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2. 发明专利

TW201343411A 石墨箔黏合的裝置及其準備方法审中-公开
简体标题：石墨箔黏合的设备及其准备方法
公开(公告)号：TW201343411A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102115515
申请日：2013-04-30
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：陳瑾惠 , LIN, JIIN-HUEY CHERN , 朱建平 , JU, CHIEN-PING , 李國榮 , LEE, KUO JUNG , 林訓瑜 , LIN, HSUN YU , 陳彥均 , CHEN, YEN CHUN
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , H05K7/20
CPC分类号： B32B3/14 , B29C65/4835 , B29C65/54 , B29C65/8253 , B29C66/02245 , B29C66/1122 , B29C66/5326 , B29C66/7212 , B29C66/7444 , B32B1/02 , B32B5/022 , B32B5/024 , B32B5/06 , B32B5/26 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B9/047 , B32B9/048 , B32B15/16 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B37/1018 , B32B38/0012 , B32B2038/002 , B32B2255/06 , B32B2255/26 , B32B2260/021 , B32B2260/042 , B32B2260/046 , B32B2262/106 , B32B2264/108 , B32B2307/306 , B32B2307/714 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2309/12 , B32B2309/68 , B32B2311/00 , B32B2313/04 , B32B2439/00 , B32B2581/00 , B32B2597/00 , B65D25/14 , C04B35/522 , C04B35/6269 , C04B35/645 , C04B35/83 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2235/616 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , C04B2237/086 , C04B2237/363 , C04B2237/385 , C09J5/00 , C09J2400/123 , C09J2400/163 , F16L9/14 , F16L58/04 , Y10T428/24 , B29K2307/04
摘要：一裝置具有一分層結構，而且該分層結構具有黏合於基材表面的石墨箔，其中該石墨箔含有多數與該基材表面平行的天然石墨薄片的層疊體，其中該石墨箔及該基材表面直接透過擴散黏合作用(diffusion bonding)來黏合，或於其間以固化樹脂、固化柏油脂、碳化樹脂、碳化柏油脂、石墨化樹脂或石墨化柏油脂黏合，其中該石墨箔含有不低於95%，較佳99%，的碳。
简体摘要：一设备具有一分层结构，而且该分层结构具有黏合于基材表面的石墨箔，其中该石墨箔含有多数与该基材表面平行的天然石墨薄片的层叠体，其中该石墨箔及该基材表面直接透过扩散黏合作用(diffusion bonding)来黏合，或于其间以固化树脂、固化柏油脂、碳化树脂、碳化柏油脂、石墨化树脂或石墨化柏油脂黏合，其中该石墨箔含有不低于95%，较佳99%，的碳。

3. 发明专利

TW201331153A 處理陶瓷組件中之接合面的方法审中-公开
简体标题：处理陶瓷组件中之接合面的方法
公开(公告)号：TW201331153A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101144759
申请日：2012-11-29
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：雷歐尼卡列德 , LAYOUNI, KHALED , 呂揚夏安 , LU, YANXIA ANN , 馬奎斯保羅賈斯帕喬治 , MARQUES, PAULO GASPAR JORGE
IPC分类号： C04B37/00 , C04B35/565
CPC分类号： B32B38/0036 , B32B2038/0052 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2309/60 , C04B37/005 , C04B2235/46 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/9692 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/16 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C04B2237/708 , C04B2237/88 , Y10T156/10 , Y10T403/477
摘要：一種在兩個或兩個以上成型陶瓷結構之間形成改良密封接合面之方法，包括以下步驟：提供至少第一陶瓷結構及第二陶瓷結構，該第一陶瓷結構及第二陶瓷結構藉由接合面接合在一起，該接合面包含矽、矽合金及矽化合物中之一或多者，該接合面包括曝露部分(接合結構之內部)；隨後理想地至少在接合面之內部曝露部分處將接合面之矽、矽合金及矽化合物中之一或多者的至少一部分轉化成氮化矽及/或碳化矽，以便在裝置中使用侵蝕性化學物質時為接合面提供提高之耐化學性，該裝置由密封在一起之陶瓷結構形成。該等陶瓷結構理想地包含碳化矽。
简体摘要：一种在两个或两个以上成型陶瓷结构之间形成改良密封接合面之方法，包括以下步骤：提供至少第一陶瓷结构及第二陶瓷结构，该第一陶瓷结构及第二陶瓷结构借由接合面接合在一起，该接合面包含硅、硅合金及硅化合物中之一或多者，该接合面包括曝露部分(接合结构之内部)；随后理想地至少在接合面之内部曝露部分处将接合面之硅、硅合金及硅化合物中之一或多者的至少一部分转化成氮化硅及/或碳化硅，以便在设备中使用侵蚀性化学物质时为接合面提供提高之耐化学性，该设备由密封在一起之陶瓷结构形成。该等陶瓷结构理想地包含碳化硅。

4. 发明专利

TW201240941A 包括β氧化鋁的耐火物體及其製造和使用方法 REFRACTORY OBJECT INCLUDING BETA ALUMINA AND PROCESSES OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
简体标题：包括β氧化铝的耐火物体及其制造和使用方法 REFRACTORY OBJECT INCLUDING BETA ALUMINA AND PROCESSES OF MAKING AND USING THE SAME
公开(公告)号：TW201240941A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101113308
申请日：2012-04-13
申请人：聖高拜陶器塑膠公司
发明人：西緹奧利維
IPC分类号： C04B , C03B , C03C
CPC分类号： C04B35/113 , C03B17/064 , C04B35/101 , C04B35/117 , C04B35/6261 , C04B41/009 , C04B41/5031 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00405 , C04B2235/3201 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/95 , C04B2235/9692 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , C04B35/10
摘要：一種耐火物體可以包括β氧化鋁。在一實施方式中，該耐火物體能夠被用於一玻璃熔融法中。在另一實施方式中，該耐火物體可以具有的Al2O3總含量係按重量計至少10%。另外，當該耐火物體的表面暴露於一包括Al-Si-Mg氧化物的熔融玻璃中時，可以不沿著該耐火物體的表面形成Mg-Al氧化物。在一具體的實施方式中，耐火物體可以處於一玻璃溢流形成塊的形式，該玻璃溢流形成塊用於形成包括Al-Si-Mg氧化物的玻璃物體。當形成該玻璃物體時，該玻璃材料接觸了該β氧化鋁，並且在該玻璃材料流動的過程中，不會沿著該β氧化鋁在其表面上形成Mg-Al氧化物。
简体摘要：一种耐火物体可以包括β氧化铝。在一实施方式中，该耐火物体能够被用于一玻璃熔融法中。在另一实施方式中，该耐火物体可以具有的Al2O3总含量系按重量计至少10%。另外，当该耐火物体的表面暴露于一包括Al-Si-Mg氧化物的熔融玻璃中时，可以不沿着该耐火物体的表面形成Mg-Al氧化物。在一具体的实施方式中，耐火物体可以处于一玻璃溢流形成块的形式，该玻璃溢流形成块用于形成包括Al-Si-Mg氧化物的玻璃物体。当形成该玻璃物体时，该玻璃材料接触了该β氧化铝，并且在该玻璃材料流动的过程中，不会沿着该β氧化铝在其表面上形成Mg-Al氧化物。

5. 发明专利

TW201119973A 陶瓷原料組成物审中-公开
简体标题：陶瓷原料组成物
公开(公告)号：TW201119973A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099134010
申请日：2010-10-06
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：今北健二 , 岡田利久 , 渡邊和男
IPC分类号： C04B , C03C , H01L
CPC分类号： C03C12/00 , C04B35/117 , C04B35/119 , C04B2235/3232 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H05K1/0306 , Y10T428/24926
摘要：本發明之課題係提供一種具有高抗折强度與高反射率,且玻璃相之結晶度低的低溫燒成玻璃陶瓷基板用之玻璃陶瓷原料組成物。本發明之解決方法係提供一種陶瓷原料組成物,其特徵在於包含:20~50質量%之硼矽酸系玻璃粉末、25~55質量%之氧化鋁填料粉末及10~45質量%之折射率比前述氧化鋁填料粉末更高的高折射率之填料粉末(以下僅稱作「高折射率填料粉末」),其中前述硼矽酸系玻璃粉末以氧化物換算來計含有30~70質量%之SiO2、5~28質量%之B2O3、5~30質量%之Al2O3、3~35質量%之CaO、0~25質量%之SrO、0~25質量%之BaO、0~10質量%之Na2O、0~10質量%之K2O、0.5~10質量%之Na2O+K2O、3~40質量%之CaO+SrO+BaO。
简体摘要：本发明之课题系提供一种具有高抗折强度与高反射率,且玻璃相之结晶度低的低温烧成玻璃陶瓷基板用之玻璃陶瓷原料组成物。本发明之解决方法系提供一种陶瓷原料组成物,其特征在于包含:20~50质量%之硼硅酸系玻璃粉末、25~55质量%之氧化铝填料粉末及10~45质量%之折射率比前述氧化铝填料粉末更高的高折射率之填料粉末(以下仅称作“高折射率填料粉末”),其中前述硼硅酸系玻璃粉末以氧化物换算来计含有30~70质量%之SiO2、5~28质量%之B2O3、5~30质量%之Al2O3、3~35质量%之CaO、0~25质量%之SrO、0~25质量%之BaO、0~10质量%之Na2O、0~10质量%之K2O、0.5~10质量%之Na2O+K2O、3~40质量%之CaO+SrO+BaO。

6. 发明专利

TW200609196A 氮化鋁燒結體 ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY 失效
简体标题：氮化铝烧结体 ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY
公开(公告)号：TW200609196A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094126536
申请日：2005-08-04
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：夏原益宏 NATSUHARA, MASUHIRO , 新間健司 SHINMA, KENJI , 仲田博彥 NAKATA, HIROHIKO
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/581 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/6584 , C04B2235/668 , C04B2235/72 , C04B2235/724 , C04B2235/963 , C04B2235/9692 , Y10T428/12736
摘要：本發明係藉由極力減少氮化鋁燒結體中的氣孔，以提供一種均熱性優之承座體。本發明之氮化鋁燒結體係將含有之鉍與氯的量控制於一定值以下。亦即，以氮化鋁作為主成份之氮化鋁燒結體，其特徵在於：氮化鋁燒結體中之鉍的含量為30ppm以下，且氯之含量為100ppm以下。前述氮化鋁燒結體中宜形成電阻發熱體，且宜使用來作為半導體加熱用零件。
简体摘要：本发明系借由极力减少氮化铝烧结体中的气孔，以提供一种均热性优之承座体。本发明之氮化铝烧结体系将含有之铋与氯的量控制于一定值以下。亦即，以氮化铝作为主成份之氮化铝烧结体，其特征在于：氮化铝烧结体中之铋的含量为30ppm以下，且氯之含量为100ppm以下。前述氮化铝烧结体中宜形成电阻发热体，且宜使用来作为半导体加热用零件。

7. 发明专利

TWI589546B 燒結體有权
简体标题：烧结体
公开(公告)号：TWI589546B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104138291
申请日：2015-11-19
申请人：日本釔股份有限公司 , NIPPON YTTRIUM CO., LTD.
发明人：矢野豊彦 , YANO, TOYOHIKO , 吉田克己 , YOSHIDA, KATSUMI , 津之浦徹 , TSUNOURA, TORU , 重吉勇二 , SHIGEYOSHI, YUJI
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/645
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/5156 , C04B35/553 , C04B35/645 , C04B2235/3225 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H01J37/32495 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069

8. 发明专利

TW201238931A 耐火物體、玻璃溢成形塊、以及形成和使用該耐火物體之方法 REFRACTORY OBJECT, GLASS OVERFLOW FORMING BLOCK, AND PROCESS OF FORMING AND USING THE REFRACTORY OBJECT 审中-公开
简体标题：耐火物体、玻璃溢成形块、以及形成和使用该耐火物体之方法 REFRACTORY OBJECT, GLASS OVERFLOW FORMING BLOCK, AND PROCESS OF FORMING AND USING THE REFRACTORY OBJECT
公开(公告)号：TW201238931A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101111484
申请日：2012-03-30
申请人：聖高拜陶器塑膠公司
发明人：西緹奧利維 , 卡斯美亞薩克安德亞 L
IPC分类号： C04B , C03C
CPC分类号： C04B35/10 , C03B17/064 , C04B35/1015 , C04B35/111 , C04B35/117 , C04B35/443 , C04B35/62665 , C04B2235/3206 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/3813 , C04B2235/3839 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/77 , C04B2235/9692
摘要：一種耐火物體可以包括至少10 wt%的Al2O3。另外,這種耐火物體可以包含小於約6wt%的SiO2、或者可以包括一摻雜劑,這種摻雜劑包括Ti、Mg、Ta、Nb或它們的任何組合的氧化物。在一實施方式中,在該耐火物體中至少約1%的Al2O3可以作為反應性Al2O3來提供。在另一實施方式中,這種耐火物體可以具有至少約3.55 g/cc的密度、不大於約2.69 mm/年的腐蝕速度、或以上各項的任何組合。在一具體實施方式中,這種耐火物體可以用於形成一種Al-Si-Mg玻璃片。在一實施方式中,可以藉由一方法使用Ti、Mg、Ta、Nb或它們的任何組合的化合物來形成該耐火物體。
简体摘要：一种耐火物体可以包括至少10 wt%的Al2O3。另外,这种耐火物体可以包含小于约6wt%的SiO2、或者可以包括一掺杂剂,这种掺杂剂包括Ti、Mg、Ta、Nb或它们的任何组合的氧化物。在一实施方式中,在该耐火物体中至少约1%的Al2O3可以作为反应性Al2O3来提供。在另一实施方式中,这种耐火物体可以具有至少约3.55 g/cc的密度、不大于约2.69 mm/年的腐蚀速度、或以上各项的任何组合。在一具体实施方式中,这种耐火物体可以用于形成一种Al-Si-Mg玻璃片。在一实施方式中,可以借由一方法使用Ti、Mg、Ta、Nb或它们的任何组合的化合物来形成该耐火物体。

9. 发明专利

TW201139324A 用於半導體製造裝置的耐蝕材料及其製法审中-公开
简体标题：用于半导体制造设备的耐蚀材料及其制法
公开(公告)号：TW201139324A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100110602
申请日：2011-03-28
申请人：日本碍子股份有限公司
发明人：渡邊守道 , 勝田祐司 , 早瀬徹
IPC分类号： C04B , H01L
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H01J2237/334
摘要：本發明係以下述方式製得用於半導體製造裝置的耐蝕材料：以莫耳比1：1秤量Yb2O3及SrCO3來調製調合粉末；對該調合粉末進行單軸加壓成形，製作出圓盤狀成形體；在大氣環境中對成形體實施熱處理來進行複合氧化物(composite oxide)的合成；以研鉢及杵粗粉碎所合成的複合氧化物並進行濕式粉碎；在氮氣氣流中對粉碎後取出的漿料進行乾燥而製成合成原料粉末；對該合成原料粉末進行單軸加壓成形，製作出圓盤狀成形體；以及以熱壓法煅燒所得的成形體。該耐蝕材料其由SrYb2O4結晶相構成的開孔隙率(open porosity)為0.1%，且NF3蝕刻速率值係小於由Y2O3結晶相所構成者。
简体摘要：本发明系以下述方式制得用于半导体制造设备的耐蚀材料：以莫耳比1：1秤量Yb2O3及SrCO3来调制调合粉末；对该调合粉末进行单轴加压成形，制作出圆盘状成形体；在大气环境中对成形体实施热处理来进行复合氧化物(composite oxide)的合成；以研钵及杵粗粉碎所合成的复合氧化物并进行湿式粉碎；在氮气气流中对粉碎后取出的浆料进行干燥而制成合成原料粉末；对该合成原料粉末进行单轴加压成形，制作出圆盘状成形体；以及以热压法煅烧所得的成形体。该耐蚀材料其由SrYb2O4结晶相构成的开孔隙率(open porosity)为0.1%，且NF3蚀刻速率值系小于由Y2O3结晶相所构成者。

10. 发明专利

TW201109106A 矽合金燒結體之製造方法审中-公开
简体标题：硅合金烧结体之制造方法
公开(公告)号：TW201109106A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099129238
申请日：2010-08-31
申请人：伊斯曼杰股份有限公司
发明人：渡邊敏幸 , 松下昌史 , 櫻井利隆 , 佐藤一也 , 松下洋子 , 御崎孝義 , 進藤節子 , 進藤亞由美 , 久保田由美子 , 松下晶子 , 齊藤邦生 , 設樂匠 , 柳野太史 , 吉田高 , 水島尚 , 松園脩 , 清水幸喜
IPC分类号： B22F
CPC分类号： C04B35/591 , C04B35/581 , C04B35/6263 , C04B2235/3418 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/602 , C04B2235/6022 , C04B2235/606 , C04B2235/96 , C04B2235/9692
摘要：本發明提供一種使用水作為主要黏合劑之矽合金製坯土的有效之脫水、乾燥法。本發明將矽合金粉末作為原料,經由添加以重量%計為10-40之水作為黏合劑,並進行混練之步驟、及經由將矽合金製坯土成形為三維形狀之步驟,利用急速冷凍法及微波照射法來進行成形體之脫水、乾燥,上述急速冷凍法係:於成形後5分鐘以內投入至冷卻介質中並保持至少5分鐘以上,使成形體內之水分以微細分散狀態而急速冷凍後,保持於設定為未滿水之三相點之壓力的容器內;上述微波照射法係:於成形後5分鐘以內投入至設定為未滿1大氣壓之減壓環境的容器中,持續照射2.450GHz微波至少5分鐘以上。藉此,可將成形體內之水分以凝聚前之微細分散之狀態去除,而防止燒結後之裂縫,故可不使用一切有害之有機溶劑而穩定獲得高品質之製品,亦可實現高速成形、製品之廉價化。
简体摘要：本发明提供一种使用水作为主要黏合剂之硅合金制坯土的有效之脱水、干燥法。本发明将硅合金粉末作为原料,经由添加以重量%计为10-40之水作为黏合剂,并进行混练之步骤、及经由将硅合金制坯土成形为三维形状之步骤,利用急速冷冻法及微波照射法来进行成形体之脱水、干燥,上述急速冷冻法系:于成形后5分钟以内投入至冷却介质中并保持至少5分钟以上,使成形体内之水分以微细分散状态而急速冷冻后,保持于设置为未满水之三相点之压力的容器内;上述微波照射法系:于成形后5分钟以内投入至设置为未满1大气压之减压环境的容器中,持续照射2.450GHz微波至少5分钟以上。借此,可将成形体内之水分以凝聚前之微细分散之状态去除,而防止烧结后之裂缝,故可不使用一切有害之有机溶剂而稳定获得高品质之制品,亦可实现高速成形、制品之廉价化。

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