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1. 发明专利

TW560094B 壓電陶瓷及其製造方法有权
简体标题：压电陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：TW560094B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091113055
申请日：2002-06-14
申请人： TDK股份有限公司
发明人：七尾勝 , 宮內泰治 , 石山保 , 古川正仁 , 室澤尚吾 , 五木田佳子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/604 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/94 , H01L41/1873 , H01L41/43
摘要：本發明係提供一種壓電陶瓷，為具有廣泛之使用溫度範圍、獲得較大之發生變位量、容易燒成、且低公害化、對環境性以及由生態學之觀點來看亦為相當優越者。壓電基板1係含有一種包含鈦鈣礦型氧化物(Na1-x-y-z Kx Liy Agz)(Nb1-w Tan)O3、以及鎢青銅型氧化物M(Nb1-v Tav)2 O6(M為長週期型週期表2族之元素)。x、y、z係為在1≦x≦0.9、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05之範圍內為佳。鎢青銅型氧化物之含有量係以在5.3mol%以下者為佳。藉此，提高居里溫度、可增大變位量、亦可容易地進行燒成。
简体摘要：本发明系提供一种压电陶瓷，为具有广泛之使用温度范围、获得较大之发生变位量、容易烧成、且低公害化、对环境性以及由生态学之观点来看亦为相当优越者。压电基板1系含有一种包含钛钙矿型氧化物(Na1-x-y-z Kx Liy Agz)(Nb1-w Tan)O3、以及钨青铜型氧化物M(Nb1-v Tav)2 O6(M为长周期型周期表2族之元素)。x、y、z系为在1≦x≦0.9、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05之范围内为佳。钨青铜型氧化物之含有量系以在5.3mol%以下者为佳。借此，提高居里温度、可增大变位量、亦可容易地进行烧成。

2. 发明专利

TWI358982B 多層陶瓷基板有权
简体标题：多层陶瓷基板
公开(公告)号：TWI358982B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW096147733
申请日：2007-12-13
申请人： TDK股份有限公司
发明人：宮內泰治 , 鈴木利幸 , 平川昌治 , 中村知子 , 宮越俊伸 , 田中潔
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/38 , H01L21/4807 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/017 , H05K2203/1163 , H05K2203/308 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種於初始狀態以及經過一段時間後(例如PCT後)可充分地確保表面導體之接著強度，且可靠性高之多層陶瓷基板。其係於積層有複數陶瓷基板層之積層體之至少一側之表面上具有表面導體之多層陶瓷基板。由陶瓷基板層中之陶瓷成分與表面導體中之玻璃成分反應所形成之反應相，於陶瓷基板層與表面導體之界面上析出。例如陶瓷基板層中之氧化鋁填料與表面導體中之Zn反應，ZnAl2O4形成為反應相。
简体摘要：本发明提供一种于初始状态以及经过一段时间后(例如PCT后)可充分地确保表面导体之接着强度，且可靠性高之多层陶瓷基板。其系于积层有复数陶瓷基板层之积层体之至少一侧之表面上具有表面导体之多层陶瓷基板。由陶瓷基板层中之陶瓷成分与表面导体中之玻璃成分反应所形成之反应相，于陶瓷基板层与表面导体之界面上析出。例如陶瓷基板层中之氧化铝填料与表面导体中之Zn反应，ZnAl2O4形成为反应相。

3. 发明专利

TWI361800B 低溫焙燒基板材料及使用其之多層配線基板 LOW-TEMPERATURE CO-FIRED CERAMICS MATERIAL AND MULTILAYER WIRING BOARD USING THE SAME 有权
简体标题：低温焙烧基板材料及使用其之多层配线基板 LOW-TEMPERATURE CO-FIRED CERAMICS MATERIAL AND MULTILAYER WIRING BOARD USING THE SAME
公开(公告)号：TWI361800B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW094121534
申请日：2005-06-28
申请人： TDK股份有限公司
发明人：宮內泰治 , 嵐友宏
IPC分类号： C04B , H01B , H05K
CPC分类号： H05K1/0306 , C03C3/091 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/4629 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於提供一種低溫焙燒基板材料，其具有線性熱膨脹係數且具有高比介電常數。又，於層疊有不同組合之玻璃-陶瓷混合層的多層配線基板，即使作為非對稱之層疊構造亦可降低焙燒品之翹曲。本發明之低溫焙燒基板材料，其含有SiO2-B2O3-Al2O3-鹼土類金屬氧化物系玻璃(以下只稱為玻璃)、氧化鋁、二氧化鈦以及堇青石，或含有玻璃、二氧化鈦以及堇青石，或含有玻璃、二氧化鈦以及多鋁紅柱石。並且，作為多層配線基板時，調整本發明之低溫焙燒基板材料之堇青石或多鋁紅柱石之含有量，將層間之線性熱膨脹係數之差控制於0.25×10-6/℃以內。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种低温焙烧基板材料，其具有线性热膨胀系数且具有高比介电常数。又，于层叠有不同组合之玻璃-陶瓷混合层的多层配线基板，即使作为非对称之层叠构造亦可降低焙烧品之翘曲。本发明之低温焙烧基板材料，其含有SiO2-B2O3-Al2O3-碱土类金属氧化物系玻璃(以下只称为玻璃)、氧化铝、二氧化钛以及堇青石，或含有玻璃、二氧化钛以及堇青石，或含有玻璃、二氧化钛以及多铝红柱石。并且，作为多层配线基板时，调整本发明之低温焙烧基板材料之堇青石或多铝红柱石之含有量，将层间之线性热膨胀系数之差控制于0.25×10-6/℃以内。

4. 发明专利

TWI331136B 介電瓷組成物及其製造方法失效
简体标题：介电瓷组成物及其制造方法
公开(公告)号：TWI331136B
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW095109005
申请日：2006-03-16
申请人： TDK股份有限公司
发明人：嵐友宏 , 宮內泰治
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： H01P7/10 , B32B2311/08 , C01G23/002 , C01P2006/40 , C04B35/20 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3232 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/408 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , C04B2237/408 , H01B3/12
摘要：本發明係以特定之比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作為介電瓷組成物的主成分，並以特定之比率含有ZnO、B2O3、CuO、及鹼土族金屬氧化物RO(R為鹼土族金屬)作為前述介電瓷組成物的副成分，更佳係以含有Ag之方式作為副成分進行構成，故可確實地使用以Ag或Ag作為主成分之合金等的導體作為內部導體般，可使在低溫之燒結性形成更安定且確實者。
简体摘要：本发明系以特定之比率含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作为介电瓷组成物的主成分，并以特定之比率含有ZnO、B2O3、CuO、及碱土族金属氧化物RO(R为碱土族金属)作为前述介电瓷组成物的副成分，更佳系以含有Ag之方式作为副成分进行构成，故可确实地使用以Ag或Ag作为主成分之合金等的导体作为内部导体般，可使在低温之烧结性形成更安定且确实者。

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