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1. 发明专利

TW200710905A 真空切斷器用電氣接點及其製法失效
简体标题：真空切断器用电气接点及其制法
公开(公告)号：TW200710905A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：TW095122945
申请日：2006-06-26
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：菊池茂 KIKUCHI, SHIGERU , 森田步 MORITA, AYUMU , 小林將人 KOBAYASHI, MASATO , 原悟 KAJIWARA, SATORU , 馬場昇 BABA, NOBORU
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01H1/0233
摘要：本發明之目的在提供一種兼具切斷性能及低突波性,而且因複數次切斷所引起的性能劣化情形較小的真空切斷器用電氣接點。以電氣接點而言,使用由Cr、Cu或Ag之任一者與碳化物所構成,且在以Cu或Ag之任一者為主成分之基質中,形成以碳化物包圍周圍的Cr呈分散的組織者。而且,其特徵為:含有1至30重量%之碳化物,剩餘部分為Cu,或由Cr與Cu與碳化物所構成,Cr與碳化物之重量比在1:1.5至50之範圍。
简体摘要：本发明之目的在提供一种兼具切断性能及低突波性,而且因复数次切断所引起的性能劣化情形较小的真空切断器用电气接点。以电气接点而言,使用由Cr、Cu或Ag之任一者与碳化物所构成,且在以Cu或Ag之任一者为主成分之基质中,形成以碳化物包围周围的Cr呈分散的组织者。而且,其特征为:含有1至30重量%之碳化物,剩余部分为Cu,或由Cr与Cu与碳化物所构成,Cr与碳化物之重量比在1:1.5至50之范围。

2. 发明专利

TW201358B 真空斷續器之接觸材料失效
简体标题：真空断续器之接触材料
公开(公告)号：TW201358B
公开(公告)日：1993-03-01
申请号：TW080109094
申请日：1991-11-19
申请人：東芝股份有限公司
发明人：大川幹夫 , 山本敦史 , 本間三孝 , 奧富功 , 關經世
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
摘要：一種真空斷續器之接點材料包含：（ａ）２５至７０％體積百分比的高導電成份，其選自含有Ａｇ、Ｃｕ及其混合物之群族；及（ｂ）７５至３０％體積百分比的防電弧成份，其選自含有Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及其混合物之群族；其中該防電弧成份之平均晶粒大小是由０．３至３微米，且該防電弧成份之平均晶粒距離是在０．１至１微米的範圍內。得自此接觸材料之真空斷續器的接點具有改良的抗磨損能力、大電流斷續特性、抗磨損能力、截波特性與低溫上升特性。
简体摘要：一种真空断续器之接点材料包含：（ａ）２５至７０％体积百分比的高导电成份，其选自含有Ａｇ、Ｃｕ及其混合物之群族；及（ｂ）７５至３０％体积百分比的防电弧成份，其选自含有Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及其混合物之群族；其中该防电弧成份之平均晶粒大小是由０．３至３微米，且该防电弧成份之平均晶粒距离是在０．１至１微米的范围内。得自此接触材料之真空断续器的接点具有改良的抗磨损能力、大电流断续特性、抗磨损能力、截波特性与低温上升特性。

3. 发明专利

TWI327330B 真空切斷器用電氣接點及其製法、電極、真空閥、以及真空切斷器失效
简体标题：真空切断器用电气接点及其制法、电极、真空阀、以及真空切断器
公开(公告)号：TWI327330B
公开(公告)日：2010-07-11
申请号：TW095122945
申请日：2006-06-26
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：菊池茂 , 森田步 , 小林將人 , 梶原悟 , 馬場昇
IPC分类号： H01H , C22C
CPC分类号： H01H1/0233
摘要：本發明之目的在提供一種兼具切斷性能及低突波性，而且因複數次切斷所引起的性能劣化情形較小的真空切斷器用電氣接點。
以電氣接點而言，使用由Cr;Cu或Ag之其中一方；及碳化物所構成，在以Cu或Ag之其中一方為主成分之基質中，形成以碳化物包圍周圍的Cr呈分散的組織者。而且，其特徵為：含有1至30重量%之碳化物，剩餘部分為Cu，或由Cr與Cu與碳化物所構成，Cr與碳化物之重量比在1:1.5至50之範圍。
简体摘要：本发明之目的在提供一种兼具切断性能及低突波性，而且因复数次切断所引起的性能劣化情形较小的真空切断器用电气接点。以电气接点而言，使用由Cr;Cu或Ag之其中一方；及碳化物所构成，在以Cu或Ag之其中一方为主成分之基质中，形成以碳化物包围周围的Cr呈分散的组织者。而且，其特征为：含有1至30重量%之碳化物，剩余部分为Cu，或由Cr与Cu与碳化物所构成，Cr与碳化物之重量比在1:1.5至50之范围。

4. 发明专利

TW200804194A 銀基顆粒之製造方法及電接觸材料 PROCESS FOR MANUFACTURE OF SILVER-BASED PARTICLES AND ELECTRICAL CONTACT MATERIALS 审中-公开
简体标题：银基颗粒之制造方法及电接触材料 PROCESS FOR MANUFACTURE OF SILVER-BASED PARTICLES AND ELECTRICAL CONTACT MATERIALS
公开(公告)号：TW200804194A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096111379
申请日：2007-03-30
申请人：烏明克股份有限兩合公司 UMICORE AG & CO. KG
发明人：丹戈亞 GOIA, DAN V. , 希巴斯汀佛瑞奇 FRITZSCHE, SEBASTIAN , 伯恩德坎普 KEMPF, BERND , 彼德伯羅曼 BRAUMANN, PETER , 泰瑞凡德威第 VANDEVELDE, THIERRY CHARLES SIMON
IPC分类号： C01G , H01R
CPC分类号： C01G5/00 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F9/24 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01H1/021 , H01H1/0233 , H01H1/0237 , H01H1/027 , H01H11/048 , H01R13/03
摘要：本發明係關於一種通過中間體銀(+1)-氧化物物種(silver(+1)-oxide species)製造細微含貴金屬之顆粒,特定言之,銀基顆粒及銀基接觸材料之方法。該方法包括在第一步驟中形成熱不穩定銀(+1)-氧化物物種,包括添加鹼於包含有機分散劑之銀鹽水溶液。由於有機分散劑的存在,因此所得銀(+1)-氧化物物種係熱不穩定者,因而,該物種會在低於100℃的溫度下分解成金屬銀。該方法隨意地可包括添加選自無機氧化物、金屬、及碳基化合物所組成的群組之粉狀化合物。另外,該方法可包括附加的分離和乾燥步驟。該方法為多方面適用的、具成本效益且環境友善者且可用於銀基顆粒和電接觸材料之製造。根據本發明方法製成的銀奈米顆粒之特徵在於窄粒度分布。根據本發明方法製造的電接觸材料揭露出改善的接觸熔接性。
简体摘要：本发明系关于一种通过中间体银(+1)-氧化物物种(silver(+1)-oxide species)制造细微含贵金属之颗粒,特定言之,银基颗粒及银基接触材料之方法。该方法包括在第一步骤中形成热不稳定银(+1)-氧化物物种,包括添加碱于包含有机分散剂之银盐水溶液。由于有机分散剂的存在,因此所得银(+1)-氧化物物种系热不稳定者,因而,该物种会在低于100℃的温度下分解成金属银。该方法随意地可包括添加选自无机氧化物、金属、及碳基化合物所组成的群组之粉状化合物。另外,该方法可包括附加的分离和干燥步骤。该方法为多方面适用的、具成本效益且环境友善者且可用于银基颗粒和电接触材料之制造。根据本发明方法制成的银奈米颗粒之特征在于窄粒度分布。根据本发明方法制造的电接触材料揭露出改善的接触熔接性。

5. 发明专利

TW331012B 真空斷續器之接點材料及其製造方法失效
简体标题：真空断续器之接点材料及其制造方法
公开(公告)号：TW331012B
公开(公告)日：1998-05-01
申请号：TW085115009
申请日：1996-12-05
申请人：東芝股份有限公司
发明人：山本敦史 , 草野貴史 , 奧富功 , 關經世
IPC分类号： H01H
CPC分类号： B22F1/0096 , B22F2998/00 , C22C29/067 , H01H1/0203 , H01H1/0233 , Y10S428/929 , Y10T428/12014 , Y10T428/1216 , Y10T428/12167 , Y10T428/12174 , B22F3/26
摘要：一種真空斷續器接點材料，其包括一導電成分其至少包含Ｃｕ，及一防電弧成分其包含從包括了Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及Ｔｉ的碳化物之組群中選取的至少一者。在該接點材料中之該導電成分的量為４０－５０體積百分比（ｖｏｌ％），在該接點材料中之該防電弧成分的量為５０－６０體積百分比（ｖｏｌ％），且該防電弧成分的晶粒大小為３μｍ或更小。一熔融於導電成分中的燒結加速元素的總數量是該導電成分的量的０. １％或更少，該燒結加速元素包含了從包括Ｃｏ，Ｆｅ及Ｎｉ的組群中選取之至少一者。
简体摘要：一种真空断续器接点材料，其包括一导电成分其至少包含Ｃｕ，及一防电弧成分其包含从包括了Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及Ｔｉ的碳化物之组群中选取的至少一者。在该接点材料中之该导电成分的量为４０－５０体积百分比（ｖｏｌ％），在该接点材料中之该防电弧成分的量为５０－６０体积百分比（ｖｏｌ％），且该防电弧成分的晶粒大小为３μｍ或更小。一熔融于导电成分中的烧结加速元素的总数量是该导电成分的量的０. １％或更少，该烧结加速元素包含了从包括Ｃｏ，Ｆｅ及Ｎｉ的组群中选取之至少一者。

6. 发明专利

TW302487B 銀基電接觸材料失效
简体标题：银基电接触材料
公开(公告)号：TW302487B
公开(公告)日：1997-04-11
申请号：TW084109736
申请日：1995-09-16
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：稻田勇人 , 螚公志
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01H1/023 , C22C5/06 , C22C32/0021 , H01H1/0233 , H01H1/0237
摘要：本發明記述銀基電接觸材料，此電接觸材料均勻地含有鎳，氧化鎳的分散粒子在銀基體中及自釩，錳，鉻，鉈，鈦，鈷和碳化鎢所組成之該團中所選出之至少一種之添加劑。該接觸材料含有１.３至２４.８wt%鎳，０.２至４.７wt% 氧化鎳，０.０５至３wt%之添加劑而其餘是銀。具有優良耐焊接性和耐磨性之優良銀基（電）接觸材料係由添加各種金屬和金屬碳化物至銀／鎳／氧化鎳接觸材料中獲得。
简体摘要：本发明记述银基电接触材料，此电接触材料均匀地含有镍，氧化镍的分散粒子在银基体中及自钒，锰，铬，铊，钛，钴和碳化钨所组成之该团中所选出之至少一种之添加剂。该接触材料含有１.３至２４.８wt%镍，０.２至４.７wt% 氧化镍，０.０５至３wt%之添加剂而其余是银。具有优良耐焊接性和耐磨性之优良银基（电）接触材料系由添加各种金属和金属碳化物至银／镍／氧化镍接触材料中获得。

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