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1. 发明专利

TW452570B 將硫化氫氧化成硫磺之方法及其所使用之觸媒系統有权
简体标题：将硫化氢氧化成硫磺之方法及其所使用之触媒系统
公开(公告)号：TW452570B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW087112856A01
申请日：1999-11-11
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：李國禎 , 吳國玄
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B17/0456 , B01D53/8612 , B01J23/22 , C01B17/0465 , Y10S502/517
摘要：本案揭露一種將硫化氫氧化成硫磺之方法及其所使用之觸媒系統。該方法係在一含釩和錫之觸媒系統存在下使硫化氫進行一氧化反應以生成硫磺。當於釩觸媒中加入錫化合物後，觸媒催化硫化氫選擇性氧化反應之活性及選擇性明顯提昇，且能在更寬廣之溫度範圍內保持100％之硫磺產率。另外，若在釩-錫觸媒中再加入銻化合物，硫磺的產率可再進一步提昇。
简体摘要：本案揭露一种将硫化氢氧化成硫磺之方法及其所使用之触媒系统。该方法系在一含钒和锡之触媒系统存在下使硫化氢进行一氧化反应以生成硫磺。当于钒触媒中加入锡化合物后，触媒催化硫化氢选择性氧化反应之活性及选择性明显提升，且能在更宽广之温度范围内保持100％之硫磺产率。另外，若在钒-锡触媒中再加入锑化合物，硫磺的产率可再进一步提升。

2. 发明专利

TW438620B 減少含硫化氫之氣體中總硫量的方法失效
简体标题：减少含硫化氢之气体中总硫量的方法
公开(公告)号：TW438620B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW086112226
申请日：1997-08-26
申请人：蜆殼國際研究公司
发明人：彼得.約翰.凡丹布林克 , 漢斯.麥克.休斯曼 , 山德.史得干加
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/8603 , B01D53/8612
摘要：一種減少含硫化氫和其他硫成份之氣體中總硫量的方法，此方法包括:(a)使氣體與還原氣體在包括至少一種選自VIB族和VIII族的金屬成份的氫化觸媒存在下接觸，觸媒係在包括非晶形二氧化矽－鋁的載體上，(b)使得自於步驟(a)的至少一部份氣體與能夠促使硫化羰成為硫化氫的水解反應的水解體媒接觸，和(c)從得自從步驟(b)的氣體中除去硫化氫，如此得到硫總含量減少的產物氣體。
简体摘要：一种减少含硫化氢和其他硫成份之气体中总硫量的方法，此方法包括:(a)使气体与还原气体在包括至少一种选自VIB族和VIII族的金属成份的氢化触媒存在下接触，触媒系在包括非晶形二氧化硅－铝的载体上，(b)使得自于步骤(a)的至少一部份气体与能够促使硫化羰成为硫化氢的水解反应的水解体媒接触，和(c)从得自从步骤(b)的气体中除去硫化氢，如此得到硫总含量减少的产物气体。

3. 发明专利

TW365547B 觸媒組成物及使用該組成物之脫臭方法失效
简体标题：触媒组成物及使用该组成物之脱臭方法
公开(公告)号：TW365547B
公开(公告)日：1999-08-01
申请号：TW084113070
申请日：1995-12-08
申请人：武田藥品工業股份有限公司
发明人：小要行 , 毛利元哉 , 竹內辰郎
IPC分类号： B01D , B01J
CPC分类号： B01D53/8603 , B01D53/8606 , B01D53/8612 , B01D53/8621 , B01D53/8634 , B01D53/8668
摘要：使用觸媒組成物消除惡臭成份，此觸媒組成物係包括：四價金屬(鈦或其他元素週期表第4 族元素)之磷酸、二價金屬(銅、鋅或其他過渡金屬)之氫氧化物、及光觸媒。光觸媒包含：硫化物半導體、氧化物半導體及其他光半導體，如：氧化鈦2。組成物可進一步含有二氧化矽及/或銀成份。不論有或沒有光照射，觸媒組成物不僅可長期確保酸性成份及鹼性成份之有效去除，也可確保中性成份之有效去除。
简体摘要：使用触媒组成物消除恶臭成份，此触媒组成物系包括：四价金属(钛或其他元素周期表第4 族元素)之磷酸、二价金属(铜、锌或其他过渡金属)之氢氧化物、及光触媒。光触媒包含：硫化物半导体、氧化物半导体及其他光半导体，如：氧化钛2。组成物可进一步含有二氧化硅及/或银成份。不论有或没有光照射，触媒组成物不仅可长期确保酸性成份及碱性成份之有效去除，也可确保中性成份之有效去除。

4. 发明专利

TWI477315B 高壓氧化還原脫硫方法有权
简体标题：高压氧化还原脱硫方法
公开(公告)号：TWI477315B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW103100079
申请日：2011-10-03
申请人：摩瑞奇曼公司 , MERICHEM COMPANY
发明人：納格爾蓋瑞J , NAGL, GARY J.
IPC分类号： B01D53/14 , B01D53/52 , B01J38/12
CPC分类号： C07C7/11 , B01D53/1468 , B01D53/8612 , B01D2251/102 , B01D2251/30 , B01D2251/90 , B01D2251/902 , B01D2251/904 , B01D2255/20738 , B01D2256/245 , B01D2258/02 , B01D2258/0283

5. 发明专利

TWI275413B 自煉焦爐氣體分離出硫化氫及後續在克勞斯設備中萃取出元素硫之方法 A METHOD FOR SEPARATING HYDROGEN SULPHIDE FROM COKE OVEN GAS WITH SUBSEQUENT EXTRACTION OF ELEMENTAL SULPHUR IN A CLAUS-PLANT 有权
简体标题：自炼焦炉气体分离出硫化氢及后续在克劳斯设备中萃取出元素硫之方法 A METHOD FOR SEPARATING HYDROGEN SULPHIDE FROM COKE OVEN GAS WITH SUBSEQUENT EXTRACTION OF ELEMENTAL SULPHUR IN A CLAUS-PLANT
公开(公告)号：TWI275413B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW092115850
申请日：2003-06-11
申请人：烏德股份有限公司 UHDE GMBH
发明人：霍格席勒特 HOLGER THIELERT
IPC分类号： B01D , C01B
CPC分类号： B01D53/73 , B01D53/1468 , B01D53/8612 , C01B17/0404 , C01B17/0408 , Y02P20/129
摘要：本發明係關於一種自煉焦爐氣體分離出硫化氫及後續在克勞斯設備中萃取出元素硫之方法。硫化氫係以吸收流體的氣體淨化自煉焦爐氣體移除。於受污染之吸收流體的再生過程中，硫化氫可以一種濃縮形式產生導入在克勞斯設備中。克勞斯設備包括了：克勞斯鍋爐，廢熱鍋爐，以及反應爐而形成一額外的催化階段。鑑於本發明，克勞斯設備係只以低於250℃的操作溫度下操作之單一反應爐而操作。離開反應器爐之製程氣體在元素硫分離後氣體淨化前，含有反應爐中未被轉化的元素硫之殘餘量再回復為欲被淨化之煉焦爐氣體。指定代表圖第1圖。
简体摘要：本发明系关于一种自炼焦炉气体分离出硫化氢及后续在克劳斯设备中萃取出元素硫之方法。硫化氢系以吸收流体的气体净化自炼焦炉气体移除。于受污染之吸收流体的再生过程中，硫化氢可以一种浓缩形式产生导入在克劳斯设备中。克劳斯设备包括了：克劳斯锅炉，废热锅炉，以及反应炉而形成一额外的催化阶段。鉴于本发明，克劳斯设备系只以低于250℃的操作温度下操作之单一反应炉而操作。离开反应器炉之制程气体在元素硫分离后气体净化前，含有反应炉中未被转化的元素硫之残余量再回复为欲被净化之炼焦炉气体。指定代表图第1图。

6. 发明专利

TW533265B 使用經轉化合成氣以再生SCR型觸媒有权
简体标题：使用经转化合成气以再生SCR型触媒
公开(公告)号：TW533265B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW091117036
申请日：2002-07-30
申请人：德士古開發公司
发明人：大魏R 卡茲
IPC分类号： F02G
CPC分类号： B01J23/96 , B01D53/8612 , B01D53/96 , B01J23/94 , B01J38/04 , B01J38/10
摘要：本發明係使氣化單元整合至觸媒/吸收劑製程，俾自氣體渦輪機之燃燒產物移除污染物。來自氣化單元之少量的合成氣流係在酸氣移除單元中清潔，以移除H2S。合成氣接著在變換單元中處理，一氧化碳及任何存在於合成氣中之 COS係在此處轉化為氫及二氧化碳。仍含有少量H2S之變換後的氣體接著在氧化鋅床中處理，少量H2S在此處經移除。所生成之氣流為富含氫及二氧化碳者，因而使其非常適用於使觸媒/吸收劑系統再生。
简体摘要：本发明系使气化单元集成至触媒/吸收剂制程，俾自气体涡轮机之燃烧产物移除污染物。来自气化单元之少量的合成气流系在酸气移除单元中清洁，以移除H2S。合成气接着在变换单元中处理，一氧化碳及任何存在于合成气中之 COS系在此处转化为氢及二氧化碳。仍含有少量H2S之变换后的气体接着在氧化锌床中处理，少量H2S在此处经移除。所生成之气流为富含氢及二氧化碳者，因而使其非常适用于使触媒/吸收剂系统再生。

7. 发明专利

TW201417874A 高壓氧化還原脫硫方法审中-公开
简体标题：高压氧化还原脱硫方法
公开(公告)号：TW201417874A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW103100079
申请日：2011-10-03
申请人：摩瑞奇曼公司 , MERICHEM COMPANY
发明人：納格爾蓋瑞J , NAGL, GARY J.
IPC分类号： B01D53/14 , B01D53/52 , B01J38/12
CPC分类号： C07C7/11 , B01D53/1468 , B01D53/8612 , B01D2251/102 , B01D2251/30 , B01D2251/90 , B01D2251/902 , B01D2251/904 , B01D2255/20738 , B01D2256/245 , B01D2258/02 , B01D2258/0283
摘要：本發明提供一種改良之氧化還原脫硫方法，其使用在比吸收器大之壓力下操作之氧化器，在該吸收器中液體氧化還原觸媒溶液接觸含硫氣體進料流。
简体摘要：本发明提供一种改良之氧化还原脱硫方法，其使用在比吸收器大之压力下操作之氧化器，在该吸收器中液体氧化还原触媒溶液接触含硫气体进料流。

8. 发明专利

TW372883B 由氣體中排除含硫污染物,芳香系及碳氫化合物的方法失效
简体标题：由气体中排除含硫污染物,芳香系及碳氢化合物的方法
公开(公告)号：TW372883B
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：TW086100466
申请日：1997-01-17
申请人：斯多克.坎普里默公司
发明人：拉格斯.强安德福 , 凡普,德多斯.約瑟夫.貝羅斯
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/1406 , B01D53/75 , B01D53/8612 , C01B17/0408
摘要：本發明系有關一種由碳氫化合物氣體（其亦可包含 CO2和高級脂肪系和芳香系碳氫化合物）中除去於硫醇和H2 S形式之含硫污染物及回收元素硫的方法，其中在第一吸收階段中由氣體中除去該等含硫污染物，以一方面形成純化的氣體流和另一方面形成高硫氣體，其高硫氣體進料到第二吸收階段，其中高碗氣體分成富H2 S且減少硫醇之第一氣體流，其進料至克勞司裝置，接著在尾氣中之H2 S至元素硫的選擇性氧化作用階段，和減少H2 S且富硫醇之第二氣體流，若需要之後進一步處理，進行硫化合物至元素硫之選擇性氧化作用。
简体摘要：本发明系有关一种由碳氢化合物气体（其亦可包含 CO2和高级脂肪系和芳香系碳氢化合物）中除去于硫醇和H2 S形式之含硫污染物及回收元素硫的方法，其中在第一吸收阶段中由气体中除去该等含硫污染物，以一方面形成纯化的气体流和另一方面形成高硫气体，其高硫气体进料到第二吸收阶段，其中高碗气体分成富H2 S且减少硫醇之第一气体流，其进料至克劳司设备，接着在尾气中之H2 S至元素硫的选择性氧化作用阶段，和减少H2 S且富硫醇之第二气体流，若需要之后进一步处理，进行硫化合物至元素硫之选择性氧化作用。

9. 发明专利

TW358753B 將存在於製硫工廠之殘留氣體中之硫化合物H S,SO ,COS及/或CS 完全移除且以硫形式回收此等硫失效
简体标题：将存在于制硫工厂之残留气体中之硫化合物H S,SO ,COS及/或CS 完全移除且以硫形式回收此等硫
公开(公告)号：TW358753B
公开(公告)日：1999-05-21
申请号：TW085113525
申请日：1996-11-02
申请人：億而富阿坤廷製造股份有限公司
发明人：薩比娜.薩維尼–蓬塞
IPC分类号： C01B , B01D , B01J
CPC分类号： C01B17/0456 , B01D53/8606 , B01D53/8612 , B01D53/8615 , C01B17/0469
摘要：使殘留氣體在單元(1)內與水解觸媒(關於COS及CS2之水解成H2S者)接觸，而任選地，在空氣流之存在下與H2S之氧化觸媒接觸，以形成一含有H2S及SO2且未含COS及CS2之水解氣體(17)，該氣體(17)中之容量濃度(H2S)及(SOO2)被保持以達成(H2S)-2(SO2)為0.2~0.5%。該氣體(17)被導入克勞士(Claus)單元(3a)，在此使H2S與SO2反應以生成硫之同時產生一實質純化之氣體(25a)，其含有H2S為唯一之硫化合物者。將該氣體(25a)在80~100℃溫度下連同過剩空氣噴入催化單元(4a)，在此將H2S全部氧化為硫。以硫之形式實際完全回收該殘留氣體中之硫化合物。
简体摘要：使残留气体在单元(1)内与水解触媒(关于COS及CS2之水解成H2S者)接触，而任选地，在空气流之存在下与H2S之氧化触媒接触，以形成一含有H2S及SO2且未含COS及CS2之水解气体(17)，该气体(17)中之容量浓度(H2S)及(SOO2)被保持以达成(H2S)-2(SO2)为0.2~0.5%。该气体(17)被导入克劳士(Claus)单元(3a)，在此使H2S与SO2反应以生成硫之同时产生一实质纯化之气体(25a)，其含有H2S为唯一之硫化合物者。将该气体(25a)在80~100℃温度下连同过剩空气喷入催化单元(4a)，在此将H2S全部氧化为硫。以硫之形式实际完全回收该残留气体中之硫化合物。

10. 发明专利

TW326003B 將氣體中之H S完全氧化成硫之方法及其應用於將來自製硫工廠之殘留氣體中之硫化合物以硫形式完全回收失效
简体标题：将气体中之H S完全氧化成硫之方法及其应用于将来自制硫工厂之残留气体中之硫化合物以硫形式完全回收
公开(公告)号：TW326003B
公开(公告)日：1998-02-01
申请号：TW085113526
申请日：1996-11-02
申请人：億而富阿坤廷製造股份有限公司
发明人：薩比娜.薩維尼–蓬塞
IPC分类号： C01B , B01D , B01J
CPC分类号： B01D53/8612 , C01B17/0456 , C01B17/0469 , Y10S423/06
摘要：操作在一氧化單元中進行，該氧化單元包含呈一系列排列之三個催化段（3a,4a,5a），各段含有在最大溫度θs≦ 150℃之下能促進H2S選擇性氧化成硫的觸媒。將待處理的氣體（16）接續通入各段並將空氣於（50,53a,55a）注入各段。該氣體中一部份的H2S在最初二段（3a,4a）之各段被空氣絕熱氧化且確保此等段出口之溫度最高為θs。流作終段（5a）的所有H2S在溫度最高不超過θs下，被控制過量之空氣氧化。該法被應用於處理來自製硫工廠之殘留氣體被氫化及水解後而得之含H2S之氣體。
简体摘要：操作在一氧化单元中进行，该氧化单元包含呈一系列排列之三个催化段（3a,4a,5a），各段含有在最大温度θs≦ 150℃之下能促进H2S选择性氧化成硫的触媒。将待处理的气体（16）接续通入各段并将空气于（50,53a,55a）注入各段。该气体中一部份的H2S在最初二段（3a,4a）之各段被空气绝热氧化且确保此等段出口之温度最高为θs。流作终段（5a）的所有H2S在温度最高不超过θs下，被控制过量之空气氧化。该法被应用于处理来自制硫工厂之残留气体被氢化及水解后而得之含H2S之气体。

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