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1. 发明专利

TWI561321B 彎曲殼體面板邊緣部分之技術有权
简体标题：弯曲壳体皮肤边缘部分之技术
公开(公告)号：TWI561321B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102145558
申请日：2013-12-11
申请人：惠普發展公司有限責任合夥企業 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.
发明人：王志杰 , WANG, ZHI-JIE , 游明仁 , YU, MING JEN , 胡東陽 , HU, TUNG YANG , 馬薩羅凱文L , MASSARO, KEVIN L , 陳君樸 , CHEN, CHUN PU , 美漢德傑斯基迪米崔 , MEHANDJIYSKY, DIMITRE
IPC分类号： B21D5/06 , B29D7/01 , H05K5/00
CPC分类号： B21D5/16 , B21D53/00 , G06F1/1616 , G06F1/1656

2. 发明专利

TW201433377A 彎曲殼體面板邊緣部分之技術审中-公开
简体标题：弯曲壳体皮肤边缘部分之技术
公开(公告)号：TW201433377A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102145558
申请日：2013-12-11
申请人：惠普發展公司有限責任合夥企業 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P.
发明人：王志杰 , WANG, ZHI-JIE , 游明仁 , YU, MING JEN , 胡東陽 , HU, TUNG YANG , 馬薩羅凱文L , MASSARO, KEVIN L , 陳君樸 , CHEN, CHUN PU , 美漢德傑斯基迪米崔 , MEHANDJIYSKY, DIMITRE
IPC分类号： B21D5/06 , B29D7/01 , H05K5/00
CPC分类号： B21D5/16 , B21D53/00 , G06F1/1616 , G06F1/1656
摘要：彎曲構件，其具有與殼體面板之摺疊的邊緣部分接合的傾斜面，其中該等摺疊的邊緣部分與該等彎曲構件之間的相對滑動移動致使該等摺疊的邊緣部分的每一者彎曲成一向內傾斜角。
简体摘要：弯曲构件，其具有与壳体皮肤之折叠的边缘部分接合的倾斜面，其中该等折叠的边缘部分与该等弯曲构件之间的相对滑动移动致使该等折叠的边缘部分的每一者弯曲成一向内倾斜角。

3. 发明专利

TW201738163A 片分離裝置、片分離方法以及片狀二次電池的製造方法审中-公开
简体标题：片分离设备、片分离方法以及片状二次电池的制造方法
公开(公告)号：TW201738163A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106106788
申请日：2017-03-02
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：安藤秀憲 , ANDO, HIDENORI , 佐野雅規 , SANO, MASAMI
IPC分类号： B65H3/16 , B65H1/14
CPC分类号： B21D43/24 , B21D53/00 , B65H3/60
摘要：一種片分離裝置、片分離方法以及片狀二次電池的製造方法，該片分離裝置100係具備：本體部10，其具有供已積層的複數個片材50配置的配置面10a；凸部11，其從配置面10a突出，供片材50的端部配置；以及磁性電路20，其配置於前述本體部。磁性電路20係具備：複數個永久磁鐵21，其排列配置於配置面內的X方向，且以相鄰的永久磁鐵21之同極彼此相對向的方式所配置；第一軛鐵22，其配置於複數個永久磁鐵21之間；複數個非磁性材料24，其配置於複數個永久磁鐵21與片材50之間；以及第二軛鐵23，其配置於複數個非磁性材料24之間。
简体摘要：一种片分离设备、片分离方法以及片状二次电池的制造方法，该片分离设备100系具备：本体部10，其具有供已积层的复数个片材50配置的配置面10a；凸部11，其从配置面10a突出，供片材50的端部配置；以及磁性电路20，其配置于前述本体部。磁性电路20系具备：复数个永久磁铁21，其排列配置于配置面内的X方向，且以相邻的永久磁铁21之同极彼此相对向的方式所配置；第一轭铁22，其配置于复数个永久磁铁21之间；复数个非磁性材料24，其配置于复数个永久磁铁21与片材50之间；以及第二轭铁23，其配置于复数个非磁性材料24之间。

4. 发明专利

TWI562840B 關節托架之製造裝置及製造方法有权
简体标题：关节托架之制造设备及制造方法
公开(公告)号：TWI562840B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103112105
申请日：2014-04-01
申请人： KYB股份有限公司 , KYB CORPORATION
发明人：服部太二 , HATTORI, TAIJI , 山內由彥 , YAMAUCHI, YOSHIHIKO , 早瀬知己 , HAYASE, TOMOMI
IPC分类号： B21D28/34 , F16F9/54
CPC分类号： B21D53/00 , B21D28/32 , B21D35/001 , B21D53/36 , B60G13/005 , B60G2200/142 , B60G2204/4304 , F16F9/3242 , F16F9/54

5. 发明专利

TW201446355A 關節托架之製造裝置及製造方法审中-公开
简体标题：关节托架之制造设备及制造方法
公开(公告)号：TW201446355A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103112105
申请日：2014-04-01
申请人：萱場工業股份有限公司 , KAYABA INDUSTRY CO., LTD.
发明人：服部太二 , HATTORI, TAIJI , 山內由彥 , YAMAUCHI, YOSHIHIKO , 早瀬知己 , HAYASE, TOMOMI
IPC分类号： B21D28/34 , F16F9/54
CPC分类号： B21D53/00 , B21D28/32 , B21D35/001 , B21D53/36 , B60G13/005 , B60G2200/142 , B60G2204/4304 , F16F9/3242 , F16F9/54
摘要：一種關節托架之製造裝置，其具備：托架本體，其具有沿著緩衝器的套管之內周形狀；以及一對安裝部，其自托架本體的兩端彼此平行地突出而形成；其特徵在於，具備：寬度成形機，其在由支持軸支持著工件之狀態下，使一對安裝部之寬度成形為特定尺寸；以及開孔機，其在由支持軸支持著工件且一對安裝部與底模的兩側面相對向之狀態下，於一對安裝部中加工出安裝孔；使支持軸上升之後，使工件沿著支持軸移動至底模的上方為止，使支持軸下降，直至抵接於底模上表面為止，藉此，自寬度成形機向開孔機搬送工件9。
简体摘要：一种关节托架之制造设备，其具备：托架本体，其具有沿着缓冲器的套管之内周形状；以及一对安装部，其自托架本体的两端彼此平行地突出而形成；其特征在于，具备：宽度成形机，其在由支持轴支持着工件之状态下，使一对安装部之宽度成形为特定尺寸；以及开孔机，其在由支持轴支持着工件且一对安装部与底模的两侧面相对向之状态下，于一对安装部中加工出安装孔；使支持轴上升之后，使工件沿着支持轴移动至底模的上方为止，使支持轴下降，直至抵接于底模上表面为止，借此，自宽度成形机向开孔机搬送工件9。

6. 发明专利

TW201043583A 模組化拉引滾軸及其製造與使用方法 MODULAR PULLING ROLL AND METHODS OF MANUFACTURE AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：模块化拉引滚轴及其制造与使用方法 MODULAR PULLING ROLL AND METHODS OF MANUFACTURE AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW201043583A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099107656
申请日：2010-03-16
申请人：康寧公司
发明人：鮑爾狄恩維拉
IPC分类号： C03B
CPC分类号： B21D53/00 , C03B17/068 , F16C13/00
摘要：本案揭示用來製作包含一套筒(800)及/或一匣筒(1330)之一拉引滾軸的方法。並揭示更換或維修一拉引滾軸的至少一部分耐熱材料的方法。並揭示與一拉引滾軸一起使用的一套筒及一匣筒,其均包含一耐熱材料。
简体摘要：本案揭示用来制作包含一套筒(800)及/或一匣筒(1330)之一拉引滚轴的方法。并揭示更换或维修一拉引滚轴的至少一部分耐热材料的方法。并揭示与一拉引滚轴一起使用的一套筒及一匣筒,其均包含一耐热材料。

7. 发明专利

TW522068B 繫緊螺釘之製造程序有权
简体标题：系紧螺钉之制造进程
公开(公告)号：TW522068B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW088105805
申请日：1999-04-13
申请人：南科公司
发明人：湯瑪士J.伊黎士 , 愛德華A.麥考科馬克 , 哈瑞L.狄可森
IPC分类号： B23G
CPC分类号： B21K1/00 , B21D22/206 , B21D53/00 , B21K21/02 , F16B5/0208 , F16B41/002
摘要：本發明係有關於一種製造一個繫緊螺釘之旋鈕與套環的方法，其中該旋鈕係一體形成地被附接至該螺釘之上，該套環係可附接至一面板之上。製造該旋鈕之方法係包括有以下之步驟：提供一可用於該旋鈕之鋁合金基底金屬，使用至少一種壓合操作並藉由冷加工之方式而使該基底材料壓入一概略為圓柱狀之杯形物件之中，該杯形物件係具有一概略為圓柱形之側壁，將任何位於該圓柱狀杯形物件的周界之外的基底材料移除，以及在該杯形物件的底部之中形成一穿孔，該穿孔係與該杯形物件的中空圓柱壁共軸，從而形成了該旋鈕。製造該套環之方法係包括有以下之步驟：提供一種用於該套環之金屬基底材料，使用至少一種壓合操作並藉由冷加工之方式而使該金屬基底材料壓入一圓柱形物件之中，該圓柱形物件係具有一圓柱形側壁，該圓柱形側壁係具有一外表面，將一面板附接裝置藉由冷加工而使其形成於該套環之一端部之上，以及將任何位於該圓柱形物件的周界之外的基底材料移除，從而形成了該套環。該繫緊螺釘之所有的主要組件，包括旋鈕，套環以及螺釘，係可藉由冷加工而製造。
简体摘要：本发明系有关于一种制造一个系紧螺钉之旋钮与套环的方法，其中该旋钮系一体形成地被附接至该螺钉之上，该套环系可附接至一皮肤之上。制造该旋钮之方法系包括有以下之步骤：提供一可用于该旋钮之铝合金基底金属，使用至少一种压合操作并借由冷加工之方式而使该基底材料压入一概略为圆柱状之杯形对象之中，该杯形对象系具有一概略为圆柱形之侧壁，将任何位于该圆柱状杯形对象的周界之外的基底材料移除，以及在该杯形对象的底部之中形成一穿孔，该穿孔系与该杯形对象的中空圆柱壁共轴，从而形成了该旋钮。制造该套环之方法系包括有以下之步骤：提供一种用于该套环之金属基底材料，使用至少一种压合操作并借由冷加工之方式而使该金属基底材料压入一圆柱形对象之中，该圆柱形对象系具有一圆柱形侧壁，该圆柱形侧壁系具有一外表面，将一皮肤附接设备借由冷加工而使其形成于该套环之一端部之上，以及将任何位于该圆柱形对象的周界之外的基底材料移除，从而形成了该套环。该系紧螺钉之所有的主要组件，包括旋钮，套环以及螺钉，系可借由冷加工而制造。

8. 发明专利

TWI540218B 濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI540218B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW101133956
申请日：2012-09-17
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：長田健一 , NAGATA, KENICHI , 大月富男 , OTSUKI, TOMIO , 岡部岳夫 , OKABE, TAKEO , 牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 福島篤志 , FUKUSHIMA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14
CPC分类号： H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426

9. 发明专利

TWI505998B 模組化拉引滾軸及其製造與使用方法有权
简体标题：模块化拉引滚轴及其制造与使用方法
公开(公告)号：TWI505998B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW099107656
申请日：2010-03-16
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：鮑爾狄恩維拉 , NEUBAUER, DEAN VERAL
IPC分类号： C03B17/06 , C03B15/02
CPC分类号： B21D53/00 , C03B17/068 , F16C13/00

10. 发明专利

TW201317379A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201317379A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101133956
申请日：2012-09-17
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：長田健一 , NAGATA, KENICHI , 大月富男 , OTSUKI, TOMIO , 岡部岳夫 , OKABE, TAKEO , 牧野修仁 , MAKINO, NOBUHITO , 福島篤志 , FUKUSHIMA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/14
CPC分类号： H01J37/3435 , B21D53/00 , C22C9/05 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3426
摘要：一種背板一體型濺鍍靶，凸緣部之維氏硬度Hv為90以上，且凸緣部之0.2%降伏應力為6.98×107N/m2以上。可藉由僅提高靶之凸緣部的機械強度而抑制濺鍍過程中之靶變形，進而可在不會改變先前之濺鍍特性下，形成均勻性(uniformity)優異之薄膜。藉此，可提高微細化、高積體化不斷發展之半導體產品的產率或可靠性。
简体摘要：一种背板一体型溅镀靶，凸缘部之维氏硬度Hv为90以上，且凸缘部之0.2%降伏应力为6.98×107N/m2以上。可借由仅提高靶之凸缘部的机械强度而抑制溅镀过程中之靶变形，进而可在不会改变先前之溅镀特性下，形成均匀性(uniformity)优异之薄膜。借此，可提高微细化、高积体化不断发展之半导体产品的产率或可靠性。

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