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1. 发明专利

TW200947505A 場發射顯示器 FIELD EMISSION DISPLAY 审中-公开
简体标题：场发射显示器 FIELD EMISSION DISPLAY
公开(公告)号：TW200947505A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097146950
申请日：2008-12-03
申请人：光學實驗室公司
发明人：胡魁鴻 , 拉契札柯米托夫
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J9/025 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30496 , H01J2209/0223
摘要：本發明係關於一種用於一場發射顯示器之製造的方法，其包含以下步驟：在一真空室中安置一電子發射受體；在該電子發射受體附近安置一波長轉換材料；及在該真空室中安置一電子發射源，該電子發射源經調適以向該電子發射受體發射電子，其中該電子發射源係藉由以下操作來形成：提供一基板；在該基板上形成複數個ZnO奈米結構，其中該等ZnO奈米結構各具有一第一端及一第二端，且使該第一端連接至該基板；安置一電絕緣體以使該等ZnO奈米結構彼此電絕緣；使一導電部件連接至該等ZnO奈米結構中之一選定者之該第二端；將一支撐結構安置於該導電部件上；及移除該基板，藉此曝露該等ZnO奈米結構之該第一端。本發明之優勢包括(例如)場發射顯示器之壽命增長，因為將僅存在較小部分之非高度對準奈米結構。另外，由於無須使用昂貴的蝕刻、研磨或類似方法步驟來對奈米結構進行高度對準，因此可能達成價格較低之最終產品。本發明亦關於相應場發射顯示器。
简体摘要：本发明系关于一种用于一场发射显示器之制造的方法，其包含以下步骤：在一真空室中安置一电子发射受体；在该电子发射受体附近安置一波长转换材料；及在该真空室中安置一电子发射源，该电子发射源经调适以向该电子发射受体发射电子，其中该电子发射源系借由以下操作来形成：提供一基板；在该基板上形成复数个ZnO奈米结构，其中该等ZnO奈米结构各具有一第一端及一第二端，且使该第一端连接至该基板；安置一电绝缘体以使该等ZnO奈米结构彼此电绝缘；使一导电部件连接至该等ZnO奈米结构中之一选定者之该第二端；将一支撑结构安置于该导电部件上；及移除该基板，借此曝露该等ZnO奈米结构之该第一端。本发明之优势包括(例如)场发射显示器之寿命增长，因为将仅存在较小部分之非高度对准奈米结构。另外，由于无须使用昂贵的蚀刻、研磨或类似方法步骤来对奈米结构进行高度对准，因此可能达成价格较低之最终产品。本发明亦关于相应场发射显示器。

2. 发明专利

TW201522972A 銥針尖、氣體場致電離離子源、聚焦離子束裝置、電子源、電子顯微鏡、電子束應用分析裝置、離子電子複合束裝置、掃描探針顯微鏡、及遮罩修正裝置审中-公开
简体标题：铱针尖、气体场致电离离子源、聚焦离子束设备、电子源、电子显微镜、电子束应用分析设备、离子电子复合束设备、扫描探针显微镜、及遮罩修正设备
公开(公告)号：TW201522972A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126739
申请日：2014-08-05
申请人：日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：小堺智一 , KOZAKAI, TOMOKAZU , 松田修 , MATSUDA, OSAMU , 杉山安彦 , SUGIYAMA, YASUHIKO , 相田和男 , AITA, KAZUO , 荒卷文朗 , ARAMAKI, FUMIO , 八坂行人 , YASAKA, ANTO , 大庭弘 , OBA, HIROSHI
IPC分类号： G01Q60/10 , G01Q60/24 , H01J1/304 , H01J37/073 , H01J37/08
CPC分类号： H01J1/3044 , G01Q60/10 , G01Q60/16 , G01Q60/24 , G01Q70/08 , G01Q70/16 , H01J1/3048 , H01J37/073 , H01J37/08 , H01J37/21 , H01J37/28 , H01J37/3002 , H01J2201/30415 , H01J2201/30496 , H01J2237/002 , H01J2237/006
摘要：能夠位置再現性良好地製作形成於銥針尖的末端部的末端為1個原子的角錐結構，既能夠使得雜質不易附著，又能夠長時間保持末端的1個原子。銥針尖在銳化的〈210〉方位的單晶的末端部具有角錐結構，該角錐結構的末端僅透過1個銥原子形成，該銥原子由1個{100}結晶面和2個{111}結晶面包圍。將形成角錐結構的末端的1個銥原子作為第1層，第1層的正下方的第2層具有位於三角形的頂點的3個銥原子，第2層的正下方的第3層具有位於三角形的頂點和邊的6個銥原子。
简体摘要：能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的末端部的末端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持末端的1个原子。铱针尖在锐化的〈210〉方位的单晶的末端部具有角锥结构，该角锥结构的末端仅透过1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的末端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。

3. 发明专利

TW201241861A 雙面發光型場發射元件及其製作方法审中-公开
简体标题：双面发光型场发射组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201241861A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100111627
申请日：2011-04-01
申请人：國立中正大學
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智 , 林旺樺 , 阮彥銘 , 邱勝正
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/22 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496 , H01J2329/0407 , H01J2329/0455 , H01J2329/0473 , H01J2329/18
摘要：本發明係揭露一種雙面發光型場發射元件及其製作方法,其係至少包含有透明導電層、混合場發射層及透明封裝材。本發明係直接使用混合有場發射源及螢光粉的混合場發射層來同時作為陰極和陽極,給予一交流電源時,使因陽極角色隨頻率互換,以形成雙面發光之結構。因此,本發明應用範圍極為廣泛,並具有保護場發射源、活化場發射源、降低場發電弧(arcing)效應、導電型螢光粉及亮度提升等之優點。
简体摘要：本发明系揭露一种双面发光型场发射组件及其制作方法,其系至少包含有透明导电层、混合场发射层及透明封装材。本发明系直接使用混合有场发射源及萤光粉的混合场发射层来同时作为阴极和阳极,给予一交流电源时,使因阳极角色随频率互换,以形成双面发光之结构。因此,本发明应用范围极为广泛,并具有保护场发射源、活化场发射源、降低场发电弧(arcing)效应、导电型萤光粉及亮度提升等之优点。

4. 发明专利

TW201214495A 場發射陰極 FIELD EMISSION CATHODE 审中-公开
简体标题：场发射阴极 FIELD EMISSION CATHODE
公开(公告)号：TW201214495A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100111874
申请日：2011-04-06
申请人：光學實驗室公司
发明人：胡魁鴻
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要：本發明係關於一種場發射陰極，該場發射陰極包含至少部分導電基底結構，及空間上分佈於該基底結構處之複數個導電微米大小區段，其中該複數個微米大小區段之至少一部分各自具備複數個導電奈米結構。本發明之優點包括較低功率消耗，以及(例如)包含該場發射陰極之場發射照明配置之光輸出增加。
简体摘要：本发明系关于一种场发射阴极，该场发射阴极包含至少部分导电基底结构，及空间上分布于该基底结构处之复数个导电微米大小区段，其中该复数个微米大小区段之至少一部分各自具备复数个导电奈米结构。本发明之优点包括较低功率消耗，以及(例如)包含该场发射阴极之场发射照明配置之光输出增加。

5. 发明专利

TW201006944A 蒸發系統 EVAPORATION SYSTEM 审中-公开
简体标题：蒸发系统 EVAPORATION SYSTEM
公开(公告)号：TW201006944A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098112096
申请日：2009-04-10
申请人：光學實驗室公司
发明人：胡魁鴻
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/30 , C30B23/066 , H01J1/304 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J2201/30496 , H01J2237/06341 , H01J2237/30472 , H01J2237/3132
摘要：本發明係關於一種蒸發系統，其包含真空室、用於接納蒸發材料之坩堝、用於接納基板之基板托架及用於加熱欲沈積於該基板上之蒸發材料的電子束源，其中該電子束源與該坩堝及該基板托架一起配置於該真空室內部，該電子束源係一場發射電子束源，且該蒸發系統進一步包含用於控制由該場發射電子束源發射之電子之方向的控制單元，以使該等所發射之電子得以加熱該蒸發材料使其蒸發。藉由使用場發射電子束源而非先前技術電子束源，可增加該蒸發系統之效率，此乃因就切換時間、電流、動能及方向而言，可能更得以控制由該場發射電子束源發射之該等電子，以使該等所發射之電子得以加熱該蒸發材料，使得該蒸發材料以一完全受控制之方式蒸發。
简体摘要：本发明系关于一种蒸发系统，其包含真空室、用于接纳蒸发材料之坩埚、用于接纳基板之基板托架及用于加热欲沉积于该基板上之蒸发材料的电子束源，其中该电子束源与该坩埚及该基板托架一起配置于该真空室内部，该电子束源系一场发射电子束源，且该蒸发系统进一步包含用于控制由该场发射电子束源发射之电子之方向的控制单元，以使该等所发射之电子得以加热该蒸发材料使其蒸发。借由使用场发射电子束源而非先前技术电子束源，可增加该蒸发系统之效率，此乃因就切换时间、电流、动能及方向而言，可能更得以控制由该场发射电子束源发射之该等电子，以使该等所发射之电子得以加热该蒸发材料，使得该蒸发材料以一完全受控制之方式蒸发。

6. 发明专利

TWI483279B 場發射陰極有权
简体标题：场发射阴极
公开(公告)号：TWI483279B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW100111874
申请日：2011-04-06
申请人：光學實驗室公司 , LIGHTLAB SWEDEN AB
发明人：胡魁鴻 , HU, QIU-HONG
IPC分类号： H01J1/304 , H01J31/12
CPC分类号： H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473

7. 发明专利

TWI433192B 雙面發光型場發射元件及其製作方法有权
简体标题：双面发光型场发射组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI433192B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW100111627
申请日：2011-04-01
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智 , 林旺樺 , 阮彥銘 , 邱勝正
IPC分类号： H01J31/12 , H01J9/02
CPC分类号： H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/22 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496 , H01J2329/0407 , H01J2329/0455 , H01J2329/0473 , H01J2329/18

8. 发明专利

TWI397595B 蒸發系統有权
简体标题：蒸发系统
公开(公告)号：TWI397595B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098112096
申请日：2009-04-10
申请人：光學實驗室公司 , LIGHTLAB SWEDEN AB
发明人：胡魁鴻 , HU, QIU-HONG
IPC分类号： C23C14/30 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/30 , C30B23/066 , H01J1/304 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J2201/30496 , H01J2237/06341 , H01J2237/30472 , H01J2237/3132

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