徑，將從電子槍射出之電子束成形；第2孔徑，供通過第1孔徑之孔徑像的電子束投影；及第1成形偏向器及第2成形偏向器，分別設於第1孔徑與第2孔徑之間，使電子束偏向，控制前述孔徑像在第2孔徑上的照射位置，並決定擊發形狀及擊發尺寸。第1成形偏向器，係令電子束偏向，以使孔徑像位於對應於擊發形狀及擊發尺寸而訂定之位置，第2成形偏向器，係令藉由第1成形偏向器而偏向之電子束偏向，以控制形成所需的擊發尺寸。
简体摘要：电子束描绘设备，具备：第1孔径，将从电子枪射出之电子束成形；第2孔径，供通过第1孔径之孔径像的电子束投影；及第1成形偏向器及第2成形偏向器，分别设于第1孔径与第2孔径之间，使电子束偏向，控制前述孔径像在第2孔径上的照射位置，并决定击发形状及击发尺寸。第1成形偏向器，系令电子束偏向，以使孔径像位于对应于击发形状及击发尺寸而订定之位置，第2成形偏向器，系令借由第1成形偏向器而偏向之电子束偏向，以控制形成所需的击发尺寸。

6. 发明专利

TW201603103A 發射資料生成方法及多荷電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：发射数据生成方法及多荷电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW201603103A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104107917
申请日：2015-03-12
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：井上英郎 , INOUE, HIDEO
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317 , G06F17/50
CPC分类号： H01J37/3026 , G11B9/10 , H01J37/3177 , H01J2237/30422 , H01J2237/3175 , H01J2237/31754 , H01J2237/31762
摘要：本發明之一態樣之發射資料生成方法，其特徵係，輸入用以使用多荷電粒子束來對試料描繪圖案的描繪資料，使用第1碼、第2碼及第3碼之任一，生成多荷電粒子束之各射束用的發射資料，該第1碼，係將描繪資料進行轉換而表示事先設定的第1照射時間，該第2碼，係表示照射時間為零的情形，該第3碼，係表示非第1照射時間，且照射時間也非零的情形。
简体摘要：本发明之一态样之发射数据生成方法，其特征系，输入用以使用多荷电粒子束来对试料描绘图案的描绘数据，使用第1码、第2码及第3码之任一，生成多荷电粒子束之各射束用的发射数据，该第1码，系将描绘数据进行转换而表示事先设置的第1照射时间，该第2码，系表示照射时间为零的情形，该第3码，系表示非第1照射时间，且照射时间也非零的情形。

7. 发明专利

TW201518869A 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法审中-公开
简体标题：多重带电粒子束描绘设备及多重带电粒子束描绘方法
公开(公告)号：TW201518869A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103115357
申请日：2014-04-29
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：松本裕信 , MATSUMOTO, HIRONOBU
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01J37/243 , H01J37/045 , H01J37/20 , H01J37/3007 , H01J37/3177 , H01J2237/31754 , H01J2237/31774
摘要：多重帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：平台，係載置塗布有阻劑之試料，且可連續移動；放出部，放出帶電粒子束；孔徑構件，形成有複數個開口部，在包含前述複數個開口部全體之區域受到前述帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個開口部，藉此形成多射束；複數個遮沒器，對於通過前述孔徑構件的複數個開口部的多射束當中分別相對應的射束進行遮沒偏向；遮沒孔徑構件，將藉由前述複數個遮沒器而偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽；照射量演算部，演算使前述阻劑解析的第1照射量，以用於前述多射束當中對應於配置有圖形圖樣的有圖樣區域之射束，並演算不致使前述阻劑解析的第2照射量，以用於前述多射束當中對應於圍繞前述圖形圖樣周圍而未配置圖形圖樣的無圖樣區域之射束；及偏向控制部，分別控制前述複數個遮沒器，使得前述多射束的各射束分別成為演算出之照射量。
简体摘要：多重带电粒子束描绘设备，其特征为，具备：平台，系载置涂布有阻剂之试料，且可连续移动；放出部，放出带电粒子束；孔径构件，形成有复数个开口部，在包含前述复数个开口部全体之区域受到前述带电粒子束的照射，前述带电粒子束的一部分分别通过前述复数个开口部，借此形成多射束；复数个遮没器，对于通过前述孔径构件的复数个开口部的多射束当中分别相对应的射束进行遮没偏向；遮没孔径构件，将借由前述复数个遮没器而偏向成为射束OFF状态之各射束加以屏蔽；照射量演算部，演算使前述阻剂解析的第1照射量，以用于前述多射束当中对应于配置有图形图样的有图样区域之射束，并演算不致使前述阻剂解析的第2照射量，以用于前述多射束当中对应于围绕前述图形图样周围而未配置图形图样的无图样区域之射束；及偏向控制部，分别控制前述复数个遮没器，使得前述多射束的各射束分别成为演算出之照射量。

8. 发明专利

TWI525661B 安定時間之取得方法有权
简体标题：安定时间之取得方法
公开(公告)号：TWI525661B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103105851
申请日：2014-02-21
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：西村理恵子 , NISHIMURA, RIEKO , 酒井道宏 , SAKAI, MICHIHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J2237/31754 , H01J2237/31776 , H01J2237/31798

9. 发明专利

TW201432772A 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束的照射量檢查方法审中-公开
简体标题：荷电粒子束描绘设备及荷电粒子束的照射量检查方法
公开(公告)号：TW201432772A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102138484
申请日：2013-10-24
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：加藤靖雄 , KATO, YASUO , 菅沼瑞奈 , SUGANUMA, MIZUNA
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/31754 , H01J2237/31761 , H01J2237/31769
摘要：本發明之一形態的荷電粒子束描繪裝置的特徵係具備：運算部，其係補正近接效應，覆蓋效應及負載效應的其中至少1個所引起的尺寸變動，且運算表示依據從外部輸入的劑量調變量所被劑量調變的荷電粒子束的每單位面積的照射量之照射量密度；判定部，其係判定前述照射量密度是否超過容許值；及描繪部，其係利用荷電粒子束來對試料描繪圖案。
简体摘要：本发明之一形态的荷电粒子束描绘设备的特征系具备：运算部，其系补正近接效应，覆盖效应及负载效应的其中至少1个所引起的尺寸变动，且运算表示依据从外部输入的剂量调制量所被剂量调制的荷电粒子束的每单位面积的照射量之照射量密度；判定部，其系判定前述照射量密度是否超过容许值；及描绘部，其系利用荷电粒子束来对试料描绘图案。

10. 发明专利

TW201246261A 用於磁性屏蔽的系統 SYSTEM FOR MAGNETIC SHIELDING 审中-公开
简体标题：用于磁性屏蔽的系统 SYSTEM FOR MAGNETIC SHIELDING
公开(公告)号：TW201246261A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101104865
申请日：2012-02-15
申请人：瑪波微影IP公司
发明人：羅森多艾隆
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： G03F7/70858 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/708 , H01J37/09 , H01J37/1475 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0264 , H01J2237/31754 , H01J2237/31774 , H01J2237/31793 , H01L21/6719 , H01L21/67213
摘要：本發明係與用於磁性屏蔽一個帶電荷粒子微影蝕刻設備之一個系統有關。該系統係包括一個第一腔室、一個第二腔室、和一組雙線圈。該第一腔室係具有多個壁部，且至少部分地封圍該帶電荷粒子微影蝕刻設備，其中該等壁部係包括一個磁性屏蔽材料。該第二腔室係同樣具有多個壁部，且封圍該第一腔室，其中該等壁部係包括一個磁性屏蔽材料。該組雙線圈係被置放在該第二腔室中，而位在該第一腔室的相對側邊上。該組雙線圈係具有一個共用軸線。
简体摘要：本发明系与用于磁性屏蔽一个带电荷粒子微影蚀刻设备之一个系统有关。该系统系包括一个第一腔室、一个第二腔室、和一组双线圈。该第一腔室系具有多个壁部，且至少部分地封围该带电荷粒子微影蚀刻设备，其中该等壁部系包括一个磁性屏蔽材料。该第二腔室系同样具有多个壁部，且封围该第一腔室，其中该等壁部系包括一个磁性屏蔽材料。该组双线圈系被置放在该第二腔室中，而位在该第一腔室的相对侧边上。该组双线圈系具有一个共享轴线。

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