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1. 发明专利

TW201723455A 輪胎特性值量測裝置及輪胎特性值量測系統审中-公开
简体标题：轮胎特性值量测设备及轮胎特性值量测系统
公开(公告)号：TW201723455A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105124786
申请日：2016-08-04
申请人：三菱重工機械科技股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MACHINERY TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：上田達也 , UEDA, TATSUYA , 清本泰孝 , SEIMOTO, YASUTAKA
IPC分类号： G01M17/02 , G01R27/02 , G01N27/04
CPC分类号： G01N27/041 , G01M1/14 , G01M17/02 , G01M17/021
摘要：輪胎特性值量測裝置(100)具備：設於昇降移動機構(111-121)的支撐臂(124)。支撐臂(124)將滾輪輸送帶(101)上的輪胎(T)從下方支承，且具有電絕緣性。輪胎特性值量測裝置(100)更具備：設於昇降移動機構(111-121)的電阻值檢出機構(125-139)。電阻值檢測機構(125-139)檢測支撐臂(124)所支承的輪胎(T)的電阻值。
简体摘要：轮胎特性值量测设备(100)具备：设于升降移动机构(111-121)的支撑臂(124)。支撑臂(124)将滚轮输送带(101)上的轮胎(T)从下方支承，且具有电绝缘性。轮胎特性值量测设备(100)更具备：设于升降移动机构(111-121)的电阻值检出机构(125-139)。电阻值检测机构(125-139)检测支撑臂(124)所支承的轮胎(T)的电阻值。

2. 发明专利

TW201627663A 半導體錠中之間隙氧濃度的特性分析方法审中-公开
简体标题：半导体锭中之间隙氧浓度的特性分析方法
公开(公告)号：TW201627663A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104134528
申请日：2015-10-21
申请人：原子能與替代能源公署 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：弗曼約帝 , VEIRMAN, JORDI , 卡斯坎特羅培茲米格爾 , CASCANT-LOPEZ, MIGUEL , 佩羅內崔米瑞費 , PEYRONNET-DREMIE, RAFAEL , 湯馬西尼馬修 , TOMASSINI, MATHIEU
IPC分类号： G01N27/04 , G01N21/3563 , G01N21/95
CPC分类号： G01N27/041 , G01N21/3563 , G01N21/9501
摘要：本發明關於一種測定半導體材料錠(1)中之間隙氧濃度的方法，其包含以下步驟：-從錠沿該錠之縱向面切割層板(11)，且沿該錠之橫向面切割至少一晶圓；-實行第一系列的該晶圓中之間隙氧濃度測量，稱為徑向測量，該徑向測量係分布於該晶圓半徑上；-實行(F3)第二系列的層板(11)中之間隙氧濃度測量，稱為縱向測量([Oi](y))，該縱向測量係沿層板(11)而分布；及-組合氧濃度的徑向測量結果與縱向測量結果而得到錠中各區之間隙氧濃度。
简体摘要：本发明关于一种测定半导体材料锭(1)中之间隙氧浓度的方法，其包含以下步骤：-从锭沿该锭之纵向面切割层板(11)，且沿该锭之横向面切割至少一晶圆；-实行第一系列的该晶圆中之间隙氧浓度测量，称为径向测量，该径向测量系分布于该晶圆半径上；-实行(F3)第二系列的层板(11)中之间隙氧浓度测量，称为纵向测量([Oi](y))，该纵向测量系沿层板(11)而分布；及-组合氧浓度的径向测量结果与纵向测量结果而得到锭中各区之间隙氧浓度。

3. 发明专利

TWI335642B 電阻率、遷移率以及摻雜濃度輪廓的原位制定 IN SITU DETERMINATION OF RESISTIVITY, MOBILITY AND DOPANT CONCENTRATION PROFILES 有权
简体标题：电阻率、迁移率以及掺杂浓度轮廓的原位制定 IN SITU DETERMINATION OF RESISTIVITY, MOBILITY AND DOPANT CONCENTRATION PROFILES
公开(公告)号：TWI335642B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW093125894
申请日：2004-08-27
申请人：普魯辛賽門A
发明人：普魯辛賽門A
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34 , G01N27/041 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供在半導體結構中，例如淺接面中，原處量測電阻率分佈及摻質濃度分佈的技術。一具有導電電路之電阻測試結構的基材可以放置在一量測站，表面層可以在量測站由導電電路連續移除，導電電路的薄膜電阻可以在每一表面層移除後，在量測站處量測，以產生多數薄膜電阻量測，及電阻率分佈可以由多數薄膜電阻量測來計算。
简体摘要：本发明提供在半导体结构中，例如浅接面中，原处量测电阻率分布及掺质浓度分布的技术。一具有导电电路之电阻测试结构的基材可以放置在一量测站，表面层可以在量测站由导电电路连续移除，导电电路的薄膜电阻可以在每一表面层移除后，在量测站处量测，以产生多数薄膜电阻量测，及电阻率分布可以由多数薄膜电阻量测来计算。

4. 发明专利

TW200615529A 感測器 SENSOR 审中-公开
简体标题：传感器 SENSOR
公开(公告)号：TW200615529A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094124014
申请日：2005-07-15
申请人： BOC集團公司 THE BOC GROUP PLC
发明人：亞倫艾德華侯米 HOLME, ALAN EDWARD , 馬修齊 KEY, MATTHEW , 尼可拉斯丹尼爾哈頓 HUTTON, NICHOLAS DANIEL , 瓦利德亞梅德夸德爾 QADER, WALEED AHMED
IPC分类号： G01N , F04B
CPC分类号： G01N27/041 , G01N17/04
摘要：本發明揭示一種腐蝕感測器，其包含保持在一實質恆溫下之一可腐蝕部件。監測表示該腐蝕部件之程度的一電性，根據該監測的電性的值從該感測器輸出一信號。
简体摘要：本发明揭示一种腐蚀传感器，其包含保持在一实质恒温下之一可腐蚀部件。监测表示该腐蚀部件之程度的一电性，根据该监测的电性的值从该传感器输出一信号。

5. 发明专利

TWI279566B 多層結構中測量各層性質之裝置及方法 AN APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING A PROPERTY OF A LAYER IN A MULTILAYERED STRUCTURE 失效
简体标题：多层结构中测量各层性质之设备及方法 AN APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING A PROPERTY OF A LAYER IN A MULTILAYERED STRUCTURE
公开(公告)号：TWI279566B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW092104457
申请日：2003-03-03
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：彼德.波登 PETER G. BORDEN , 吉普林.黎 JIPLING LI
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01N27/041 , G01N21/1717
摘要：一種裝置藉由以下方法測量一層之特性(例如一傳導層之薄片電阻)：(1)聚集加熱光束於傳導層之加熱區域(也稱為"被加熱區域")(2)於一預定頻率調變該加熱光束之功率，該頻率被選擇為足夠低，以確保當被一未調變光束加熱時，在任何時候光吸收層之溫度大約等於(例如其90％之內)光吸收層之溫度，以及(3)測量另一光束之功率，其係(a)由該被加熱區域反射，以及(b)與該加熱光束之調變一致被調變。於步驟(3)之測量可直接被使用為由圖案化該傳導層而形成之一傳導點之電阻(每單位面積)的測量。步驟(1)-(3)可於半導體晶圓之製造期間重覆，於一傳導層之數個區域之每一區域上，且測量中之任何改變指示該層電阻之對應的改變。當測量改變大於一預定量時(例如10％)，控制製造流程之一處理參數被改變以使下一晶圓之測量回復正常。
简体摘要：一种设备借由以下方法测量一层之特性(例如一传导层之薄片电阻)：(1)聚集加热光束于传导层之加热区域(也称为"被加热区域")(2)于一预定频率调制该加热光束之功率，该频率被选择为足够低，以确保当被一未调制光束加热时，在任何时候光吸收层之温度大约等于(例如其90％之内)光吸收层之温度，以及(3)测量另一光束之功率，其系(a)由该被加热区域反射，以及(b)与该加热光束之调制一致被调制。于步骤(3)之测量可直接被使用为由图案化该传导层而形成之一传导点之电阻(每单位面积)的测量。步骤(1)-(3)可于半导体晶圆之制造期间重复，于一传导层之数个区域之每一区域上，且测量中之任何改变指示该层电阻之对应的改变。当测量改变大于一预定量时(例如10％)，控制制造流程之一处理参数被改变以使下一晶圆之测量回复正常。

6. 发明专利

TW200307138A 多層結構中測量各層性質之裝置及方法 AN APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING A PROPERTY OF A LAYER IN A MULTILAYERED STRUCTURE 失效
简体标题：多层结构中测量各层性质之设备及方法 AN APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING A PROPERTY OF A LAYER IN A MULTILAYERED STRUCTURE
公开(公告)号：TW200307138A
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW092104457
申请日：2003-03-03
申请人：巴克瑟克洛斯股份有限公司 BOXER CROSS INCORPORATED
发明人：彼德波登 PETER G. BORDEN , 吉普林黎 JIPLING LI
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01N27/041 , G01N21/1717
摘要：一種裝置藉由以下方法測量一層之特性(例如一傳導層之薄片電阻)：(1)聚集加熱光束於傳導層之加熱區域(也稱為“被加熱區域”)(2)於一預定頻率調變該加熱光束之功率，該頻率被選擇為足夠低，以確保當被一未調變光束加熱時，在任何時候光吸收層之溫度大約等於(例如其90％之內)光吸收層之溫度，以及(3)測量另一光束之功率，其係(a)由該被加熱區域反射，以及(b)與該加熱光束之調變一致被調變。於步驟(3)之測量可直接被使用為由圖案化該傳導層而形成之一傳導點之電阻(每單位面積)的測量。步驟(1)-(3)可於半導體晶圓之製造期間重覆，於一傳導層之數個區域之每一區域上，且測量中之任何改變指示該層電阻之對應的改變。當測量改變大於一預定量時(例如10％，控制製造流程之一處理參數被改變以使下一晶圓之測量回復正常。
简体摘要：一种设备借由以下方法测量一层之特性(例如一传导层之薄片电阻)：(1)聚集加热光束于传导层之加热区域(也称为“被加热区域”)(2)于一预定频率调制该加热光束之功率，该频率被选择为足够低，以确保当被一未调制光束加热时，在任何时候光吸收层之温度大约等于(例如其90％之内)光吸收层之温度，以及(3)测量另一光束之功率，其系(a)由该被加热区域反射，以及(b)与该加热光束之调制一致被调制。于步骤(3)之测量可直接被使用为由图案化该传导层而形成之一传导点之电阻(每单位面积)的测量。步骤(1)-(3)可于半导体晶圆之制造期间重复，于一传导层之数个区域之每一区域上，且测量中之任何改变指示该层电阻之对应的改变。当测量改变大于一预定量时(例如10％，控制制造流程之一处理参数被改变以使下一晶圆之测量回复正常。

7. 发明专利

TW308645B 基板表面之有機物污染之評估裝置及方法失效
简体标题：基板表面之有机物污染之评估设备及方法
公开(公告)号：TW308645B
公开(公告)日：1997-06-21
申请号：TW085106512
申请日：1996-05-31
申请人：高砂熱學工業股份有限公司
发明人：佐藤克己 , 阪田總一郎 , 高橋秀人
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N13/02 , G01N27/041 , G01N2013/0241
摘要：本發明係使電極106與表面形成絕緣層的基板104密合而在相同相對濕度環境氣之下經時測定其表面電阻率(Rs)或經時測定滴下到基板206表面的液滴207之接觸角(α)。然後，藉由比較對於剛洗淨後基板的測定值和對於曝露於預定時間評價對象環境氣後基板的測定值，可簡便評估環境氣由來的基板表面之有機物污染。
简体摘要：本发明系使电极106与表面形成绝缘层的基板104密合而在相同相对湿度环境气之下经时测定其表面电阻率(Rs)或经时测定滴下到基板206表面的液滴207之接触角(α)。然后，借由比较对于刚洗净后基板的测定值和对于曝露于预定时间评价对象环境气后基板的测定值，可简便评估环境气由来的基板表面之有机物污染。

8. 发明专利

TW201630094A 測定半導體材料中所引入之污染的方法审中-公开
简体标题：测定半导体材料中所引入之污染的方法
公开(公告)号：TW201630094A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104143278
申请日：2015-12-23
申请人：原子能與替代能源公署 , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人：馬泰班諾 , MARTEL, BENOIT , 杜博塞巴斯丁 , DUBOIS, SEBASTIEN , 弗曼約帝 , VEIRMAN, JORDI
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N27/041 , G01N27/14 , H01L22/14
摘要：本發明係有關於一種測定由設備引入在摻雜雜質方面未補償之半導體材料所構成的兩個樣本中之污染的方法，該兩個樣本具有相反的導電類型且每一樣本包括已知導電類型及濃度之多數摻雜雜質，該方法包括不同步驟如下：a)使該兩個樣本之每一者在該設備中受到(310)一熱處理，在該熱處理期間由該設備所引入之污染導致未知導電類型及濃度之摻雜雜質出現在該兩個樣本中，因該污染所造成之摻雜雜質在該兩個經處理樣本中之至少一者中是少數；b)在該兩個經處理樣本之每一者中的測量(320)為溫度之函數的電荷載體密度；c)針對該兩個經處理樣本之每一者定義(330)一表示電荷載體密度之對數作為溫度倒數之函數的曲線；d)針對該兩個經處理樣本之該至少一者偵測(340)該曲線之對應於該等摻雜雜質之電離區(ionisation regime)的區域中之斜率變化的位置； e)根據該斜率變化之位置測定(350)該兩個經處理樣本中之該至少一者的少數摻雜雜質之濃度。
简体摘要：本发明系有关于一种测定由设备引入在掺杂杂质方面未补偿之半导体材料所构成的两个样本中之污染的方法，该两个样本具有相反的导电类型且每一样本包括已知导电类型及浓度之多数掺杂杂质，该方法包括不同步骤如下：a)使该两个样本之每一者在该设备中受到(310)一热处理，在该热处理期间由该设备所引入之污染导致未知导电类型及浓度之掺杂杂质出现在该两个样本中，因该污染所造成之掺杂杂质在该两个经处理样本中之至少一者中是少数；b)在该两个经处理样本之每一者中的测量(320)为温度之函数的电荷载体密度；c)针对该两个经处理样本之每一者定义(330)一表示电荷载体密度之对数作为温度倒数之函数的曲线；d)针对该两个经处理样本之该至少一者侦测(340)该曲线之对应于该等掺杂杂质之电离区(ionisation regime)的区域中之斜率变化的位置； e)根据该斜率变化之位置测定(350)该两个经处理样本中之该至少一者的少数掺杂杂质之浓度。

9. 发明专利

TW200512893A 電阻率、遷移率以及摻雜濃度輪廓的原位制定 IN SITU DETERMINATION OF RESISTIVITY, MOBILITY AND DOPANT CONCENTRATION PROFILES 审中-公开
简体标题：电阻率、迁移率以及掺杂浓度轮廓的原位制定 IN SITU DETERMINATION OF RESISTIVITY, MOBILITY AND DOPANT CONCENTRATION PROFILES
公开(公告)号：TW200512893A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW093125894
申请日：2004-08-27
申请人：普魯辛賽門A PRUSSIN, SIMON A.
发明人：普魯辛賽門A PRUSSIN, SIMON A.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34 , G01N27/041 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/14 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供在半導體結構中，例如淺接面中，原處量測電阻率分佈及摻雜物濃度分佈的技術。一具有導電電路之電阻測試結構的基材可以放置在一量測站，表面層可以在量測站由導電電路連續移除，導電電路的片電阻可以在每一表面層移除後，在量測站處量測，以產生多數片電阻量測，及電阻率分佈可以由多數片電阻量測加以計算。
简体摘要：本发明提供在半导体结构中，例如浅接面中，原处量测电阻率分布及掺杂物浓度分布的技术。一具有导电电路之电阻测试结构的基材可以放置在一量测站，表面层可以在量测站由导电电路连续移除，导电电路的片电阻可以在每一表面层移除后，在量测站处量测，以产生多数片电阻量测，及电阻率分布可以由多数片电阻量测加以计算。

10. 发明专利

TW502114B 試樣表面漏電流之測定方法有权
简体标题：试样表面漏电流之测定方法
公开(公告)号：TW502114B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090121300
申请日：2001-08-29
申请人：理學電機股份有限公司 , 三菱電機股份有限公司
发明人：平山泰生 , 伊藤幸一郎 , 服部亮 , 宮國晉一 , 野谷佳弘 , 山本佳嗣
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N27/041 , G01N1/44
摘要：本發明係無需預先藉其他設備除去試樣表面上之附著物質，便可高精度測定試樣之表面漏電流。又可確認試樣表面上之附著物質是否完全脫離。
於試樣50表面上形成一對電極52、54。在施加電壓於一對電極52、54間狀態下，當照射能量射束62於電極52、54間之試樣表面區域，附著物質60即自試樣表面脫離。若於照射能量射束62期間內，測定流過電極52、54間之電流時，在附著物質存在期間內，可觀測到通過附著物質而流動之表面漏電流。附著物質60一完全脫離，附著物質60所引發之表面漏電流即消失。因此，於附著物質6O引發之表面漏電流消失之時刻，可確認附著物質60完全脫離。此後，停止照射能量射束62，可測定試樣本來之表面漏電流。
简体摘要：本发明系无需预先藉其他设备除去试样表面上之附着物质，便可高精度测定试样之表面漏电流。又可确认试样表面上之附着物质是否完全脱离。于试样50表面上形成一对电极52、54。在施加电压于一对电极52、54间状态下，当照射能量射束62于电极52、54间之试样表面区域，附着物质60即自试样表面脱离。若于照射能量射束62期间内，测定流过电极52、54间之电流时，在附着物质存在期间内，可观测到通过附着物质而流动之表面漏电流。附着物质60一完全脱离，附着物质60所引发之表面漏电流即消失。因此，于附着物质6O引发之表面漏电流消失之时刻，可确认附着物质60完全脱离。此后，停止照射能量射束62，可测定试样本来之表面漏电流。

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