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1. 发明专利

TW201615904A 單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201615904A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104129302
申请日：2015-09-04
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：水田匡彥 , MIZUTA, MASAHIKO
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
摘要：藉由提高與單結晶之品質具有因果關係之提拉速度移動平均值的控制性能，製造結晶缺陷少之高品質的單結晶。在單結晶之提拉開始之前，預先每隔既定提拉長度設定單結晶之提拉速度的目標值，自既定提拉長度之從提拉開始時間點至現在時間點之提拉速度的實際值算出提拉速度移動平均值，再算出在現在時間點之提拉速度之目標值的修正值，根據該修正值提拉單結晶。而且，在將是用以算出提拉速度移動平均值之實際值的提拉長度之過去的提拉長度設定為α、並將未來之提拉長度設定為β時，根據單結晶之直徑的實際值，改變用以算出提拉速度目標值之修正值的提拉長度(α+β)。
简体摘要：借由提高与单结晶之品质具有因果关系之提拉速度移动平均值的控制性能，制造结晶缺陷少之高品质的单结晶。在单结晶之提拉开始之前，预先每隔既定提拉长度设置单结晶之提拉速度的目标值，自既定提拉长度之从提拉开始时间点至现在时间点之提拉速度的实际值算出提拉速度移动平均值，再算出在现在时间点之提拉速度之目标值的修正值，根据该修正值提拉单结晶。而且，在将是用以算出提拉速度移动平均值之实际值的提拉长度之过去的提拉长度设置为α、并将未来之提拉长度设置为β时，根据单结晶之直径的实际值，改变用以算出提拉速度目标值之修正值的提拉长度(α+β)。

2. 发明专利

TWI616965B ｐ型矽晶圓中的鐵濃度測量方法有权
简体标题：ｐ型硅晶圆中的铁浓度测量方法
公开(公告)号：TWI616965B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105131554
申请日：2016-09-30
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：福島伸弥 , FUKUSHIMA, SHINYA , 水田匡彦 , MIZUTA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L22/24

3. 发明专利

TW201727790A ｐ型矽晶圓中的鐵濃度測量方法审中-公开
简体标题：ｐ型硅晶圆中的铁浓度测量方法
公开(公告)号：TW201727790A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105131554
申请日：2016-09-30
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：福島伸弥 , FUKUSHIMA, SHINYA , 水田匡彦 , MIZUTA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L22/24
摘要：本發明提供一種使用SPV法的p型矽晶圓中的鐵濃度測量方法，能夠降低鐵濃度的檢測下限，且能夠短時間地測量。將利用SPV法的測量在將彼此不同的複數種類的波長的光在同期間照射的測量模式，並且在將Time Between Readings設定在35m秒以上120m秒以下且Time Constant設定在20m秒以上，或者是，將Time Between Readings設定在10m秒以上不滿35m秒且Time Constant設定在100m秒以上，再將Number of Readings設定在12次以下的條件中進行。
简体摘要：本发明提供一种使用SPV法的p型硅晶圆中的铁浓度测量方法，能够降低铁浓度的检测下限，且能够短时间地测量。将利用SPV法的测量在将彼此不同的复数种类的波长的光在同期间照射的测量模式，并且在将Time Between Readings设置在35m秒以上120m秒以下且Time Constant设置在20m秒以上，或者是，将Time Between Readings设置在10m秒以上不满35m秒且Time Constant设置在100m秒以上，再将Number of Readings设置在12次以下的条件中进行。

4. 发明专利

TWI568896B 單結晶之製造方法有权
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TWI568896B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104129302
申请日：2015-09-04
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：水田匡彥 , MIZUTA, MASAHIKO
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06

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