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1. 发明专利

TW201329990A 在奈米線磁性記憶裝置中之釘扎域壁的方法审中-公开
简体标题：在奈米线磁性记忆设备中之钉扎域壁的方法
公开(公告)号：TW201329990A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101137252
申请日：2012-10-09
申请人：約克大學 , UNIVERSITY OF YORK
发明人：歐葛拉迪凱文 , O'GRADY, KEVIN , 菲樂耶凡南德斯葛賽羅 , VALLEJO FERNANDEZ, GONZALO , 廣畑貴文 , ATSUFUMI, HIROHATA
IPC分类号： G11C19/08 , G11C11/14 , G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C14/0081 , G11C19/02 , G11C19/0808 , G11C19/0833 , G11C19/085 , G11C19/0875 , H01L43/02 , H01L43/10 , H04L43/02 , H04L43/10
摘要：在此提供了一在磁記憶裝置(10)中釘紮磁疇壁之方法，該方法包括使用一反鐵磁性材料來產生多個磁疇壁釘紮點。多個結點(22)(其中鐵磁性奈米線(16)與反鐵磁性奈米線(20)的陣列發生交叉)顯示出在該鐵磁性材料與該反鐵磁性材料之間的一永久性交換偏置的相互作用，這種作用產生了多個磁疇壁釘紮位點。這種交換偏置場係在30到3600 Oe之間，並且該鐵磁性元件的各向異性方向相對於該等反鐵磁性元件的各向異性方向係處於15°到75°之間。
简体摘要：在此提供了一在磁记忆设备(10)中钉扎磁畴壁之方法，该方法包括使用一反铁磁性材料来产生多个磁畴壁钉扎点。多个结点(22)(其中铁磁性奈米线(16)与反铁磁性奈米线(20)的数组发生交叉)显示出在该铁磁性材料与该反铁磁性材料之间的一永久性交换偏置的相互作用，这种作用产生了多个磁畴壁钉扎位点。这种交换偏置场系在30到3600 Oe之间，并且该铁磁性组件的各向异性方向相对于该等反铁磁性组件的各向异性方向系处于15°到75°之间。

2. 发明专利

TW201334416A 積體電路审中-公开
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TW201334416A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101149491
申请日：2012-12-24
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：遠藤哲郎 , ENDOH, TETSUO , 大澤隆 , OHSAWA, TAKASHI , 小池洋紀 , KOIKE, HIROKI , 羽生貴弘 , HANYU, TAKAHIRO , 大野英男 , OHNO, HIDEO
IPC分类号： H03K19/20 , H03K19/21 , G11C11/41 , G11C11/413 , G11C11/417
CPC分类号： G11C13/0038 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C14/00 , G11C14/0081 , G11C15/046 , G11C19/02 , G11C29/50012 , H03K3/356139 , H03K3/59 , H03K19/18
摘要：本發明提供一種在使其中用到習知的STT-MTJ元件等之閂鎖器電路高速動作之情況不會發生消耗電力增大及切換機率降低情形之積體電路，積體電路1具備有：在寫入訊號輸入後經過一定的期間τ才會進行改寫之記憶元件1B、以及以建立電路之基本元件加以構成之具有資料保持功能之基本電路1A，且基本電路1A之資訊處理中之第一動作模式的動作頻率f1滿足τ＞λ1/f1(0＜λ1≦1)之關係。
简体摘要：本发明提供一种在使其中用到习知的STT-MTJ组件等之闩锁器电路高速动作之情况不会发生消耗电力增大及切换概率降低情形之集成电路，集成电路1具备有：在写入信号输入后经过一定的期间τ才会进行改写之记忆组件1B、以及以创建电路之基本组件加以构成之具有数据保持功能之基本电路1A，且基本电路1A之信息处理中之第一动作模式的动作频率f1满足τ＞λ1/f1(0＜λ1≦1)之关系。

3. 发明专利

TW522559B 非揮發性磁性暫存器失效
简体标题：非挥发性磁性寄存器
公开(公告)号：TW522559B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW091101374
申请日：2002-01-28
申请人：摩托羅拉公司
发明人：彼得K 納吉
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C11/5607 , G11C14/0081 , G11C19/02
摘要：一種非揮發性、雙穩態磁性通道接面(magnetic tunnel junction(MTJ))暫存器晶元，包括連結作差動操作的第一與第二個磁通道接面；第一個MTJ係耦合於簡易軸線與輸出終端之間；且第二個MTJ則係耦合於反向軸線與反向輸出終端之間。一條硬軸線(hard axis line)係與一些MTJ磁性地耦合；且一條致能線，係耦合於一些MTJ，以致能且禁能此差動操作。吾人可將此MTJ暫存器晶元連接作並行輸出入(PIPO)非揮發性暫存器；一種向右或向左非揮發性移位暫存器，或一種多位元雙向非揮發性移位暫存器。
简体摘要：一种非挥发性、双稳态磁性信道接面(magnetic tunnel junction(MTJ))寄存器芯片，包括链接作差动操作的第一与第二个磁信道接面；第一个MTJ系耦合于简易轴线与输出终端之间；且第二个MTJ则系耦合于反向轴线与反向输出终端之间。一条硬轴线(hard axis line)系与一些MTJ磁性地耦合；且一条致能线，系耦合于一些MTJ，以致能且禁能此差动操作。吾人可将此MTJ寄存器芯片连接作并行输出入(PIPO)非挥发性寄存器；一种向右或向左非挥发性移位寄存器，或一种多比特双向非挥发性移位寄存器。

4. 发明专利

TW200733100A 製造磁性移位暫存器之方法 METHOD OF FABRICATING A MAGNETIC SHIFT REGISTER 审中-公开
简体标题：制造磁性移位寄存器之方法 METHOD OF FABRICATING A MAGNETIC SHIFT REGISTER
公开(公告)号：TW200733100A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095137822
申请日：2006-10-13
申请人：萬國商業機器公司 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：陳子强 CHEN, TZE-CHIANG , 史都華S P 帕金 PARKIN, STUART S.P.
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： H01L29/82 , G11C11/14 , G11C19/02 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要：可藉由下方式來製造一磁性移位暫存器記憶系統中所使用之磁性資料軌道:形成一由交替介電及/或矽層構成之多層堆疊。在該多層堆疊結構中蝕刻一渠溝。使用一選擇性蝕刻製程使渠溝之壁起皺。將一晶種層施加至該渠溝之壁及底部;用一磁性層來覆蓋該晶種層。用一絕緣材料來填充該渠溝。施加一圖案化層並移除由該圖案暴露之絕緣材料部分從而形成若干個孔。有選擇地移除該等孔內所暴露之磁性材料及晶種層。用絕緣材料來填充該等孔並將連接引線附裝至資料軌道。
简体摘要：可借由下方式来制造一磁性移位寄存器记忆系统中所使用之磁性数据轨道:形成一由交替介电及/或硅层构成之多层堆栈。在该多层堆栈结构中蚀刻一渠沟。使用一选择性蚀刻制程使渠沟之壁起皱。将一晶种层施加至该渠沟之壁及底部;用一磁性层来覆盖该晶种层。用一绝缘材料来填充该渠沟。施加一图案化层并移除由该图案暴露之绝缘材料部分从而形成若干个孔。有选择地移除该等孔内所暴露之磁性材料及晶种层。用绝缘材料来填充该等孔并将连接引线附装至数据轨道。

5. 发明专利

TWI606694B 積體電路有权
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TWI606694B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW101149491
申请日：2012-12-24
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：遠藤哲郎 , ENDOH, TETSUO , 大澤隆 , OHSAWA, TAKASHI , 小池洋紀 , KOIKE, HIROKI , 羽生貴弘 , HANYU, TAKAHIRO , 大野英男 , OHNO, HIDEO
IPC分类号： H03K19/20 , H03K19/21 , G11C11/41 , G11C11/413 , G11C11/417
CPC分类号： G11C13/0038 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C14/00 , G11C14/0081 , G11C15/046 , G11C19/02 , G11C29/50012 , H03K3/356139 , H03K3/59 , H03K19/18

6. 发明专利

TW201535364A 磁性記憶體、記錄資料至磁性記憶體及自其再生資料之方法、以及操作磁性記憶體之方法审中-公开
简体标题：磁性内存、记录数据至磁性内存及自其再生数据之方法、以及操作磁性内存之方法
公开(公告)号：TW201535364A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104101361
申请日：2015-01-15
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：大寺泰章 , OOTERA, YASUAKI , 島田拓哉 , SHIMADA, TAKUYA , 中村志保 , NAKAMURA, SHIHO
IPC分类号： G11C11/16 , H01L27/22 , H01L43/00
CPC分类号： G11C19/02 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要：根據一實施例之一磁性記憶體包含：在一方向上延伸之複數個磁性奈米線群組，每一磁性奈米線群組包含至少一個磁性奈米線，每一磁性奈米線具有一第一端子及一第二端子；複數個記錄及再生元件，其等對應於該等磁性奈米線群組，每一記錄及再生元件寫入資料至一對應磁性奈米線群組中之磁性奈米線及自其讀取資料且連接至該對應磁性奈米線群組中之該等磁性奈米線之該等第一端子；及一電極，該等磁性奈米線群組中之該等磁性奈米線之該等第二端子連接至該電極。
简体摘要：根据一实施例之一磁性内存包含：在一方向上延伸之复数个磁性奈米线群组，每一磁性奈米线群组包含至少一个磁性奈米线，每一磁性奈米线具有一第一端子及一第二端子；复数个记录及再生组件，其等对应于该等磁性奈米线群组，每一记录及再生组件写入数据至一对应磁性奈米线群组中之磁性奈米线及自其读取数据且连接至该对应磁性奈米线群组中之该等磁性奈米线之该等第一端子；及一电极，该等磁性奈米线群组中之该等磁性奈米线之该等第二端子连接至该电极。

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