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1. 发明专利

TWI620714B 金屬氫化物之製造方法有权
简体标题：金属氢化物之制造方法
公开(公告)号：TWI620714B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103133410
申请日：2014-09-25
申请人：太平洋水泥股份有限公司 , TAIHEIYO CEMENT CORPORATION
发明人：石本哲也 , ISHIMOTO, TETSUYA , 鈴木將治 , SUZUKI, SHOJI , 松井克己 , MATSUI, KATSUMI , 初森智紀 , HATSUMORI, TOMOKI , 常世田和彥 , TOKOYODA, KAZUHIKO
IPC分类号： C01B6/02 , C01B6/04
CPC分类号： C01B6/04 , C01B6/02

2. 发明专利

TW201006844A 作為儲氫材料之含有芳基或烷基之有機過渡金屬氫化物錯合物之更高等之製備方法 MORE ADVANCED PREPARATION METHOD OF ORGANIC-TRANSITION METAL HYDRIDE COMPLEXES CONTAINING ARYL GROUP OR ALKYL GROUP AS HYDROGEN STORAGE MATERIALS 失效
简体标题：作为储氢材料之含有芳基或烷基之有机过渡金属氢化物错合物之更高等之制备方法 MORE ADVANCED PREPARATION METHOD OF ORGANIC-TRANSITION METAL HYDRIDE COMPLEXES CONTAINING ARYL GROUP OR ALKYL GROUP AS HYDROGEN STORAGE MATERIALS
公开(公告)号：TW201006844A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098126729
申请日：2009-08-10
申请人：韓華石油化學股份有限公司
发明人：金鍾植 , 金東鈺 , 尹熙復 , 朴濟城 , 全孝鎮 , 安貴龍 , 金東昱 , 任志淳 , 車文鉉
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C07F7/28 , C01B3/0015 , C01B3/0026 , C01B6/02 , C07F1/00 , C07F1/005 , C07F7/006 , C07F17/00 , Y02E60/327 , Y02E60/328
摘要：本發明係關於一種作為儲氫材料之有機過渡金屬氫化物之更高等之製備方法，更精確而言，係一種含有芳基或烷基之有機過渡金屬氫化物之更高等之製備方法，其可協助大量氫之安全及反向儲存。本發明係關於一種有機過渡金屬氫化物之製備方法，包含以下步驟：藉由於一非質子極性溶劑中，將鹼金屬、鹼土金屬或其混合物與（C10至C20）芳族化合物進行反應而製得一錯合物還原劑組合物；以及藉由將該製得之錯合物還原劑組合物與一有機過渡金屬鹵化物進行反應而製得該有機過渡金屬氫化物。本發明之方法具有以下優點：可藉由使用一錯合物還原劑而使副產物之數目及數量降至最低；以及可於較溫和的反應條件下，安全地製造有機過渡金屬氫化物而無變質作用。
简体摘要：本发明系关于一种作为储氢材料之有机过渡金属氢化物之更高等之制备方法，更精确而言，系一种含有芳基或烷基之有机过渡金属氢化物之更高等之制备方法，其可协助大量氢之安全及反向存储。本发明系关于一种有机过渡金属氢化物之制备方法，包含以下步骤：借由于一非质子极性溶剂中，将碱金属、碱土金属或其混合物与（C10至C20）芳族化合物进行反应而制得一错合物还原剂组合物；以及借由将该制得之错合物还原剂组合物与一有机过渡金属卤化物进行反应而制得该有机过渡金属氢化物。本发明之方法具有以下优点：可借由使用一错合物还原剂而使副产物之数目及数量降至最低；以及可于较温和的反应条件下，安全地制造有机过渡金属氢化物而无变质作用。

3. 发明专利

TWI380990B 作為儲氫材料之含有芳基或烷基之有機過渡金屬氫化物錯合物之更高等之製備方法失效
简体标题：作为储氢材料之含有芳基或烷基之有机过渡金属氢化物错合物之更高等之制备方法
公开(公告)号：TWI380990B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098126729
申请日：2009-08-10
申请人：韓華石油化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：金鍾植 , KIM, JONG SIK , 金東鈺 , KIM, DONG OK , 尹熙復 , YOON, HEE BOCK , 朴濟城 , PARK, JEASUNG , 全孝鎮 , JEON, HYO JIN , 安貴龍 , AHN, GUI RYONG , 金東昱 , KIM, DONG WOOK , 任志淳 , IHM, JISOON , 車文鉉 , CHA, MOON-HYUN
IPC分类号： C07F7/28 , C07F17/00
CPC分类号： C07F7/28 , C01B3/0015 , C01B3/0026 , C01B6/02 , C07F1/00 , C07F1/005 , C07F7/006 , C07F17/00 , Y02E60/327 , Y02E60/328

4. 发明专利

TW453921B 鈦粉末及其製法失效
简体标题：钛粉末及其制法
公开(公告)号：TW453921B
公开(公告)日：2001-09-11
申请号：TW086110858
申请日：1997-07-30
申请人：東邦鈦股份有限公司
发明人：深澤英一 , 菅原智
IPC分类号： B22F
CPC分类号： B22F9/023 , C01B6/02 , C22B34/1286
摘要：本發明係有關一種氫化鈦粉末,其特徵為使鈦或鈦合金氫蝕致脆化所得的最大粒徑實質上為150μm以下,且粒徑為l0μm以下之粉末比例為8重量%以下,以及使該氫化鈦粉末脫氫所得的最大粒徑實質上為150μm,粒徑為10μm以下之粉末比例為5重量%以下的鈦粉末。本發明係具備降低含氧量與氯含量,優異流動性及成形性。該粉末尤其適合做為藉由粉末冶金法燒結鈦或鈦合金製品之製造用原料。
简体摘要：本发明系有关一种氢化钛粉末,其特征为使钛或钛合金氢蚀致脆化所得的最大粒径实质上为150μm以下,且粒径为l0μm以下之粉末比例为8重量%以下,以及使该氢化钛粉末脱氢所得的最大粒径实质上为150μm,粒径为10μm以下之粉末比例为5重量%以下的钛粉末。本发明系具备降低含氧量与氯含量,优异流动性及成形性。该粉末尤其适合做为借由粉末冶金法烧结钛或钛合金制品之制造用原料。

5. 发明专利

TWI350274B 金屬氫化物微粒子、其製造方法、含有金屬氫化物微粒子之分散液及金屬質材料有权
简体标题：金属氢化物微粒子、其制造方法、含有金属氢化物微粒子之分散液及金属质材料
公开(公告)号：TWI350274B
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：TW093116725
申请日：2004-06-10
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：平社英之 , 阿部啓介 , 真田恭宏 , 角崎健太郎
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C23C24/08 , C01B6/02 , C23C26/00 , H05K1/092 , H05K3/105 , Y10S977/773
摘要：本發明為提供一種於大氣中不易氧化、具有優良保存安定性且適合形成金屬質材料之平均粒徑為50nm以下之銅、鎳或鈀之氫化物微粒子及其製造方法。又，提供一種具有優良保存安定性之含有銅、鎳或鈀之氫化物微粒子的分散液，及其經塗佈、鍛燒所得之金屬質材料。基於本發明，所得之銅、鎳或鈀之氫化物微粒子及其分散液，可適用於各種用途，例如利用分散液形成、修復印刷電路等，作為半導體封裝內之層間電路，或接合印刷電路板與電子零件等用途。
简体摘要：本发明为提供一种于大气中不易氧化、具有优良保存安定性且适合形成金属质材料之平均粒径为50nm以下之铜、镍或钯之氢化物微粒子及其制造方法。又，提供一种具有优良保存安定性之含有铜、镍或钯之氢化物微粒子的分散液，及其经涂布、锻烧所得之金属质材料。基于本发明，所得之铜、镍或钯之氢化物微粒子及其分散液，可适用于各种用途，例如利用分散液形成、修复印刷电路等，作为半导体封装内之层间电路，或接合印刷电路板与电子零件等用途。

6. 发明专利

TW201033224A 支架材料－過渡金屬氫化物錯合物、其中間物及製造該錯合物與該中間物之方法 SCAFFOLD MATERIALS-TRANSITION METAL HYDRIDE COMPLEXES, INTERMEDIATES THEREFOR AND METHOD FOR PREPARING THE SAME 失效
简体标题：支架材料－过渡金属氢化物错合物、其中间物及制造该错合物与该中间物之方法 SCAFFOLD MATERIALS-TRANSITION METAL HYDRIDE COMPLEXES, INTERMEDIATES THEREFOR AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
公开(公告)号：TW201033224A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099102025
申请日：2010-01-25
申请人：韓華石油化學股份有限公司
发明人：金東昱 , 金鍾植 , 安貴龍 , 金東鈺 , 朴濟城 , 全孝鎮 , 任志淳 , 車文鉉
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C01B3/0015 , C01B3/0026 , C01B6/02 , C07F3/003 , Y02E60/327 , Y02E60/328
摘要：本發明係關於可應用在氣體儲存、聚合作用催化劑及光學異構物之技術領域的物質、其中間物及其製造方法，其特徵為1）阻礙該支架材料（SM）可能的結構分解作用（disintegration）及2）相較於在應用領域上被廣為推薦之物質，其係由一簡單之生產系統所製造。具體言之，本發明係關於支架材料-過渡金屬氫化物錯合物，其係由支架材料（SM）及化學鍵結至形成於該支架材料表面之官能基的過渡金屬氫化物（M 1 H(n-1)）所構成；作為前驅物之支架材料-過渡金屬鹵化物錯合物及支架材料-過渡金屬配位基錯合物；以及製造該等錯合物之方法。本發明之支架材料-金屬氫化物錯合物係一種透過庫巴斯吸附（Kubas adsorption）吸氫之儲氫物質。本發明之錯合物可安全地且可逆地儲存大量之氫，即使反覆進行吸氫-脫氫作用，其結構亦不會發生分解作用。
简体摘要：本发明系关于可应用在气体存储、聚合作用催化剂及光学异构物之技术领域的物质、其中间物及其制造方法，其特征为1）阻碍该支架材料（SM）可能的结构分解作用（disintegration）及2）相较于在应用领域上被广为推荐之物质，其系由一简单之生产系统所制造。具体言之，本发明系关于支架材料-过渡金属氢化物错合物，其系由支架材料（SM）及化学键结至形成于该支架材料表面之官能基的过渡金属氢化物（M 1 H(n-1)）所构成；作为前驱物之支架材料-过渡金属卤化物错合物及支架材料-过渡金属配位基错合物；以及制造该等错合物之方法。本发明之支架材料-金属氢化物错合物系一种透过库巴斯吸附（Kubas adsorption）吸氢之储氢物质。本发明之错合物可安全地且可逆地存储大量之氢，即使反复进行吸氢-脱氢作用，其结构亦不会发生分解作用。

7. 发明专利

TW201520171A 金屬氫化物之製造方法审中-公开
简体标题：金属氢化物之制造方法
公开(公告)号：TW201520171A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103133410
申请日：2014-09-25
申请人：太平洋水泥股份有限公司 , TAIHEIYO CEMENT CORPORATION
发明人：石本哲也 , ISHIMOTO, TETSUYA , 鈴木將治 , SUZUKI, SHOJI , 松井克己 , MATSUI, KATSUMI , 初森智紀 , HATSUMORI, TOMOKI , 常世田和彥 , TOKOYODA, KAZUHIKO
IPC分类号： C01B6/02 , C01B6/04
CPC分类号： C01B6/04 , C01B6/02
摘要：本發明提供一種迅速使反應開始且不會混入其他金屬之有效率地製造高純度之金屬氫化物之方法。本發明之上述金屬氫化物之製造方法之特徵在於：其係由選自第2族及第3族中之金屬製造該金屬氫化物之方法，且進行如下步驟：(A)於耐壓容器中添加上述金屬並於容器內導入氫氣，進行加熱而使反應開始，並且將錶壓力(a)設為0.1~1.5MPa，將加熱溫度(b)設為50~250℃，且將錶壓力與加熱溫度之乘積(a×b)設為20~100之範圍；(B)於反應容器內之溫度較該加熱溫度上升10~100℃之時刻停止氫氣之導入而進行反應；(C)於反應容器內之溫度下降至停止該氫氣之導入之溫度之時刻導入0.1~1.5MPa之氫氣而進行反應；及(D)重複進行上述步驟(B)及(C)直至於氫氣之導入後反應容器內之溫度不再上升。
简体摘要：本发明提供一种迅速使反应开始且不会混入其他金属之有效率地制造高纯度之金属氢化物之方法。本发明之上述金属氢化物之制造方法之特征在于：其系由选自第2族及第3族中之金属制造该金属氢化物之方法，且进行如下步骤：(A)于耐压容器中添加上述金属并于容器内导入氢气，进行加热而使反应开始，并且将表压力(a)设为0.1~1.5MPa，将加热温度(b)设为50~250℃，且将表压力与加热温度之乘积(a×b)设为20~100之范围；(B)于反应容器内之温度较该加热温度上升10~100℃之时刻停止氢气之导入而进行反应；(C)于反应容器内之温度下降至停止该氢气之导入之温度之时刻导入0.1~1.5MPa之氢气而进行反应；及(D)重复进行上述步骤(B)及(C)直至于氢气之导入后反应容器内之温度不再上升。

8. 发明专利

TW201217273A 氫化銅微粒子分散液之製造方法、導電墨水及附導體之基材之製造方法审中-公开
简体标题：氢化铜微粒子分散液之制造方法、导电墨水及附导体之基材之制造方法
公开(公告)号：TW201217273A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100138339
申请日：2011-10-21
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：柏原智 , 平社英之 , 米田貴重
IPC分类号： C01G , C09D , H05K
CPC分类号： C01B6/02 , C09D7/67 , C09D11/322 , C09D11/52
摘要：本發明係關於一種氫化銅微粒子分散液之製造方法，其係於下述溶劑(A)中，於下述烷基胺(B)之存在下，利用氫化物系還原劑還原銅(II)鹽者，並且溶劑(A)係溶解度參數(SP值)為8~12且對於上述氫化物系還原劑為惰性之溶劑，烷基胺(B)係具有碳數為7以上之烷基且沸點為250℃以下之烷基胺。
简体摘要：本发明系关于一种氢化铜微粒子分散液之制造方法，其系于下述溶剂(A)中，于下述烷基胺(B)之存在下，利用氢化物系还原剂还原铜(II)盐者，并且溶剂(A)系溶解度参数(SP值)为8~12且对于上述氢化物系还原剂为惰性之溶剂，烷基胺(B)系具有碳数为7以上之烷基且沸点为250℃以下之烷基胺。

9. 发明专利

TW473458B 供製造半導體裝置及構造用之安定氫化物源組成物失效
简体标题：供制造半导体设备及构造用之安定氢化物源组成物
公开(公告)号：TW473458B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW087119440
申请日：1998-11-24
申请人：尖端科技材料公司
发明人：湯瑪斯.H.鮑姆 , 高塔姆.布漢達里 , 麥可.A.托德
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C23C16/448 , C01B4/00 , C01B6/02 , C01B6/06 , C23C16/18 , F17C11/00 , F17C2203/0648 , F17C2270/0518 , H01L21/0237 , H01L21/02538 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , Y02E60/321
摘要：一種金屬氫化物衍生物，其中至少一個氫原子被氘(21H)，或氚(3，1H)同位素所取代。此等金屬氫化物之金屬成份可為第III、 -IV或V族金屬或過渡金屬，例如，銻、鋁、鎵、錫，或鍺。本發明之同位素安定化金屬氫化物衍生物可有效作為供化學蒸氣沈積、輔助化學蒸氣沈積(例如，雷射輔助化學蒸氣沈積、光輔助化學蒸氣沈積、電漿輔助化學蒸氣沈積及離子輔助化學蒸氣沈積)、離子稙入、分手束磊晶術、及快速熱加工用之金屬源組成物。
简体摘要：一种金属氢化物衍生物，其中至少一个氢原子被氘(21H)，或氚(3，1H)同位素所取代。此等金属氢化物之金属成份可为第III、 -IV或V族金属或过渡金属，例如，锑、铝、镓、锡，或锗。本发明之同位素安定化金属氢化物衍生物可有效作为供化学蒸气沉积、辅助化学蒸气沉积(例如，激光辅助化学蒸气沉积、光辅助化学蒸气沉积、等离子辅助化学蒸气沉积及离子辅助化学蒸气沉积)、离子稙入、分手束磊晶术、及快速热加工用之金属源组成物。

10. 发明专利

TWI387600B 支架材料－過渡金屬氫化物錯合物、其中間物及製造該錯合物與該中間物之方法失效
简体标题：支架材料－过渡金属氢化物错合物、其中间物及制造该错合物与该中间物之方法
公开(公告)号：TWI387600B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW099102025
申请日：2010-01-25
申请人：韓華石油化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：金鍾植 , KIM, JONG SIK , 金東昱 , KIM, DONG WOOK , 安貴龍 , AHN, GUI RYONG , 金東鈺 , KIM, DONG OK , 朴濟城 , PARK, JEASUNG , 全孝鎮 , JEON, HYO JIN , 任志淳 , IHM, JISOON , 車文鉉 , CHA, MOON-HYUN
IPC分类号： C07F7/28 , C07F19/00
CPC分类号： C01B3/0015 , C01B3/0026 , C01B6/02 , C07F3/003 , Y02E60/327 , Y02E60/328

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