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1. 发明专利

TW200933886A 雙觸發型矽控整流器 DUAL TRIGGERED SILICON CONTROLLED RECTIFIER 审中-公开
简体标题：双触发型硅控整流器 DUAL TRIGGERED SILICON CONTROLLED RECTIFIER
公开(公告)号：TW200933886A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097102622
申请日：2008-01-24
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：洪根剛 HUNG, KEI KANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7436 , H01L29/7455
摘要：本發明提供一種雙觸發型矽控整流器,其包含有:半導體基底、N井、P井、第一N+擴散區域與第一P+擴散區域、第二N+擴散區域與第二P+擴散區域;第三P+擴散區域,設於雙觸發型矽控整流器一側並橫跨N井與P井;第三N+擴散區域,設於其另一側並橫跨N井與P井;第一閘極,設於第二P+擴散區域與第三P+擴散區域間的N井之表面上方,用於作為P型觸發點,以接收第一觸發電流或第一觸發電壓;以及第二閘極,設於第二N+擴散區域與第三N+擴散區域之間的P井之表面上方,用於作為N型觸發點,以接收第二觸發電流或第二觸發電壓。
简体摘要：本发明提供一种双触发型硅控整流器,其包含有:半导体基底、N井、P井、第一N+扩散区域与第一P+扩散区域、第二N+扩散区域与第二P+扩散区域;第三P+扩散区域,设于双触发型硅控整流器一侧并横跨N井与P井;第三N+扩散区域,设于其另一侧并横跨N井与P井;第一闸极,设于第二P+扩散区域与第三P+扩散区域间的N井之表面上方,用于作为P型触发点,以接收第一触发电流或第一触发电压;以及第二闸极,设于第二N+扩散区域与第三N+扩散区域之间的P井之表面上方,用于作为N型触发点,以接收第二触发电流或第二触发电压。

2. 发明专利

TW200917390A 晶片及其製造方法 CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：芯片及其制造方法 CHIP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200917390A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096138108
申请日：2007-10-12
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：左克揚 TSO, KO YANG , 王威 WANG, WEI WILLIAM , 徐嘉宏 HSU, CHIA HUNG , 周忠誠 CHOU, CHUNG CHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/06179 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49431 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種晶片及其製造方法。該晶片製造方法包含下列步驟:於一晶片上沿一方向設置複數個第一導電襯片,各第一導電襯片包含一第一部份及相對於該第一部份之一第二部份,各第一部份沿該方向上的長度大於各第二部份沿該方向上的長度;於該晶片上設置複數個第二導電襯片與該等第一導電襯片交錯排列,各第二導電襯片包含一第三部份以及相對於該第三部份之一第四部份,各第三部份沿該方向上的長度大於各第四部份沿該方向上的長度。其中,自該第三部份至該第四部份之方向與自該第一部份至該第二部份之方向相反。
简体摘要：本发明揭露一种芯片及其制造方法。该芯片制造方法包含下列步骤:于一芯片上沿一方向设置复数个第一导电衬片,各第一导电衬片包含一第一部份及相对于该第一部份之一第二部份,各第一部份沿该方向上的长度大于各第二部份沿该方向上的长度;于该芯片上设置复数个第二导电衬片与该等第一导电衬片交错排列,各第二导电衬片包含一第三部份以及相对于该第三部份之一第四部份,各第三部份沿该方向上的长度大于各第四部份沿该方向上的长度。其中,自该第三部份至该第四部份之方向与自该第一部份至该第二部份之方向相反。

3. 发明专利

TW200841593A 接收電路 A RECEIVING CIRCUIT 审中-公开
简体标题：接收电路 A RECEIVING CIRCUIT
公开(公告)号：TW200841593A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096112777
申请日：2007-04-11
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李智煜 LEE, CHIH YU , 饒永年 RAO, YONG NIEN , 左克揚 TSO, KO YANG , 苗蕙雯 MIAO, HUI WEN , 趙晉傑 CHAO, CHIN CHIEH
IPC分类号： H03K , G09G
CPC分类号： H04L25/0292 , H04L25/0272
摘要：一種接收電路,接收資料訊號與時脈訊號,並輸出輸出資料訊號至資料驅動器。資料訊號與時脈訊號為低擺幅差動訊號。接收電路包括資料比較器、資料中繼電路、時脈比較器、時脈中繼電路與正反器。資料比較器以一資料偏壓電流驅動之,用以接收資料訊號,輸出比較資料訊號。資料中繼電路接收比較資料訊號。時脈比較器以一時脈偏壓電流驅動之,用以接收時脈訊號,並輸出比較時脈訊號。時脈中繼電路接收比較時脈訊號。正反器接收資料中繼電路傳送之比較資料訊號,與時脈中繼電路傳送之比較時脈訊號,輸出輸出資料訊號。藉由調整時脈偏壓電流與資料偏壓電流之至少其一,以改善比較資料訊號與比較時脈訊號之相位差。
简体摘要：一种接收电路,接收数据信号与时脉信号,并输出输出数据信号至数据驱动器。数据信号与时脉信号为低摆幅差动信号。接收电路包括数据比较器、数据中继电路、时脉比较器、时脉中继电路与正反器。数据比较器以一数据偏压电流驱动之,用以接收数据信号,输出比较数据信号。数据中继电路接收比较数据信号。时脉比较器以一时脉偏压电流驱动之,用以接收时脉信号,并输出比较时脉信号。时脉中继电路接收比较时脉信号。正反器接收数据中继电路发送之比较数据信号,与时脉中继电路发送之比较时脉信号,输出输出数据信号。借由调整时脉偏压电流与数据偏压电流之至少其一,以改善比较数据信号与比较时脉信号之相位差。

4. 发明专利

TW200841589A 電壓限制裝置及應用其之運算放大器及其電路設計方法 VOLTAGE-LIMITING DEVICE AND OPERATIONAL AMPLIFIER AND DESIGN METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：电压限制设备及应用其之运算放大器及其电路设计方法 VOLTAGE-LIMITING DEVICE AND OPERATIONAL AMPLIFIER AND DESIGN METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200841589A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096112595
申请日：2007-04-10
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：左克揚 TSO, KO YANG , 林克旯 LIN, KEH LA , 梁彥雄 LIANG, YANN HSIUNG , 趙晉傑 CHAO, CHIN CHIEH
IPC分类号： H03G , G09G
CPC分类号： H03F3/45219 , H03F3/3022 , H03F3/45183 , H03F2203/30015 , H03F2203/30084 , H03F2203/30117 , H03F2203/45134 , H03F2203/45626 , H03F2203/45636
摘要：一種電壓限制裝置,應用於運算放大器中,其包括第一電晶體,閘極(Gate)與源極(Source)之跨壓接近特定電壓且汲極(Drain)與源極之跨壓不等於零,而導致較大之基板(Substrate)電流。電壓限制裝置包括第二電晶體,源極與第一電晶體之汲極耦接,閘極接收偏壓訊號使第二電晶體操作於飽和區(Saturation Region),並使第二電晶體之源極電壓等於偏壓訊號與第二電晶體臨界電壓(Threshold Voltage)之差。如此,以降低第一電晶體之汲極與源極之跨壓,以降低基板電流。
简体摘要：一种电压限制设备,应用于运算放大器中,其包括第一晶体管,闸极(Gate)与源极(Source)之跨压接近特定电压且汲极(Drain)与源极之跨压不等于零,而导致较大之基板(Substrate)电流。电压限制设备包括第二晶体管,源极与第一晶体管之汲极耦接,闸极接收偏压信号使第二晶体管操作于饱和区(Saturation Region),并使第二晶体管之源极电压等于偏压信号与第二晶体管临界电压(Threshold Voltage)之差。如此,以降低第一晶体管之汲极与源极之跨压,以降低基板电流。

5. 发明专利

TW200933863A 具有靜電放電保護電路之積體電路 INTEGARTED CIRCUIT WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：具有静电放电保护电路之集成电路 INTEGARTED CIRCUIT WITH ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TW200933863A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097103697
申请日：2008-01-31
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：楊景榮 YANG, CHING JUNG , 吳坤泰 WU, KUN TAI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0266
摘要：本發明係揭露一種具有一靜電放電保護電路之積體電路。該積體電路係包含有一第一電源接墊、一第二電源接墊、至少一電路模組、一電源箝制電路。該電路模組內包含有一訊號接墊、一內部電路以及一第一雙載子接面電晶體。該第一雙載子接面電晶體之集極與該第二電源接墊之間具有一第一寄生電阻。該電源箝制電路包含有至少一第一金氧半導體電晶體以及至少一第一寄生雙載子接面電晶體。
简体摘要：本发明系揭露一种具有一静电放电保护电路之集成电路。该集成电路系包含有一第一电源接垫、一第二电源接垫、至少一电路模块、一电源箝制电路。该电路模块内包含有一信号接垫、一内部电路以及一第一双载子接面晶体管。该第一双载子接面晶体管之集极与该第二电源接垫之间具有一第一寄生电阻。该电源箝制电路包含有至少一第一金属氧化物半导体晶体管以及至少一第一寄生双载子接面晶体管。

6. 发明专利

TW200933832A 散熱元件、包含該散熱元件之晶片以及晶片散熱方法 HEAT DISSIPATING DEVICE, CHIP INCLUDING THE SAME, AND HEAT DISSIPATING METHOD FOR CHIP 审中-公开
简体标题：散热组件、包含该散热组件之芯片以及芯片散热方法 HEAT DISSIPATING DEVICE, CHIP INCLUDING THE SAME, AND HEAT DISSIPATING METHOD FOR CHIP
公开(公告)号：TW200933832A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097101898
申请日：2008-01-18
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：周忠誠 CHOU, CHUNG CHENG , 徐嘉宏 HSU, CHIA HUNG , 王威 WANG, WAI , 陳進勇 CHEN, CHIN YUNG , 李大元 LEE, TA YUAN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種散熱元件、包含該散熱元件之晶片以及晶片散熱方法。根據本發明之散熱元件包含一第一散熱構件。該第一散熱構件進一步包含一第一固定區域、一第二固定區域以及一自由區域。該第一固定區域係位於該第一散熱構件之一端並且選擇性地固定於一發熱元件上,該第二固定區域係位於該第一散熱構件上相對於該第一固定區域之另一端並且選擇性地固定於該發熱元件上。當該發熱元件處於操作狀態時,該散熱元件產生翹曲形變致使該自由區域離開該發熱元件。藉此,可加强該發熱元件之散熱效率。
简体摘要：本发明揭露一种散热组件、包含该散热组件之芯片以及芯片散热方法。根据本发明之散热组件包含一第一散热构件。该第一散热构件进一步包含一第一固定区域、一第二固定区域以及一自由区域。该第一固定区域系位于该第一散热构件之一端并且选择性地固定于一发热组件上,该第二固定区域系位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域之另一端并且选择性地固定于该发热组件上。当该发热组件处于操作状态时,该散热组件产生翘曲形变致使该自由区域离开该发热组件。借此,可加强该发热组件之散热效率。

7. 发明专利

TW200931617A 半導體元件封裝體 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE 审中-公开
简体标题：半导体组件封装体 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE
公开(公告)号：TW200931617A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097101449
申请日：2008-01-15
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：左克揚 TSO, KO YANG , 周忠誠 CHOU, CHUNG CHENG , 王威 WANG, WAI , 徐嘉宏 HSU, CHIA HUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05647 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明提供一種半導體元件封裝體。上述半導體元件封裝體,包含一晶片,其設置於一承載板上,以及一傳導線路係形成於此承載板上,且不需繞過晶片置放的區域設置。藉此,可減少承載板的面積,進而縮小半導體元件封裝體的尺寸。
简体摘要：本发明提供一种半导体组件封装体。上述半导体组件封装体,包含一芯片,其设置于一承载板上,以及一传导线路系形成于此承载板上,且不需绕过芯片置放的区域设置。借此,可减少承载板的面积,进而缩小半导体组件封装体的尺寸。

8. 发明专利

TW200929505A 靜電放電保護電路 ESD PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：静电放电保护电路 ESD PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200929505A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096150867
申请日：2007-12-28
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳坤泰 WU, KUN TAI , 楊景榮 YANG, CHING JUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H02H9/046
摘要：一種靜電放電保護電路,其包含:一降壓模組,耦接於一第一電壓位準和一第二電壓位準之間,其中該第一電壓位準高於該第二電壓位準;一閘極觸發開關,耦接於該第一電壓位準和該第二電壓位準之間;以及一偵測電路,耦接於該閘極觸發開關,用以偵測一靜電放電事件以控制該閘極觸發開關。
简体摘要：一种静电放电保护电路,其包含:一降压模块,耦接于一第一电压位准和一第二电压位准之间,其中该第一电压位准高于该第二电压位准;一闸极触发开关,耦接于该第一电压位准和该第二电压位准之间;以及一侦测电路,耦接于该闸极触发开关,用以侦测一静电放电事件以控制该闸极触发开关。

9. 发明专利

TW200929462A 晶片、晶片製造方法以及晶片封裝結構 CHIP, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND CHIP PACKAGING STRUCTURE 审中-公开
简体标题：芯片、芯片制造方法以及芯片封装结构 CHIP, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND CHIP PACKAGING STRUCTURE
公开(公告)号：TW200929462A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096148687
申请日：2007-12-19
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：周忠誠 CHOU, CHUNG CHENG , 徐嘉宏 HSU, CHIA HUNG , 王威 WANG, WAI , 陳進勇 CHEN, CHIN YUNG , 黃耀生 HUANG, YAO SHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭露一種晶片、晶片製造方法以及晶片封裝結構。該晶片包含具有一功能區之一第一面以及相對於該第一面之一第二面。該第一面以及該第二面其中之至少一的至少部分區域經由蝕刻形成一散熱結構。該散熱結構增加與外界空氣或與一基材之接觸面積,致使該晶片於操作時產生之熱量能有效地傳導至外界空氣或該基材。藉此,該晶片具有高散熱率並且其重量不增加。
简体摘要：本发明揭露一种芯片、芯片制造方法以及芯片封装结构。该芯片包含具有一功能区之一第一面以及相对于该第一面之一第二面。该第一面以及该第二面其中之至少一的至少部分区域经由蚀刻形成一散热结构。该散热结构增加与外界空气或与一基材之接触面积,致使该芯片于操作时产生之热量能有效地传导至外界空气或该基材。借此,该芯片具有高散热率并且其重量不增加。

10. 发明专利

TW200929122A 控制晶片 INTEGRATED CONTROLLING CHIP 审中-公开
简体标题：控制芯片 INTEGRATED CONTROLLING CHIP
公开(公告)号：TW200929122A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096149653
申请日：2007-12-24
申请人：瑞鼎科技股份有限公司 RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳坤泰 WU, KUN TAI , 趙晉傑 CHAO, CHIN CHIEH , 紀慶清 CHI, CHING CHING
IPC分类号： G09G
CPC分类号： H03F3/45475 , H01L27/0251 , H03F1/52 , H03F2200/444 , H03F2203/45136 , H03F2203/45594
摘要：本發明揭露一種控制晶片,包含有一訊號處理單元、一阻抗元件以及一靜電放電防護電路。該訊號處理單元具有一輸入端;該阻抗元件具有一第一端耦接於該控制晶片的一訊號接腳,並具有一第二端耦接於該訊號處理單元之該輸入端;該靜電放電防護電路具有一端點耦接於該阻抗元件之該第一端與該控制晶片的該訊號接腳之間。
简体摘要：本发明揭露一种控制芯片,包含有一信号处理单元、一阻抗组件以及一静电放电防护电路。该信号处理单元具有一输入端;该阻抗组件具有一第一端耦接于该控制芯片的一信号接脚,并具有一第二端耦接于该信号处理单元之该输入端;该静电放电防护电路具有一端点耦接于该阻抗组件之该第一端与该控制芯片的该信号接脚之间。

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