专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200905509A 利用預處理將半導體裝置模型化之系統與方法 SYSTEM AND METHOD FOR MODELING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PRE-PROCESSING 审中-公开
简体标题：利用预处理将半导体设备模型化之系统与方法 SYSTEM AND METHOD FOR MODELING SEMICONDUCTOR DEVICES USING PRE-PROCESSING
公开(公告)号：TW200905509A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW097124534
申请日：2008-06-30
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：閔森其 MIN, SUNG-KI (NMI)
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F17/5036
摘要：一種將一半導體裝置模型化之系統包含一預處理模組與一模擬模組。該預處理模組儲存與一半導體裝置之至少一端子相關聯的至少一個虛擬模型化方程式。該預處理模組接收與該至少一端子相關聯之一實際電壓値。之後該預處理模組至少部分根據該虛擬模型化方程式與該實際電壓値,而針對該至少一端子來計算至少一修改之電壓値。該模擬模組接收該修改之電壓値、並至少部分根據該修改之電壓値而針對該半導體裝置來產生一模擬結果。
简体摘要：一种将一半导体设备模型化之系统包含一预处理模块与一仿真模块。该预处理模块存储与一半导体设备之至少一端子相关联的至少一个虚拟模型化方进程。该预处理模块接收与该至少一端子相关联之一实际电压値。之后该预处理模块至少部分根据该虚拟模型化方进程与该实际电压値,而针对该至少一端子来计算至少一修改之电压値。该仿真模块接收该修改之电压値、并至少部分根据该修改之电压値而针对该半导体设备来产生一仿真结果。

2. 发明专利

TW200849586A 具有級渠摻雜分佈之接面場效電晶體(JFET)及其製造方法 A JFET HAVING A STEP CHANNEL DOPING PROFILE AND METHOD OF FABRICATION 审中-公开
简体标题：具有级渠掺杂分布之接面场效应管(JFET)及其制造方法 A JFET HAVING A STEP CHANNEL DOPING PROFILE AND METHOD OF FABRICATION
公开(公告)号：TW200849586A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097115672
申请日：2008-04-29
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：桑庫沙爾沙琴R SONKUSALE, SACHIN R. , 鄭偉銘 ZHANG, WEIMIN (NMI) , 卡普爾阿休克K KAPOOR, ASHOK K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1058 , H01L29/66901 , H01L29/808
摘要：一種接面場效電晶體包含一半導體基材、形成於該基材內的一源極區、形成於該基材內且與該源極區分隔開的一汲極區,以及形成於該基材內的一閘極區。該電晶體進一步包含形成於該基材內且與該閘極區分隔開的一第一通道區,以及形成於該基材內且介於該第一通道區和該閘極區之間的一第二通道區。該第二通道區具有比該第一通道區更高的摻雜雜質的濃度。
简体摘要：一种接面场效应管包含一半导体基材、形成于该基材内的一源极区、形成于该基材内且与该源极区分隔开的一汲极区,以及形成于该基材内的一闸极区。该晶体管进一步包含形成于该基材内且与该闸极区分隔开的一第一信道区,以及形成于该基材内且介于该第一信道区和该闸极区之间的一第二信道区。该第二信道区具有比该第一信道区更高的掺杂杂质的浓度。

3. 发明专利

TW200834750A 具圖案化半導體電極結構之裝置及其製造方法 DEVICE WITH PATTERNED SEMICONDUCTOR ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
简体标题：具图案化半导体电极结构之设备及其制造方法 DEVICE WITH PATTERNED SEMICONDUCTOR ELECTRODE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
公开(公告)号：TW200834750A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096140758
申请日：2007-10-30
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：弗拉麥德赫克B. VORA, MADHUKAR B.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/02071 , H01L21/28525 , H01L21/32134 , H01L21/32137 , H01L21/76897 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L21/823878 , H01L21/8249 , H01L27/0922 , H01L27/098 , H01L29/66901 , H01L29/78
摘要：一種用於形成半導體裝置之方法,包括形成半導體材質的第一層,使其接觸一基底的第一區域。此第一區域可以鄰近至少一電氣隔離結構,此電氣隔離結構係延伸至基底內且具有一個延伸於基底表面上方之頂部。此方法亦包括藉由一定程度的各向異性而蝕刻此第一層,以形成與第一區域接觸的至少一第一結構。而且,在與蝕刻步驟分開的一個步驟中,可以防止在基底與至少一電氣隔離結構的接面上保留殘餘的半導體材質。
简体摘要：一种用于形成半导体设备之方法,包括形成半导体材质的第一层,使其接触一基底的第一区域。此第一区域可以邻近至少一电气隔离结构,此电气隔离结构系延伸至基底内且具有一个延伸于基底表面上方之顶部。此方法亦包括借由一定程度的各向异性而蚀刻此第一层,以形成与第一区域接触的至少一第一结构。而且,在与蚀刻步骤分开的一个步骤中,可以防止在基底与至少一电气隔离结构的接面上保留残余的半导体材质。

4. 发明专利

TW200832723A 接面隔離之多晶矽閘極接面場效電晶體(JFET) JUNCTION ISOLATED POLY-SILICON GATE JFET 审中-公开
简体标题：接面隔离之多晶硅闸极接面场效应管(JFET) JUNCTION ISOLATED POLY-SILICON GATE JFET
公开(公告)号：TW200832723A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096140781
申请日：2007-10-30
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：佛拉馬德休卡 VORA, MADHUKAR
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/808 , H01L27/098 , H01L29/66901
摘要：揭露一種整合式接面場效電晶體,因為在半導體基板中沒有使用淺溝槽隔離或場氧化物隔離獨立的電晶體,故其尺寸小許多且製造成本低許多。取而代之的是,一層隔離材料係形成在該基板之頂部表面上,且在該隔離材料中蝕刻互連溝槽,其並未一直向下蝕刻到達半導體基板。接觸開口在隔離層中一直向下蝕刻到達半導體基板。經過摻雜之多晶矽係形成於該等接觸開口與互連通道中,且矽化物係形成於多晶矽之頂部上。此接觸與互連構造應用於任何整合式電晶體。文中所揭露之整合式JFET並未使用STI或場氧化物,並使用接面隔離。一習用JFET係建立於一P井中,該P井係包覆於一植入該基板內的N井中。形成對於P井、N井與基板以及對於源極、汲極之獨立接點,以致於能夠藉著逆偏壓一PN接面而隔離該裝置。將操作電壓限制成低於0.7伏特,以防止產生閂鎖。
简体摘要：揭露一种集成式接面场效应管,因为在半导体基板中没有使用浅沟槽隔离或场氧化物隔离独立的晶体管,故其尺寸小许多且制造成本低许多。取而代之的是,一层隔离材料系形成在该基板之顶部表面上,且在该隔离材料中蚀刻互连沟槽,其并未一直向下蚀刻到达半导体基板。接触开口在隔离层中一直向下蚀刻到达半导体基板。经过掺杂之多晶硅系形成于该等接触开口与互连信道中,且硅化物系形成于多晶硅之顶部上。此接触与互连构造应用于任何集成式晶体管。文中所揭露之集成式JFET并未使用STI或场氧化物,并使用接面隔离。一习用JFET系创建于一P井中,该P井系包覆于一植入该基板内的N井中。形成对于P井、N井与基板以及对于源极、汲极之独立接点,以致于能够借着逆偏压一pn结而隔离该设备。将操作电压限制成低于0.7伏特,以防止产生闩锁。

5. 发明专利

TW200827684A 用以感測輻射之方法與裝置 METHOD AND DEVICE FOR SENSING RADIATION 审中-公开
简体标题：用以传感辐射之方法与设备 METHOD AND DEVICE FOR SENSING RADIATION
公开(公告)号：TW200827684A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096140760
申请日：2007-10-30
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：克恩斯道格拉斯 KERNS, DOUGLAS
IPC分类号： G01J
CPC分类号： H01L27/14679 , H01L27/14609 , H01L31/1126
摘要：在此所揭示之裝置係用於感測輻射,其具有一閘極區及一基體,其中該閘極區及該基體之一被組配而作為輻射之一輸入。設置有一連接電晶體裝置之一源極區及一汲極區之一通道區。該裝置被組配以在該通道區之一第一位置產生正比於該輸入輻射之一電氣信號。
简体摘要：在此所揭示之设备系用于传感辐射,其具有一闸极区及一基体,其中该闸极区及该基体之一被组配而作为辐射之一输入。设置有一连接晶体管设备之一源极区及一汲极区之一信道区。该设备被组配以在该信道区之一第一位置产生正比于该输入辐射之一电气信号。

6. 发明专利

TW200824133A 具有以實質上均勻圖案密度形成之電路的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CIRCUITS FORMED WITH ESSENTIALLY UNIFORM PATTERN DENSITY 审中-公开
简体标题：具有以实质上均匀图案密度形成之电路的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CIRCUITS FORMED WITH ESSENTIALLY UNIFORM PATTERN DENSITY
公开(公告)号：TW200824133A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096134026
申请日：2007-09-12
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾亞修克K. KAPOOR, ASHOK KUMAR , 邱李察K. CHOU, RICHARD K. , 瑟瑪拉帕利丹莫達R. THUMMALAPALLY, DAMODAR R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0207 , H01L29/1041 , H01L29/66901 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/8086 , H03K19/09403
摘要：一種半導體裝置包括一第一電路部分其具有至少一電晶體與由一傳導層所形成的至少三導線耦合。三導線之至少之一者的其中只有一者形成該至少一電晶體的一控制終端。此外,一第二電路部分包括至少二電晶體。每一電晶體具有一藉由相同傳導層所形成的一導線構成的控制終端。第一電路部分之三導線具有與第二電路部分之導線相同的節距圖案。
简体摘要：一种半导体设备包括一第一电路部分其具有至少一晶体管与由一传导层所形成的至少三导线耦合。三导线之至少之一者的其中只有一者形成该至少一晶体管的一控制终端。此外,一第二电路部分包括至少二晶体管。每一晶体管具有一借由相同传导层所形成的一导线构成的控制终端。第一电路部分之三导线具有与第二电路部分之导线相同的节距图案。

7. 发明专利

TW200822557A 接面場效電晶體位準移位電路 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR LEVEL SHIFTING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：接面场效应管位准移位电路 JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR LEVEL SHIFTING CIRCUIT
公开(公告)号：TW200822557A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096127537
申请日：2007-07-27
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：邱李察K. CHOU, RICHARD K. , 瑟瑪拉帕利丹莫達R. THUMMALAPALLY, DAMODAR R.
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/288 , H03K3/356113
摘要：一種位準移位電路,可包含:一第一電感型式之一第一接面場效電晶體(JEFT),具有一源極被耦合至一第一供電節點、一排極被耦合至一輸出節點、及一閘極被耦合至一第一驅動器控制節點。一第一驅動器控制節點可包含,一第二電感型式之一第一控制JEFT,具有一源極被耦合至一第二供電節點、一閘極被耦合至一輸入節點,其被耦合以接收一輸入信號、及一第一位準移位堆疊被耦合至被第一控制JEFT之源極與該第一驅動器控制節點間。該第一供電節點與該第二供電節點間之電位量大於該輸入信號的電壓擺動。
简体摘要：一种位准移位电路,可包含:一第一电感型式之一第一接面场效应管(JEFT),具有一源极被耦合至一第一供电节点、一排极被耦合至一输出节点、及一闸极被耦合至一第一驱动器控制节点。一第一驱动器控制节点可包含,一第二电感型式之一第一控制JEFT,具有一源极被耦合至一第二供电节点、一闸极被耦合至一输入节点,其被耦合以接收一输入信号、及一第一位准移位堆栈被耦合至被第一控制JEFT之源极与该第一驱动器控制节点间。该第一供电节点与该第二供电节点间之电位量大于该输入信号的电压摆动。

8. 发明专利

TW200939225A 具擁有接面場效電晶體及雙載子接面電晶體之晶胞的靜態隨機存取記憶體 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING CELLS WITH JUNCTION FIELD EFFECT AND BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：具拥有接面场效应管及双载子接面晶体管之晶胞的静态随机存取内存 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING CELLS WITH JUNCTION FIELD EFFECT AND BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
公开(公告)号：TW200939225A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097150048
申请日：2008-12-22
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：卡普爾阿休克K KAPOOR, ASHOK K. , 瑟瑪拉波里德摩達爾R THUMMALAPALLY, DAMODAR R. , 雷伊亞希吉特 RAY, ABHIJIT
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C11/41
摘要：一靜態隨機存取記憶體(SRAM)裝置可以包括至少一SRAM晶胞,其具有儲存區段,該儲存區段包括具有由沉積在一基體表面上的一半導體層形成的一閘極端子的至少一第一接面場效電晶體(JFET)。該儲存區段也可以包括提供相對應於一儲存資料値的一電位的至少一第一儲存節點。該SRAM晶胞進一步包括一第一存取區段,該第一存取區段包括具有由該半導體層形成的一射極的至少一第一雙載子接面電晶體(BJT)。
简体摘要：一静态随机存取内存(SRAM)设备可以包括至少一SRAM晶胞,其具有存储区段,该存储区段包括具有由沉积在一基体表面上的一半导体层形成的一闸极端子的至少一第一接面场效应管(JFET)。该存储区段也可以包括提供相对应于一存储数据値的一电位的至少一第一存储节点。该SRAM晶胞进一步包括一第一存取区段,该第一存取区段包括具有由该半导体层形成的一射极的至少一第一双载子接面晶体管(BJT)。

9. 发明专利

TW200928839A 用以對連接體安排路由之系統與方法 SYSTEM AND METHOD FOR ROUTING CONNECTIONS 审中-公开
简体标题：用以对连接体安排路由之系统与方法 SYSTEM AND METHOD FOR ROUTING CONNECTIONS
公开(公告)号：TW200928839A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097147997
申请日：2008-12-10
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：薩凱西哈裴曼 ZARKESH-HA, PAYMAN , 韓林克里斯多福L HAMLIN, CHRISTOPHER L. , 卡普爾阿休克K KAPOOR, ASHOK K. , 柯福特詹姆斯S KOFORD, JAMES S. , 弗拉麥德赫克B VORA, MADHUKAR B.
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F17/5077
摘要：一種用於模型化一電路的方法,該方法包括接收定義多個電路元件之間的多個連接體的一網路連線表以及識別該等連接體的一子集。該方法也包括用具有一第一導線寬度的一第一組導線對該等所識別連接體安排路由以及用一第二導線寬度對該等剩餘連接體之至少一部分安排路由。該第二導線寬度小於該第一導線寬度。該方法進一步包括用具有該第二導線寬度的一第三組導線取代該第一組導線。
简体摘要：一种用于模型化一电路的方法,该方法包括接收定义多个电路组件之间的多个连接体的一网络连接表以及识别该等连接体的一子集。该方法也包括用具有一第一导线宽度的一第一组导线对该等所识别连接体安排路由以及用一第二导线宽度对该等剩余连接体之至少一部分安排路由。该第二导线宽度小于该第一导线宽度。该方法进一步包括用具有该第二导线宽度的一第三组导线取代该第一组导线。

10. 发明专利

TW200919725A 用於使接面場效電晶體有較高電洞遷移力之系統及方法 SYSTEM AND METHOD FOR ENABLING HIGHER HOLE MOBILITY IN A JFET 审中-公开
简体标题：用于使接面场效应管有较高电洞迁移力之系统及方法 SYSTEM AND METHOD FOR ENABLING HIGHER HOLE MOBILITY IN A JFET
公开(公告)号：TW200919725A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097134539
申请日：2008-09-09
申请人： DSM解析公司 DSM SOLUTIONS, INC.
发明人：班那史利尼瓦沙R BANNA, SRINIVASA R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/808 , H01L29/045
摘要：一種接面場效電晶體包含具有一個(110)及/或(100)晶面取向的一個半導體晶圓。一源極區及一汲極區形成於該半導體晶圓上。一種p傳導類型的一通道區形成於該源極區與該汲極區之間。該通道區沿著該半導體晶圓的一個及/或方向被定位。
简体摘要：一种接面场效应管包含具有一个(110)及/或(100)晶面取向的一个半导体晶圆。一源极区及一汲极区形成于该半导体晶圆上。一种p传导类型的一信道区形成于该源极区与该汲极区之间。该信道区沿着该半导体晶圆的一个<110>及/或<100>方向被定位。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式