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    • 2. 发明专利
    • 用於液態金屬微開關之熔接密封及經控制阻抗RF連結 HERMETIC SEAL AND CONTROLLED IMPEDANCE RF CONNECTIONS FOR A LIQUID METAL MICRO SWITCH
    • 用于液态金属微开关之熔接密封及经控制阻抗RF链接 HERMETIC SEAL AND CONTROLLED IMPEDANCE RF CONNECTIONS FOR A LIQUID METAL MICRO SWITCH
    • TW200419613A
    • 2004-10-01
    • TW092126979
    • 2003-09-30
    • 安捷倫科技公司 AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
    • 朶夫 李維斯R. DOVE, LEWIS R.黃敏賢 WONG, MARVIN GLENN
    • H01H
    • H01H29/28H01H2029/008
    • 一或多個LIMMS元件設在一基板上,可能會有同表面的訊號導線,係被以下列之一種方法來氣密地密封:(a)將每個完整的LIMMS元件封罩在一共同的或多個各別的外蓋底下,其係與該等LIMMS元件分開而不會滲透污染物;或(b)將每一LIMMS元件製成使用其各覆塊(係為該LIMMS之一構件,而非一分開的外蓋)能被氣密地封覆在基板上。該各方法皆必須限制密封物對阻抗的影響。在方法(a)中該基板會被覆以一層介電材料,其係與該分開外蓋的周緣之帶狀廓形匹配。在方法(b)中該基板上之LIMMS覆塊的整個(實心)廓形會承接一層介電材料,其本身嗣會在靠近周緣處被覆以適當的黏劑。在方法(a)中該外蓋可被焊接於該周緣廓形。在方法(b)中該覆塊可被焊接於該介電層。在(a)及(b)方法的另一實施例中,玻璃熔料會被用來取代焊劑。對訊號線阻抗的擾亂可藉改變訊號導線的寬度來補償。該適當的介電材料層得為已先圖案化的陶瓷材料薄片或墊片,或亦可藉塗佈一厚膜膏料來形成。可如一膏料來被沈積然後將之固化的適當厚膜介電材料包括來自Heraeus公司的KQ150和KQ115厚膜介電質,及來自DuPont公司的4141A/D厚膜成分。
    • 一或多个LIMMS组件设在一基板上,可能会有同表面的信号导线,系被以下列之一种方法来气密地密封:(a)将每个完整的LIMMS组件封罩在一共同的或多个各别的外盖底下,其系与该等LIMMS组件分开而不会渗透污染物;或(b)将每一LIMMS组件制成使用其各覆块(系为该LIMMS之一构件,而非一分开的外盖)能被气密地封覆在基板上。该各方法皆必须限制密封物对阻抗的影响。在方法(a)中该基板会被覆以一层介电材料,其系与该分开外盖的周缘之带状廓形匹配。在方法(b)中该基板上之LIMMS覆块的整个(实心)廓形会承接一层介电材料,其本身嗣会在靠近周缘处被覆以适当的黏剂。在方法(a)中该外盖可被焊接于该周缘廓形。在方法(b)中该覆块可被焊接于该介电层。在(a)及(b)方法的另一实施例中,玻璃熔料会被用来取代焊剂。对信号线阻抗的扰乱可藉改变信号导线的宽度来补偿。该适当的介电材料层得为已先图案化的陶瓷材料薄片或垫片,或亦可藉涂布一厚膜膏料来形成。可如一膏料来被沉积然后将之固化的适当厚膜介电材料包括来自Heraeus公司的KQ150和KQ115厚膜介电质,及来自DuPont公司的4141A/D厚膜成分。