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    • 2. 发明专利
      TWI322138B 保護塗層用玻璃糊及厚膜電阻元件 有权
    • 保護塗層用玻璃糊及厚膜電阻元件
    • 保护涂层用玻璃煳及厚膜电阻组件
    • TWI322138B
    • 2010-03-21
    • TW095143469
    • 2006-11-24
    • 昭榮化學工業股份有限公司
    • 田中哲也 , 遠藤忠 , 真島浩 , 金作整 , 山添幹夫
    • C03C , H01C
    • C03C8/00 , C03C3/062 , C03C3/066 , C03C3/083 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/093
    • 提供一種保護塗層用玻璃糊，其係實質上不含鉛、可在低溫、特別是在700℃以下的溫度下燒成、氣密性及化學耐久性、特別是耐酸性優異的保護塗層用玻璃糊，在使用作為厚膜電阻元件的預塗層玻璃時，在無損於電阻體的安定性下可容易地進行雷射修剪的保護塗層用玻璃糊。
      一種保護塗層用玻璃糊，其係包含低熔點玻璃粉末與有機媒液的玻璃糊，其特徵為前述低熔點玻璃實質上不含Pb且以氧化物換算的莫耳%表示，則含有20~50% SiO2、0.5~10% Al2 O3、5~35%至少1種選自BaO及SrO組成的群組、5~35% ZnO、1~10% TiO2、1~13%至少1種選自Li2 O、Na2 O及K2 O組成的群組、0~20% B2 O3及0~5%至少1種選自WO3及MoO3組成的群組為特徴的保護塗層用玻璃糊。 To provide a glass paste for overcoat that is substantially free of lead and with excellent airtight property and chemical resistance, especially acid resistance, and can be calcined under low temperature, especially below 700℃. And the glass paste can be easily laser trimmed without loss of resistance stability while it is used as precoating glass of thick film resistance element.
      The glass paste for overcoat comprises glass powder having low melting point and organic vehicle. The glass having low melting point is substantially free of lead and contains 20~50 mol% of SiO2、0.5~10 mol% of Al2 O3、5~35 mol% of at least one selected from BaO and SrO、3~35 mol% of ZnO、1~10mol% of TiO2、1~13 mol% of at least one selected from Li2 O and Na2 O and K2 O、0~20 mol% of B2 O3、and 0~5 mol% of at least one selected from WO3 and MoO3. 【創作特點】 本發明之目的在於提供實質上未包含其為有害物質的鉛、在低溫、特別是700℃以下的溫度下可燒成、氣密性及化學耐久性、特別是耐酸性優異的保護塗層用玻璃糊，特別是在於使用作為厚膜電阻體的預塗層玻璃時，提供如在無損於電阻體安定性之下可容易地進行雷射修剪的保護塗層用玻璃糊。
      鑑於上述本發明的目的，本發明者等專心一志研究的結果，判斷藉由使玻璃各成分在適切範圍中而可兼具所謂前述低熔點性、耐酸性與雷射修剪性相反的特性，而且滿足在保護塗層玻璃中所要求之全部特性的優異無鉛保護塗層用玻璃糊，並且得到使用該糊於厚膜電阻體之保護塗層與雷射修剪性優異的厚膜電阻元件而達成本發明。即，本發明係由以下所記載的構成所構成。
      (1)一種保護塗層用玻璃糊，其為包含低熔點玻璃粉末與有機媒液的玻璃糊，其中前述低熔點玻璃實質上不含Pb，以氧化物換算的莫耳%表示，含有20~50% SiO2、0.5~10% A2 O3、5~35%至少1種選自BaO及SrO組成的群組、5~35% ZnO、1~10% TiO2、1~13%至少1種選自Li2 O、Na2 O及K2 O組成的群組、0~20% B2 O3、及0~5%至少1種選自WO3及MoO3組成的群組。
      (2)如前述(1)所記載之保護塗層用玻璃糊，其特徵為Ba/Zn莫耳比為2.0以下。
      (3)如前述(1)或(2)所記載之保護塗層用玻璃糊，其特徵為前述低熔點玻璃的楊格模數為85GPa以下。
      (4)如前述(1)~(3)中任一項所記載之保護塗層用玻璃糊，其特徵為進一步包含氧化物填料。
      (5)如前述(4)所記載之保護塗層用玻璃糊，其特徵為前述氧化物填料為選自WO3、CaWO4、TiO2、SnO2、La2 O3、MoO3、Ta2 O5、Nb2 O5、ZrO2、Al2 O3、Nd2 O3、CeO2組成之群組中至少1種。
      (6)如前述(4)或(5)所記載之保護塗層用玻璃糊，其特徵為前述氧化物填料含量為相對於前述低熔點玻璃粉末100重量份而為0.5~20重量份。
      (7)一種厚膜電阻元件，其特徵為在絶緣基板上形成1對電極、於此電極上至少一部分重疊地所形成的厚膜電阻體、與被覆厚膜電阻體之保護塗層所構成的厚膜電阻元件，其中使用前述(1)~(6)中任一項所記載的保護塗層用玻璃糊形成保護塗層。
      (8)如前述(7)所記載之厚膜電阻元件，其特徵為前述厚膜電阻體在不包含鉛成分之玻璃基質中存在不包含鉛成分的釕系導電相與MSi2 Al2 O8結晶(M：Ba及/或Sr)。
      本發明的玻璃糊係以使用特定組成的玻璃粉末為特徴，由於具有低的玻璃轉移溫度(Tg)，故即使不含有害的鉛而在550~700℃左右的低溫下亦可燒成，而且可形成氣密性、耐酸性極優異的保護塗層。由於耐酸性優異，在例如晶片電阻器製造步驟中在使用酸性電鍍液來進行電鍍處理的情況下，亦不會一方面溶解玻璃一方面電鍍液滲透而劣化電阻體。因此，極為有用作為厚膜電阻體的預塗層玻璃或二次塗層玻璃，又，亦可使用作為各種電子零件或顯示元件等的電極或導體回路的保護塗層。
      又，由於楊格模數比較低且具有適度的延展性，在使用作為電阻體的預塗層玻璃時，容易雷射切割，切割截面亦良好且修剪後的電阻值散亂小，並且在雷射切割後亦因抑制厚膜電阻體特性劣化於最小限度，電阻體的安定性亦極良好。尤其若使用楊格模數為85GPa以下的玻璃，顯示特別優異的雷射修剪性。
      再者，在本發明的玻璃糊中，藉由添加於前述玻璃粉末而含有氧化物填料，可改善熱膨脹係數等各種特性。特別地，藉由使用特定氧化物填料，在無損低熔點性、耐酸性之下，可進一步改善雷射修剪性。
      本發明的玻璃糊係與各種厚膜電阻體適合且可製造信頼性高的電阻元件，特別是在記載於專利申請第2005－290216號、形成在不含鉛成分之玻璃基質中存在不含鉛成分之釕系導電相與MSi2 Al2 O8結晶(M：Ba及/或Sr)之厚膜電阻體的保護塗層、特別是預塗層的情況下，達成優異的效果。
    • 提供一种保护涂层用玻璃煳，其系实质上不含铅、可在低温、特别是在700℃以下的温度下烧成、气密性及化学耐久性、特别是耐酸性优异的保护涂层用玻璃煳，在使用作为厚膜电阻组件的预涂层玻璃时，在无损于电阻体的安定性下可容易地进行激光修剪的保护涂层用玻璃煳。 一种保护涂层用玻璃煳，其系包含低熔点玻璃粉末与有机媒液的玻璃煳，其特征为前述低熔点玻璃实质上不含Pb且以氧化物换算的莫耳%表示，则含有20~50% SiO2、0.5~10% Al2 O3、5~35%至少1种选自BaO及SrO组成的群组、5~35% ZnO、1~10% TiO2、1~13%至少1种选自Li2 O、Na2 O及K2 O组成的群组、0~20% B2 O3及0~5%至少1种选自WO3及MoO3组成的群组为特徴的保护涂层用玻璃煳。 To provide a glass paste for overcoat that is substantially free of lead and with excellent airtight property and chemical resistance, especially acid resistance, and can be calcined under low temperature, especially below 700℃. And the glass paste can be easily laser trimmed without loss of resistance stability while it is used as precoating glass of thick film resistance element. The glass paste for overcoat comprises glass powder having low melting point and organic vehicle. The glass having low melting point is substantially free of lead and contains 20~50 mol% of SiO2、0.5~10 mol% of Al2 O3、5~35 mol% of at least one selected from BaO and SrO、3~35 mol% of ZnO、1~10mol% of TiO2、1~13 mol% of at least one selected from Li2 O and Na2 O and K2 O、0~20 mol% of B2 O3、and 0~5 mol% of at least one selected from WO3 and MoO3. 【创作特点】 本发明之目的在于提供实质上未包含其为有害物质的铅、在低温、特别是700℃以下的温度下可烧成、气密性及化学耐久性、特别是耐酸性优异的保护涂层用玻璃煳，特别是在于使用作为厚膜电阻体的预涂层玻璃时，提供如在无损于电阻体安定性之下可容易地进行激光修剪的保护涂层用玻璃煳。 鉴于上述本发明的目的，本发明者等专心一志研究的结果，判断借由使玻璃各成分在适切范围中而可兼具所谓前述低熔点性、耐酸性与激光修剪性相反的特性，而且满足在保护涂层玻璃中所要求之全部特性的优异无铅保护涂层用玻璃煳，并且得到使用该煳于厚膜电阻体之保护涂层与激光修剪性优异的厚膜电阻组件而达成本发明。即，本发明系由以下所记载的构成所构成。 (1)一种保护涂层用玻璃煳，其为包含低熔点玻璃粉末与有机媒液的玻璃煳，其中前述低熔点玻璃实质上不含Pb，以氧化物换算的莫耳%表示，含有20~50% SiO2、0.5~10% A2 O3、5~35%至少1种选自BaO及SrO组成的群组、5~35% ZnO、1~10% TiO2、1~13%至少1种选自Li2 O、Na2 O及K2 O组成的群组、0~20% B2 O3、及0~5%至少1种选自WO3及MoO3组成的群组。 (2)如前述(1)所记载之保护涂层用玻璃煳，其特征为Ba/Zn莫耳比为2.0以下。 (3)如前述(1)或(2)所记载之保护涂层用玻璃煳，其特征为前述低熔点玻璃的杨格模数为85GPa以下。 (4)如前述(1)~(3)中任一项所记载之保护涂层用玻璃煳，其特征为进一步包含氧化物填料。 (5)如前述(4)所记载之保护涂层用玻璃煳，其特征为前述氧化物填料为选自WO3、CaWO4、TiO2、SnO2、La2 O3、MoO3、Ta2 O5、Nb2 O5、ZrO2、Al2 O3、Nd2 O3、CeO2组成之群组中至少1种。 (6)如前述(4)或(5)所记载之保护涂层用玻璃煳，其特征为前述氧化物填料含量为相对于前述低熔点玻璃粉末100重量份而为0.5~20重量份。 (7)一种厚膜电阻组件，其特征为在绝缘基板上形成1对电极、于此电极上至少一部分重叠地所形成的厚膜电阻体、与被覆厚膜电阻体之保护涂层所构成的厚膜电阻组件，其中使用前述(1)~(6)中任一项所记载的保护涂层用玻璃煳形成保护涂层。 (8)如前述(7)所记载之厚膜电阻组件，其特征为前述厚膜电阻体在不包含铅成分之玻璃基质中存在不包含铅成分的钌系导电相与MSi2 Al2 O8结晶(M：Ba及/或Sr)。 本发明的玻璃煳系以使用特定组成的玻璃粉末为特徴，由于具有低的玻璃转移温度(Tg)，故即使不含有害的铅而在550~700℃左右的低温下亦可烧成，而且可形成气密性、耐酸性极优异的保护涂层。由于耐酸性优异，在例如芯片电阻器制造步骤中在使用酸性电镀液来进行电镀处理的情况下，亦不会一方面溶解玻璃一方面电镀液渗透而劣化电阻体。因此，极为有用作为厚膜电阻体的预涂层玻璃或二次涂层玻璃，又，亦可使用作为各种电子零件或显示组件等的电极或导体回路的保护涂层。 又，由于杨格模数比较低且具有适度的延展性，在使用作为电阻体的预涂层玻璃时，容易激光切割，切割截面亦良好且修剪后的电阻值散乱小，并且在激光切割后亦因抑制厚膜电阻体特性劣化于最小限度，电阻体的安定性亦极良好。尤其若使用杨格模数为85GPa以下的玻璃，显示特别优异的激光修剪性。 再者，在本发明的玻璃煳中，借由添加于前述玻璃粉末而含有氧化物填料，可改善热膨胀系数等各种特性。特别地，借由使用特定氧化物填料，在无损低熔点性、耐酸性之下，可进一步改善激光修剪性。 本发明的玻璃煳系与各种厚膜电阻体适合且可制造信赖性高的电阻组件，特别是在记载于专利申请第2005－290216号、形成在不含铅成分之玻璃基质中存在不含铅成分之钌系导电相与MSi2 Al2 O8结晶(M：Ba及/或Sr)之厚膜电阻体的保护涂层、特别是预涂层的情况下，达成优异的效果。
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