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1. 发明专利

TWI453164B 具有海膽形狀之氧化銅材料的製備方法有权
简体标题：具有海胆形状之氧化铜材料的制备方法
公开(公告)号：TWI453164B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW101101469
申请日：2012-01-13
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , LI, YUAN YAO , 張代勳 , CHANG, TAI HSUN
IPC分类号： C01G3/02
CPC分类号： C01G3/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/30

2. 发明专利

TW201328982A 具有海膽形狀之氧化銅材料的製備方法审中-公开
简体标题：具有海胆形状之氧化铜材料的制备方法
公开(公告)号：TW201328982A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101469
申请日：2012-01-13
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , LI, YUAN YAO , 張代勳 , CHANG, TAI HSUN
IPC分类号： C01G3/02
CPC分类号： C01G3/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/30
摘要：一種具有海膽形狀之氧化銅材料的製備方法，包括以下步驟，提供大小約5至150微米之圓形銅粉；將此圓形銅粉置於一氧化鋁板上待升溫；以及，以300至700℃之反應溫度加熱上述之氧化鋁板，以在氧化鋁板上獲得具有海膽形狀之氧化銅材料。利用此種製備方法，僅需利用簡單的熱氧化法即可以單一步驟合成出不同型態的海膽狀氧化銅，且其再現性與穩定性都相當地高，在光電的應用上可發揮較大的功效。
简体摘要：一种具有海胆形状之氧化铜材料的制备方法，包括以下步骤，提供大小约5至150微米之圆形铜粉；将此圆形铜粉置于一氧化铝板上待升温；以及，以300至700℃之反应温度加热上述之氧化铝板，以在氧化铝板上获得具有海胆形状之氧化铜材料。利用此种制备方法，仅需利用简单的热氧化法即可以单一步骤合成出不同型态的海胆状氧化铜，且其再现性与稳定性都相当地高，在光电的应用上可发挥较大的功效。

3. 发明专利

TWI428284B 海膽形氧化鐵及其製造方法有权
简体标题：海胆形氧化铁及其制造方法
公开(公告)号：TWI428284B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099138149
申请日：2010-11-05
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 余欣熾 , 許力介
IPC分类号： C01G49/02
CPC分类号： C01G49/02 , B22F1/02 , C01G49/04 , C01G49/06 , C01G49/08 , Y10T428/2982

4. 发明专利

TW201303949A 三極型場發射裝置及其製作方法审中-公开
简体标题：三极型场发射设备及其制作方法
公开(公告)号：TW201303949A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100125106
申请日：2011-07-15
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智 , 阮彥銘 , 林旺樺
IPC分类号： H01J31/12 , H01J29/04
CPC分类号： H01J9/18 , B82Y10/00 , H01J63/04
摘要：本發明提供一種三極型場發射裝置及其製作方法，適用於曲面或平面基板上的全網印製程，可先利用網印方式同時形成陰極電極及閘極電極於一陰極基板上，且閘極電極與陰極電極之間具有一間距，以避免短路或干擾現象；再對位網印刺蝟狀場發射層至少形成於陰極電極上；於陽極基板上依序形成透明導電及發光層；最後間隔平行設置陰極基板及陽極基板，並封裝成一三極型場發射光源裝置。可控制陰極電極及閘極電極之偏壓以達到局部調光功能，且閘極電極可同時作為發射極使用，能提高場發射效率及壽命。
简体摘要：本发明提供一种三极型场发射设备及其制作方法，适用于曲面或平面基板上的全网印制程，可先利用网印方式同时形成阴极电极及闸极电极于一阴极基板上，且闸极电极与阴极电极之间具有一间距，以避免短路或干扰现象；再对位网印刺猬状场发射层至少形成于阴极电极上；于阳极基板上依序形成透明导电及发光层；最后间隔平行设置阴极基板及阳极基板，并封装成一三极型场发射光源设备。可控制阴极电极及闸极电极之偏压以达到局部调光功能，且闸极电极可同时作为发射极使用，能提高场发射效率及寿命。

5. 发明专利

TWI684567B 製備石墨烯量子點之方法有权
简体标题：制备石墨烯量子点之方法
公开(公告)号：TWI684567B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107124421
申请日：2018-07-12
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , LI, YUAN YAO , 江旻諭 , JIANG, MIN YU , 蔡承諺 , TSAI, CHENG YEN
IPC分类号： C01B32/19 , C09K11/65

6. 发明专利

TWI460759B 奈米碳管場發射電子源之製造方法有权
简体标题：奈米碳管场发射电子源之制造方法
公开(公告)号：TWI460759B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098115312
申请日：2009-05-08
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智
IPC分类号： H01J1/304 , H01J9/02 , B82B3/00

7. 发明专利

TWI437604B 三極型場發射裝置及其製作方法有权
简体标题：三极型场发射设备及其制作方法
公开(公告)号：TWI437604B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100125106
申请日：2011-07-15
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智 , 阮彥銘 , 林旺樺
IPC分类号： H01J31/12 , H01J29/04
CPC分类号： H01J9/18 , B82Y10/00 , H01J63/04

8. 发明专利

TWI433192B 雙面發光型場發射元件及其製作方法有权
简体标题：双面发光型场发射组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI433192B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW100111627
申请日：2011-04-01
申请人：國立中正大學 , NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智 , 林旺樺 , 阮彥銘 , 邱勝正
IPC分类号： H01J31/12 , H01J9/02
CPC分类号： H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J9/22 , H01J29/18 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496 , H01J2329/0407 , H01J2329/0455 , H01J2329/0473 , H01J2329/18

9. 发明专利

TWI605161B 含觸媒及奈米碳管之多孔洞的奈米碳纖維及其製造方法有权
简体标题：含触媒及奈米碳管之多孔洞的奈米碳纤维及其制造方法
公开(公告)号：TWI605161B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW104126150
申请日：2015-08-11
申请人：國立中正大學
发明人：李元堯 , 林偉晨 , 朱耀廷
IPC分类号： D01F1/10 , D01F9/12 , B01J37/00

10. 发明专利

TW201041006A 奈米碳管場發射電子源之製造方法审中-公开
简体标题：奈米碳管场发射电子源之制造方法
公开(公告)号：TW201041006A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098115312
申请日：2009-05-08
申请人：國立中正大學
发明人：李元堯 , 游孟潔 , 曾俊龍 , 巫宏智
IPC分类号： H01J , B82B
摘要：一種奈米碳管場發射電子源之製造方法,包含提供一基板,於基板上設置一電極層,利用網印方式將一混合物塗佈於一電極層上,而混合物係由奈米碳管漿料及碳粉混和而成,並燒結以進行熱裂解反應,而碳粉與奈米碳管漿料中的高分子在熱裂解反應中所裂解出的碳當作碳源,可生長該刺蝟狀奈米碳簇結構之奈米碳管發射層,於燒結之後可完成一陰極板。本發明之刺蝟狀奈米碳簇結構係為多方向之電子發射路徑之奈米碳管發射層,因此,可達到高電流密度、低起始電壓(turn-on voltage)的特性,以及可提高電子場發射的穩定性。
简体摘要：一种奈米碳管场发射电子源之制造方法,包含提供一基板,于基板上设置一电极层,利用网印方式将一混合物涂布于一电极层上,而混合物系由奈米碳管浆料及碳粉混和而成,并烧结以进行热裂解反应,而碳粉与奈米碳管浆料中的高分子在热裂解反应中所裂解出的碳当作碳源,可生长该刺猬状奈米碳簇结构之奈米碳管发射层,于烧结之后可完成一阴极板。本发明之刺猬状奈米碳簇结构系为多方向之电子发射路径之奈米碳管发射层,因此,可达到高电流密度、低起始电压(turn-on voltage)的特性,以及可提高电子场发射的稳定性。

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