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    • 3. 发明专利
    • 氮化矽基燒結體及其製法
    • 氮化硅基烧结体及其制法
    • TW421638B
    • 2001-02-11
    • TW085101522
    • 1996-02-07
    • 住友電氣工業股份有限公司
    • 請川治平口松夫
    • C01B
    • C04B41/009C04B35/5935C04B35/597C04B41/0072C04B41/45C04B35/584
    • 一種氮化矽基燒結體,包括20重量%或以下的顆粒界面相,其餘主相為氮化矽/或矽亞隆(Sialon)顆粒,其中主相含β-Si3N4相和/或β'-矽亞隆相的粒相相對於主相的量比在0.5至l.O範圍;顆粒界面相含 Re2Si207(其中Re代表除Er和Yb以外的稀土元素)為第一晶體成份以及ReSiNO2、ReAl5O12、ReAIO3和 Si3N4.Y2O3至少其一為第二晶體成份;顆粒界面相內第一和第二晶體成份,對β-Si3N4相和/或β'-矽亞隆相之粒相的量比在0.03至1.6範圍。燒結體的製法是,將特殊燒結助劑與氮化矽基粉末混合,把混合物燒結,對燒結體加熱處理.以供在1050℃至1550℃溫度範圍內成核並長晶。
    • 一种氮化硅基烧结体,包括20重量%或以下的颗粒界面相,其余主相为氮化硅/或硅亚隆(Sialon)颗粒,其中主相含β-Si3N4相和/或β'-硅亚隆相的粒相相对于主相的量比在0.5至l.O范围;颗粒界面相含 Re2Si207(其中Re代表除Er和Yb以外的稀土元素)为第一晶体成份以及ReSiNO2、ReAl5O12、ReAIO3和 Si3N4.Y2O3至少其一为第二晶体成份;颗粒界面相内第一和第二晶体成份,对β-Si3N4相和/或β'-硅亚隆相之粒相的量比在0.03至1.6范围。烧结体的制法是,将特殊烧结助剂与氮化硅基粉末混合,把混合物烧结,对烧结体加热处理.以供在1050℃至1550℃温度范围内成核并长晶。