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1. 发明专利

TWI493064B Ｓｂ－Ｔｅ基合金燒結體濺鍍靶有权
简体标题：Ｓｂ－Ｔｅ基合金烧结体溅镀靶
公开(公告)号：TWI493064B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100114243
申请日：2011-04-25
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：高橋秀行 , TAKAHASHI, HIDEYUKI , 小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/515 , C22C12/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/408 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , G11B7/266

2. 发明专利

TWI472458B 稀土金屬或稀土金屬之氧化物所構成之靶的保存方法有权
简体标题：稀土金属或稀土金属之氧化物所构成之靶的保存方法
公开(公告)号：TWI472458B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW098136621
申请日：2009-10-29
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI , 小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： B65B31/00 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23F15/00

3. 发明专利

TWI438312B 混成矽晶圓及其製造方法有权
简体标题：混成硅晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TWI438312B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：TW098121788
申请日：2009-06-29
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI , 小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C30B29/06 , C30B33/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B23/02 , C30B28/00 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/187 , Y10T156/1052 , Y10T428/26 , Y10T428/31663

4. 发明专利

TWI480402B 氧化物燒結體濺鍍靶、該靶之製造方法、由氧化物所構成之閘極絕緣膜及該閘極絕緣膜之熱處理方法有权
简体标题：氧化物烧结体溅镀靶、该靶之制造方法、由氧化物所构成之闸极绝缘膜及该闸极绝缘膜之热处理方法
公开(公告)号：TWI480402B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099114618
申请日：2010-05-07
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA , 佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/10 , C23C14/08 , H01L21/306 , H01L21/3105
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/44 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C23C14/08

5. 发明专利

TWI452029B 氧化物燒結體、由該燒結體所構成之濺鍍靶、該燒結體之製造方法及該燒結體濺鍍靶之製造方法有权
简体标题：氧化物烧结体、由该烧结体所构成之溅镀靶、该烧结体之制造方法及该烧结体溅镀靶之制造方法
公开(公告)号：TWI452029B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098121792
申请日：2009-06-29
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：佐藤和幸 , SATOH, KAZUYUKI , 小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/50 , C23C14/34 , C04B35/64
CPC分类号： C23C14/08 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/645 , C04B2235/3227 , C04B2235/3244 , C04B2235/442 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/786 , C04B2235/9684 , C04B2235/9692 , C23C14/3414

6. 发明专利

TWI667354B 由Ａｌ－Ｔｅ－Ｃｕ－Ｚｒ系合金組成之濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：由Ａｌ－Ｔｅ－Ｃｕ－Ｚｒ系合金组成之溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI667354B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104133350
申请日：2015-10-08
申请人：日商JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C22C21/00 , C23C14/34 , B22F3/10 , H01F10/12 , H01L43/10

7. 发明专利

TW201619402A 由Ａｌ－Ｔｅ－Ｃｕ－Ｚｒ系合金組成之濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：由Ａｌ－Ｔｅ－Ｃｕ－Ｚｒ系合金组成之溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201619402A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104133350
申请日：2015-10-08
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：小井土由將 , KOIDO, YOSHIMASA
IPC分类号： C22C21/00 , C23C14/34 , B22F3/10 , H01F10/12 , H01L43/10
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F5/00 , B22F2201/013 , B22F2301/052 , B22F2301/10 , B22F2301/205 , B22F2304/10 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22F1/00 , C23C14/0623 , B22F1/0003 , B22F2009/041 , B22F2202/01
摘要：一種濺鍍靶，其特徵在於：含有20at%~40at%之Te、5at%~20at%之Cu、5at%~15at%之Zr，剩餘部分由Al組成，濺鍍靶組織係由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相及Zr相構成。本發明之課題在於提供一種可有效地抑制因組成偏移所造成之特性劣化的Al-Te-Cu-Zr系合金濺鍍靶及其製造方法。
简体摘要：一种溅镀靶，其特征在于：含有20at%~40at%之Te、5at%~20at%之Cu、5at%~15at%之Zr，剩余部分由Al组成，溅镀靶组织系由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相及Zr相构成。本发明之课题在于提供一种可有效地抑制因组成偏移所造成之特性劣化的Al-Te-Cu-Zr系合金溅镀靶及其制造方法。

8. 发明专利

TW201241215A 金屬鑭靶之保存方法、真空密封之金屬鑭靶及使用金屬鑭靶藉由濺鍍所形成之薄膜审中-公开
简体标题：金属镧靶之保存方法、真空密封之金属镧靶及使用金属镧靶借由溅镀所形成之薄膜
公开(公告)号：TW201241215A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101105175
申请日：2012-02-17
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：成田里安 , 佐藤和幸 , 小井土由將
IPC分类号： C23C , C23F , B65D , B65B
CPC分类号： C23C14/3407 , B65B5/00 , C23C14/3414
摘要：一種金屬鑭靶之保存方法，係用以保存金屬鑭濺鍍靶之方法，其特徵在於：加工成使事先待保存之金屬鑭靶表面的粗糙度Ra在1μm以下，接著將該形成有三氟化鑭之皮膜的金屬鑭靶裝進透氧率為0.1cm 3 /m 2 ．24h．atm以下、水蒸氣透過率為0.1g/m 2 ．24h以下的真空包裝中後，對真空包裝進行真空抽吸及密封加以保存。對為稀土金屬之金屬鑭靶的保存方法進行改進，提供一種抑制因空氣殘留及侵入造成靶氧化所導致的粉末化現象，並且可於可使用作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存的技術。
简体摘要：一种金属镧靶之保存方法，系用以保存金属镧溅镀靶之方法，其特征在于：加工成使事先待保存之金属镧靶表面的粗糙度Ra在1μm以下，接着将该形成有三氟化镧之皮膜的金属镧靶装进透氧率为0.1cm 3 /m 2 ．24h．atm以下、水蒸气透过率为0.1g/m 2 ．24h以下的真空包装中后，对真空包装进行真空抽吸及密封加以保存。对为稀土金属之金属镧靶的保存方法进行改进，提供一种抑制因空气残留及侵入造成靶氧化所导致的粉末化现象，并且可于可使用作为溅镀靶之状态下作长时间保存的技术。

9. 发明专利

TW201202460A Ｓｂ－Ｔｅ基合金燒結體濺鍍靶审中-公开
简体标题：Ｓｂ－Ｔｅ基合金烧结体溅镀靶
公开(公告)号：TW201202460A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100114243
申请日：2011-04-25
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：高橋秀行 , 小井土由將
IPC分类号： C23C , C04B , C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/408 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C28/00 , C23C14/0623 , G11B7/266
摘要：一種以Sb及Te為主成分之Sb-Te基合金燒結體濺鍍靶，其係含有0.1～30at%之碳或硼之Sb-Te基合金燒結體濺鍍靶，係具備Sb-Te基合金粒子與微小之碳(C)或硼(B)之粒子之均勻的混合組織，Sb-Te基合金粒子之平均結晶粒徑為3μm以下，標準偏差未達1.00，C或B之平均粒徑為0.5μm以下，標準偏差未達0.20，於將上述Sb-Te基合金粒子之平均結晶粒徑設定為X、將碳或硼之平均粒徑設定為Y之情形時，Y／X處於0.1～0.5之範圍。本發明謀求Sb-Te基合金濺鍍靶組織之改善，抑制燒結靶之龜裂之產生，防止濺鍍時產生飛弧(arcing)。
简体摘要：一种以Sb及Te为主成分之Sb-Te基合金烧结体溅镀靶，其系含有0.1～30at%之碳或硼之Sb-Te基合金烧结体溅镀靶，系具备Sb-Te基合金粒子与微小之碳(C)或硼(B)之粒子之均匀的混合组织，Sb-Te基合金粒子之平均结晶粒径为3μm以下，标准偏差未达1.00，C或B之平均粒径为0.5μm以下，标准偏差未达0.20，于将上述Sb-Te基合金粒子之平均结晶粒径设置为X、将碳或硼之平均粒径设置为Y之情形时，Y／X处于0.1～0.5之范围。本发明谋求Sb-Te基合金溅镀靶组织之改善，抑制烧结靶之龟裂之产生，防止溅镀时产生飞弧(arcing)。

10. 发明专利

TW201118201A 鑭氧化物靶之保存方法及真空密封之鑭氧化物靶审中-公开
简体标题：镧氧化物靶之保存方法及真空密封之镧氧化物靶
公开(公告)号：TW201118201A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099135535
申请日：2010-10-19
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：佐藤和幸 , 小井土由將
IPC分类号： C23F , B65D , C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B35/50 , C23C14/3414
摘要：一種鑭氧化物靶之保存方法，係用以保存由鑭氧化物構成之濺鍍靶，其特徵在於，於透氧率在0.1cm 3 ／m 2 ‧24h‧atm以下、水蒸氣透過率在0.1g／m 2 ‧24h以下的真空包裝中，裝入待保存之形成有三氟化鑭之皮膜的鑭氧化物靶與三氧化二鑭粉末，裝入該靶與粉末後，對真空包裝進行真空抽吸及密封，加以保存。對為稀土金屬之鑭的氧化物構成之靶的保存方法進行改進，提供一種可抑制因空氣之殘留及侵入所造成之靶的水合作用(羥化)而導致的粉末化現象，並且抑制因形成碳酸鹽而導致的粉末化現象，而可於可使用作為濺鍍靶之狀態下作長時間保存的技術。
简体摘要：一种镧氧化物靶之保存方法，系用以保存由镧氧化物构成之溅镀靶，其特征在于，于透氧率在0.1cm 3 ／m 2 ‧24h‧atm以下、水蒸气透过率在0.1g／m 2 ‧24h以下的真空包装中，装入待保存之形成有三氟化镧之皮膜的镧氧化物靶与三氧化二镧粉末，装入该靶与粉末后，对真空包装进行真空抽吸及密封，加以保存。对为稀土金属之镧的氧化物构成之靶的保存方法进行改进，提供一种可抑制因空气之残留及侵入所造成之靶的水合作用(羟化)而导致的粉末化现象，并且抑制因形成碳酸盐而导致的粉末化现象，而可于可使用作为溅镀靶之状态下作长时间保存的技术。

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