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1. 发明专利

TW243530B 用以改良伺服定位之精確度而具改良微軌外形之磁阻感測器失效
简体标题：用以改良伺服定位之精确度而具改良微轨外形之磁阻传感器
公开(公告)号：TW243530B
公开(公告)日：1995-03-21
申请号：TW082110446
申请日：1993-12-09
申请人：萬國商業機器公司
发明人：文森.諾爾.卡瓦狄 , 約瑟夫.亞當.阿包夫 , 愛德華.維吉.丹尼森
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/00813 , G11B5/3113 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3961 , G11B5/399 , G11B5/488 , G11B5/4893 , G11B5/5508 , G11B5/58 , G11B5/584 , G11B5/59683 , Y10T29/49034 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49067
摘要：一種磁阻感測器設計及製造程序，其提供改良之微軌外形線性予伺服元件，同時提供適於高密度磁帶頭應用之穩定且線性之資料感測元件。資料與伺服二感測器元件之穩定性與均一性透過使用柵格外形於軟性薄膜偏壓磁阻感測器層與硬式偏壓穩定磁鐵下而獲提昇。處理程序藉透過一三氧化二鋁或二氧化矽的厚層複製伺服感測器元件的柵格條紋而消除。較外側讀取屏蔽被利用一剝離程序而由伺服元件上移除，從而消除肇因於三氧化二鋁針孔之結構性損壞。因為在各感測器之主動磁阻區域內及被動硬式偏壓區域內的柵格穩定範圍，而使二元件型式均可免除明顯的巴克豪森 (Barkhausen) 雜訊及不穩定性。每個伺服感測器被安置於極遠離單屏蔽以使微軌外形極佳化。其結果在伺服感測器頻率響應的縮小留下足夠的頻寬予精確的伺服定位。
简体摘要：一种磁阻传感器设计及制造进程，其提供改良之微轨外形线性予伺服组件，同时提供适于高密度磁带头应用之稳定且线性之数据传感组件。数据与伺服二传感器组件之稳定性与均一性透过使用栅格外形于软性薄膜偏压磁阻传感器层与硬式偏压稳定磁铁下而获提升。处理进程藉透过一三氧化二铝或二氧化硅的厚层复制伺服传感器组件的栅格条纹而消除。较外侧读取屏蔽被利用一剥离进程而由伺服组件上移除，从而消除肇因于三氧化二铝针孔之结构性损坏。因为在各传感器之主动磁阻区域内及被动硬式偏压区域内的栅格稳定范围，而使二组件型式均可免除明显的巴克豪森 (Barkhausen) 噪声及不稳定性。每个伺服传感器被安置于极远离单屏蔽以使微轨外形极佳化。其结果在伺服传感器频率响应的缩小留下足够的带宽予精确的伺服定位。

2. 发明专利

TW394938B 磁頭失效
简体标题：磁头
公开(公告)号：TW394938B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW086105340
申请日：1997-04-24
申请人：新力股份有限公司
发明人：井上喜彥 , 本多順一 , 德竹房重
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/1878 , G11B5/1276 , G11B5/147 , G11B5/3113
摘要：本發明揭示一種磁頭，其形成有一金屬磁膜，首先堆疊Fe-M-N諸磁性薄膜層及諸貴金屬層諸如,Pt層以形成一多層膜，其次經一絕緣膜堆疊諸多層膜使能增進其重放之輸出，使得該磁頭適用於記錄至及重放自一具有大的保磁力之磁性記錄媒體上，諸如一稱為金屬帶者。在一對磁心半體之間隙形成表面上，一多層結構之形成是由首先形成一多層膜,其是由堆疊具有FevxMvyNvz(Ｎ是選自 Ta,Zr,Hf,Nb,Ti,Mo和W中至少之一，而x，y和z則指示原子百分比且保持有71≦x≦85，6≦y≦15，和9≦z≦16之關係)組合之諸磁性薄膜層及選自Pt,Au,Ag和Pd中至少之一所造成之諸層,再其次經自SiO2, ZrO2，Al2O3和Cr中之任一作成之兩層,堆疊該諸多層膜。
简体摘要：本发明揭示一种磁头，其形成有一金属磁膜，首先堆栈Fe-M-N诸磁性薄膜层及诸贵金属层诸如,Pt层以形成一多层膜，其次经一绝缘膜堆栈诸多层膜使能增进其重放之输出，使得该磁头适用于记录至及重放自一具有大的保磁力之磁性记录媒体上，诸如一称为金属带者。在一对磁心半体之间隙形成表面上，一多层结构之形成是由首先形成一多层膜,其是由堆栈具有FevxMvyNvz(Ｎ是选自 Ta,Zr,Hf,Nb,Ti,Mo和W中至少之一，而x，y和z则指示原子百分比且保持有71≦x≦85，6≦y≦15，和9≦z≦16之关系)组合之诸磁性薄膜层及选自Pt,Au,Ag和Pd中至少之一所造成之诸层,再其次经自SiO2, ZrO2，Al2O3和Cr中之任一作成之两层,堆栈该诸多层膜。

3. 发明专利

TW225600B 薄膜磁頭失效
简体标题：薄膜磁头
公开(公告)号：TW225600B
公开(公告)日：1994-06-21
申请号：TW082105458
申请日：1993-07-08
申请人：瑞萊特公司
发明人：彼得.基.比斯恰夫 , 强尼.晶–宏陳 , 華–晶董
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3113
摘要：一種薄膜磁頭係以定形磁薄膜予以製成，較佳者由高導磁合金製成，此等薄膜具有階式構形。薄膜係沉積在環繞電氣線圈之絕緣層及第二磁極層P2以下之間以定形一雙軛。該等薄膜具有在固定磁疇座之階式區域之轉角以便P2層之磁化予以適當對準，因而改進被記錄之資料信號。
简体摘要：一种薄膜磁头系以定形磁薄膜予以制成，较佳者由高导磁合金制成，此等薄膜具有阶式构形。薄膜系沉积在环绕电气线圈之绝缘层及第二磁极层P2以下之间以定形一双轭。该等薄膜具有在固定磁畴座之阶式区域之转角以便P2层之磁化予以适当对准，因而改进被记录之数据信号。

4. 发明专利

TW513709B 磁頭,磁性記錄播放裝置,磁性記錄資訊之播放方法及磁性記錄方法失效
简体标题：磁头,磁性记录播放设备,磁性记录信息之播放方法及磁性记录方法
公开(公告)号：TW513709B
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：TW090100618
申请日：2001-01-11
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：伊藤顯知 , 添谷進
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/127 , G11B5/245 , G11B5/2452 , G11B5/3113 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/33 , G11B5/39 , G11B5/3919 , G11B13/045 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0008 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
摘要：本發明提供一種製作容易且適於對窄磁軌尺寸的磁性記錄媒體記錄播放的播放磁頭及記錄磁頭。使用GMR或TMR磁性感測器105和導入磁束到磁性感測器的磁導104、106構成播放磁頭，並且以在預定溫度Tp以上使磁束透過、在未達Tp時不使磁束透過的材料構成磁導的至少一部分區域104。再者，只照射光於磁導104一部分，使光照射部分的溫度上升到Tp以上，只在光照射部分使來自磁性記錄媒體的磁束透過，藉此有效縮小播放磁頭的磁軌寬度而從磁性記錄媒體檢測出磁性記錄資訊。
简体摘要：本发明提供一种制作容易且适于对窄磁道尺寸的磁性记录媒体记录播放的播放磁头及记录磁头。使用GMR或TMR磁性传感器105和导入磁束到磁性传感器的磁导104、106构成播放磁头，并且以在预定温度Tp以上使磁束透过、在未达Tp时不使磁束透过的材料构成磁导的至少一部分区域104。再者，只照射光于磁导104一部分，使光照射部分的温度上升到Tp以上，只在光照射部分使来自磁性记录媒体的磁束透过，借此有效缩小播放磁头的磁道宽度而从磁性记录媒体检测出磁性记录信息。

5. 发明专利

TW214009B 組合讀寫磁頭失效
简体标题：组合读写磁头
公开(公告)号：TW214009B
公开(公告)日：1993-10-01
申请号：TW081102735
申请日：1992-04-09
申请人：飛利浦電泡廠
发明人：保羅.弗.麥可 , 威廉.皮.伍德 , 泰瑞.比.米契爾
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/3103 , G11B5/3113 , G11B5/3903 , G11B5/3967
摘要：讀／寫磁頭 (210) 的讀磁頭部份包括有覆蓋在不可導磁的底板材料 (220) 上的電磁阻抗元件 (250)
( magnetoresistive element ，下文簡稱MRE) ，覆蓋在MRE上的不連續磁通量導通物 (280a,b) ，與覆蓋在不連續磁通量導通物上的連續磁通量導通物 (320) 。寫磁頭覆蓋在讀磁頭上並與讀磁頭共用連續磁通量導通物，且連續磁通量導通物當做是寫磁頭的底部磁極。很明顯的必須選取讀／寫兩用磁頭各元件的不同尺寸，以便在磁頭讀或寫中幾無由寫磁頭所製造的磁通量能經由共同通量導通物導至MRE。
简体摘要：读／写磁头 (210) 的读磁头部份包括有覆盖在不可导磁的底板材料 (220) 上的电磁阻抗组件 (250) ( magnetoresistive element ，下文简称MRE) ，覆盖在MRE上的不连续磁通量导通物 (280a,b) ，与覆盖在不连续磁通量导通物上的连续磁通量导通物 (320) 。写磁头覆盖在读磁头上并与读磁头共享连续磁通量导通物，且连续磁通量导通物当做是写磁头的底部磁极。很明显的必须选取读／写两用磁头各组件的不同尺寸，以便在磁头读或写中几无由写磁头所制造的磁通量能经由共同通量导通物导至MRE。

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