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1. 发明专利

TWI672782B 半導體晶片之製造方法有权
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI672782B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107107068
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/28

2. 发明专利

TW201838109A 半導體封裝之製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装之制造方法
公开(公告)号：TW201838109A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107107052
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/538 , H01L23/522
摘要：本發明之半導體封裝之製造方法係使複數片半導體晶片積層而成之半導體封裝之製造方法，該半導體晶片具有基板、形成於基板上之導電部及形成於導電部之微凸塊，且該製造方法具備：平滑面形成步驟，其係於微凸塊形成平滑面；積層步驟，其係藉由於一半導體晶片之微凸塊重合另一半導體晶片之微凸塊，而積層3片以上之半導體晶片；接合步驟，其係藉由將微凸塊加熱使之熔融，而經由該微凸塊將半導體晶片彼此接合；且於積層步驟中，於一半導體晶片與另一半導體晶片中之至少一者之微凸塊形成平滑面，其中一者之微凸塊於平滑面與另一者之微凸塊接觸。
简体摘要：本发明之半导体封装之制造方法系使复数片半导体芯片积层而成之半导体封装之制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上之导电部及形成于导电部之微凸块，且该制造方法具备：平滑面形成步骤，其系于微凸块形成平滑面；积层步骤，其系借由于一半导体芯片之微凸块重合另一半导体芯片之微凸块，而积层3片以上之半导体芯片；接合步骤，其系借由将微凸块加热使之熔融，而经由该微凸块将半导体芯片彼此接合；且于积层步骤中，于一半导体芯片与另一半导体芯片中之至少一者之微凸块形成平滑面，其中一者之微凸块于平滑面与另一者之微凸块接触。

3. 发明专利

TWI668817B 半導體封裝之製造方法有权
简体标题：半导体封装之制造方法
公开(公告)号：TWI668817B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107107052
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/538 , H01L23/522

4. 发明专利

TWI669792B 半導體晶片之製造方法有权
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI669792B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW107107071
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/48 , B23K1/012

5. 发明专利

TW201839933A 半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201839933A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107107071
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/48
摘要：本發明之半導體晶片之製造方法係具有基板、形成於基板上之導電部、及形成於導電部之微凸塊之半導體晶片之製造方法，且具備於微凸塊形成平滑面之平滑面形成步驟，平滑面形成步驟具備加熱步驟，即，於惰性環境內使還原性氣體流入至配置有半導體晶片之空間，以微凸塊之熔點以上之溫度進行加熱，加熱步驟中，於微凸塊上載置壓力賦予構件，壓力賦予構件之主面中與微凸塊相接之主面為平面。
简体摘要：本发明之半导体芯片之制造方法系具有基板、形成于基板上之导电部、及形成于导电部之微凸块之半导体芯片之制造方法，且具备于微凸块形成平滑面之平滑面形成步骤，平滑面形成步骤具备加热步骤，即，于惰性环境内使还原性气体流入至配置有半导体芯片之空间，以微凸块之熔点以上之温度进行加热，加热步骤中，于微凸块上载置压力赋予构件，压力赋予构件之主面中与微凸块相接之主面为平面。

6. 发明专利

TW201836103A 半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201836103A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107107068
申请日：2018-03-02
申请人：日商 TDK 股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部寿之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/28
摘要：本發明之半導體晶片之製造方法係使複數片半導體晶片積層而成之半導體晶片之製造方法，該半導體晶片具有基板、形成於基板上之導電部及形成於導電部之微凸塊，且該製造方法具備加熱步驟，即，於惰性環境內使還原性氣體流入至配置有半導體晶片之空間，以微凸塊之熔點以上之溫度進行加熱，於加熱步驟中，於微凸塊上載置壓力賦予構件。
简体摘要：本发明之半导体芯片之制造方法系使复数片半导体芯片积层而成之半导体芯片之制造方法，该半导体芯片具有基板、形成于基板上之导电部及形成于导电部之微凸块，且该制造方法具备加热步骤，即，于惰性环境内使还原性气体流入至配置有半导体芯片之空间，以微凸块之熔点以上之温度进行加热，于加热步骤中，于微凸块上载置压力赋予构件。

7. 发明专利

TWI518856B 端子構造及半導體元件有权
简体标题：端子构造及半导体组件
公开(公告)号：TWI518856B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW102128364
申请日：2013-08-07
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：吉田健一 , YOSHIDA, KENICHI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/05655 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552

9. 发明专利

TW201413902A 端子構造及具備其之半導體元件與模組基板审中-公开
简体标题：端子构造及具备其之半导体组件与模块基板
公开(公告)号：TW201413902A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128365
申请日：2013-08-07
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：吉田健一 , YOSHIDA, KENICHI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/498 , H05K1/11 , H05K3/34
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05655 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13076 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2224/05572 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要：本發明之較佳之端子構造具備：基材；電極，其形成於基材上；絕緣性被覆層，其形成於基材上及電極上，且具有使電極之至少一部分露出之開口；凸塊下金屬層，其以上表面成為低於開口之周緣部上之絕緣性被覆層之上表面之位置的方式形成於電極上之開口內之區域，且包含Ni；及圓頂狀之凸塊，其形成於凸塊下金屬層上之開口內之區域，且包含Sn及Ti；並且凸塊下金屬層與凸塊之邊界之端部接觸於絕緣性被覆層之開口部分之內壁。
简体摘要：本发明之较佳之端子构造具备：基材；电极，其形成于基材上；绝缘性被覆层，其形成于基材上及电极上，且具有使电极之至少一部分露出之开口；凸块下金属层，其以上表面成为低于开口之周缘部上之绝缘性被覆层之上表面之位置的方式形成于电极上之开口内之区域，且包含Ni；及圆顶状之凸块，其形成于凸块下金属层上之开口内之区域，且包含Sn及Ti；并且凸块下金属层与凸块之边界之端部接触于绝缘性被覆层之开口部分之内壁。

10. 发明专利

TW201411797A 端子構造及半導體元件审中-公开
简体标题：端子构造及半导体组件
公开(公告)号：TW201411797A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102128364
申请日：2013-08-07
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：吉田健一 , YOSHIDA, KENICHI , 折笠誠 , ORIKASA, MAKOTO , 清家英之 , SEIKE, HIDEYUKI , 堀川雄平 , HORIKAWA, YUHEI , 阿部壽之 , ABE, HISAYUKI
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/05655 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
摘要：本發明係關於一種端子構造，其具備：基材10；電極20，其形成於基材上；絕緣性被覆層30，其形成於基材上及電極上，且具有使電極之至少一部分露出之開口；凸塊下金屬層70，其填充開口且覆蓋絕緣性被覆層之一部分；及圓頂狀之凸塊85，其覆蓋凸塊下金屬層；並且於沿積層方向之剖面中，凸塊下金屬層朝向凸塊為凸形狀，且開口之中央上之凸塊下金屬層之厚度Tu0為開口之端部上之凸塊下金屬層之厚度Tu1以上。
简体摘要：本发明系关于一种端子构造，其具备：基材10；电极20，其形成于基材上；绝缘性被覆层30，其形成于基材上及电极上，且具有使电极之至少一部分露出之开口；凸块下金属层70，其填充开口且覆盖绝缘性被覆层之一部分；及圆顶状之凸块85，其覆盖凸块下金属层；并且于沿积层方向之剖面中，凸块下金属层朝向凸块为凸形状，且开口之中央上之凸块下金属层之厚度Tu0为开口之端部上之凸块下金属层之厚度Tu1以上。

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