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1. 发明专利

TW201358B 真空斷續器之接觸材料失效
简体标题：真空断续器之接触材料
公开(公告)号：TW201358B
公开(公告)日：1993-03-01
申请号：TW080109094
申请日：1991-11-19
申请人：東芝股份有限公司
发明人：大川幹夫 , 山本敦史 , 本間三孝 , 奧富功 , 關經世
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01H1/0203 , H01H1/0233 , H01H33/664
摘要：一種真空斷續器之接點材料包含：（ａ）２５至７０％體積百分比的高導電成份，其選自含有Ａｇ、Ｃｕ及其混合物之群族；及（ｂ）７５至３０％體積百分比的防電弧成份，其選自含有Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及其混合物之群族；其中該防電弧成份之平均晶粒大小是由０．３至３微米，且該防電弧成份之平均晶粒距離是在０．１至１微米的範圍內。得自此接觸材料之真空斷續器的接點具有改良的抗磨損能力、大電流斷續特性、抗磨損能力、截波特性與低溫上升特性。
简体摘要：一种真空断续器之接点材料包含：（ａ）２５至７０％体积百分比的高导电成份，其选自含有Ａｇ、Ｃｕ及其混合物之群族；及（ｂ）７５至３０％体积百分比的防电弧成份，其选自含有Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ及其混合物之群族；其中该防电弧成份之平均晶粒大小是由０．３至３微米，且该防电弧成份之平均晶粒距离是在０．１至１微米的范围内。得自此接触材料之真空断续器的接点具有改良的抗磨损能力、大电流断续特性、抗磨损能力、截波特性与低温上升特性。

2. 发明专利

TW163480B 供一真空斷續器使用之接點構成材料失效
简体标题：供一真空断续器使用之接点构成材料
公开(公告)号：TW163480B
公开(公告)日：1991-07-11
申请号：TW078105744
申请日：1989-07-25
申请人：東芝股份有限公司
发明人：乙部清文 , 千葉誠司 , 大川幹夫 , 山本敦史 , 本間三孝 , 奧富功 , 關經世
IPC分类号： H01H , H01R
摘要：用於真空斷續器的一種〝銀－銅－碳化鎢〞（Ａｇ－Ｃｕ－ＷＣ）接點構成材料，包含銀（Ａｇ）和銅（Ｃｕ）的高導電成分，也包含碳化鎢的耐電弧成分。此銀和銅（Ａｇ＋Ｃｕ）所組成的高導電成分佔全部成分之重量百分比（ｗｔ％）在２５％至６５％之間，而銀的重量百分比佔此高導電成分（Ａｇ＋Ｃｕ）約在４０％至８０％之間；防電弧成分（ＷＣ）佔全部成分之重量比例在３５％至７５％之間；接點構成材料的結構包含基材及高導電成分之不連續相，這不連續相的厚度或說寬度不大於５微米，而防電弧成分的一個不連續晶粒的大小不大於１微米；此高導性成分的一個不連續相是細微地且均勻地散佈在基材結構中，其間隙不大於５微米。
简体摘要：用于真空断续器的一种〝银－铜－碳化钨〞（Ａｇ－Ｃｕ－ＷＣ）接点构成材料，包含银（Ａｇ）和铜（Ｃｕ）的高导电成分，也包含碳化钨的耐电弧成分。此银和铜（Ａｇ＋Ｃｕ）所组成的高导电成分占全部成分之重量百分比（ｗｔ％）在２５％至６５％之间，而银的重量百分比占此高导电成分（Ａｇ＋Ｃｕ）约在４０％至８０％之间；防电弧成分（ＷＣ）占全部成分之重量比例在３５％至７５％之间；接点构成材料的结构包含基材及高导电成分之不连续相，这不连续相的厚度或说宽度不大于５微米，而防电弧成分的一个不连续晶粒的大小不大于１微米；此高导性成分的一个不连续相是细微地且均匀地散布在基材结构中，其间隙不大于５微米。

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