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1. 发明专利

TW201818151A 抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及其形成方法、經圖案化基板的製造方法及化合物审中-公开
简体标题：抗蚀剂底层膜形成用组成物、抗蚀剂底层膜及其形成方法、经图案化基板的制造方法及化合物
公开(公告)号：TW201818151A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106135861
申请日：2017-10-19
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 若松剛史 , WAKAMATSU, GOUJI , 阿部翼 , ABE, TSUBASA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 中藤慎也 , NAKAFUJI, SHIN-YA , 酒井一憲 , SAKAI, KAZUNORI
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/025 , H01L21/31 , H01L21/027
摘要：本發明是一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，其含有：具有下述式（1）所表示的基的化合物；以及溶劑。下述式（1）中，R1為碳數2～10的（m+n）價有機基，且具有相互鄰接的兩個碳原子，於所述兩個碳原子的其中一者上鍵結有羥基或烷氧基，於另一者上鍵結有氫原子。L1為乙炔二基或者經取代或未經取代的乙烯二基。R2為氫原子或碳數1～20的一價有機基。n為1～3的整數。*表示與所述化合物中的所述式（1）所表示的基以外的部分的鍵結部位。m為1～3的整數。
简体摘要：本发明是一种抗蚀剂底层膜形成用组成物，其含有：具有下述式（1）所表示的基的化合物；以及溶剂。下述式（1）中，R1为碳数2～10的（m+n）价有机基，且具有相互邻接的两个碳原子，于所述两个碳原子的其中一者上键结有羟基或烷氧基，于另一者上键结有氢原子。L1为乙炔二基或者经取代或未经取代的乙烯二基。R2为氢原子或碳数1～20的一价有机基。n为1～3的整数。*表示与所述化合物中的所述式（1）所表示的基以外的部分的键结部位。m为1～3的整数。

2. 发明专利

TW201808928A 膜形成用組成物、膜、抗蝕劑底層膜的形成方法、圖案化基板的製造方法及化合物审中-公开
简体标题：膜形成用组成物、膜、抗蚀剂底层膜的形成方法、图案化基板的制造方法及化合物
公开(公告)号：TW201808928A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117787
申请日：2017-05-31
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 若松剛史 , WAKAMATSU, GOUJI , 阿部翼 , ABE, TSUBASA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 三宅正之 , MIYAKE, MASAYUKI , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO
IPC分类号： C07D311/04 , C07D311/92 , C07D405/04 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08F34/02 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明的目的在於提供一種可形成平坦性優異並且耐溶媒性、耐蝕刻性及耐熱性優異的膜的膜形成用組成物、膜、抗蝕劑底層膜的形成方法、圖案化基板的製造方法及化合物。本發明是含有具有下述式（1）所表示的基的化合物與溶媒的膜形成用組成物。下述式（1）中，R1～R4分別獨立地為氫原子或碳數1～20的一價有機基，或表示該些基相互結合並與該些所鍵結的碳原子或碳鏈一起構成的環員數3～20的環結構。Ar1為自碳數6～20的芳烴去除（n+3）個的芳香環上的氫原子而成的基。R5為羥基、鹵素原子、硝基或碳數1～20的一價有機基。n為0～9的整數。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可形成平坦性优异并且耐溶媒性、耐蚀刻性及耐热性优异的膜的膜形成用组成物、膜、抗蚀剂底层膜的形成方法、图案化基板的制造方法及化合物。本发明是含有具有下述式（1）所表示的基的化合物与溶媒的膜形成用组成物。下述式（1）中，R1～R4分别独立地为氢原子或碳数1～20的一价有机基，或表示该些基相互结合并与该些所键结的碳原子或碳链一起构成的环员数3～20的环结构。Ar1为自碳数6～20的芳烃去除（n+3）个的芳香环上的氢原子而成的基。R5为羟基、卤素原子、硝基或碳数1～20的一价有机基。n为0～9的整数。

3. 发明专利

TW201800862A 抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及圖案化基板的製造方法审中-公开
简体标题：抗蚀剂底层膜形成用组成物、抗蚀剂底层膜及图案化基板的制造方法
公开(公告)号：TW201800862A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104041
申请日：2017-02-08
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：若松剛史 , WAKAMATSU, GOUJI , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 阿部翼 , ABE, TSUBASA , 酒井一憲 , SAKAI, KAZUNORI , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 生井準人 , NAMAI, HAYATO
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明的目的在於提供一種可形成平坦性優異並且耐溶媒性、耐蝕刻性及耐熱性優異的抗蝕劑底層膜，且保存穩定性亦優異的抗蝕劑底層膜形成用組成物。本發明是含有具有下述式（1）所表示的第1基與包含芳香環的部分結構的第1化合物及溶媒的抗蝕劑底層膜形成用組成物。下述式（1）中，R1為單鍵或氧原子。R2為碳數1～30的二價的鏈狀或脂環的烴基。*表示與所述第1化合物中的所述第1基以外的部分的鍵結部位。所述第1基較佳為氰基烷基或氰基烷氧基。所述第1化合物較佳為具有所述第1基所鍵結的芳香環的化合物。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可形成平坦性优异并且耐溶媒性、耐蚀刻性及耐热性优异的抗蚀剂底层膜，且保存稳定性亦优异的抗蚀剂底层膜形成用组成物。本发明是含有具有下述式（1）所表示的第1基与包含芳香环的部分结构的第1化合物及溶媒的抗蚀剂底层膜形成用组成物。下述式（1）中，R1为单键或氧原子。R2为碳数1～30的二价的链状或脂环的烃基。*表示与所述第1化合物中的所述第1基以外的部分的键结部位。所述第1基较佳为氰基烷基或氰基烷氧基。所述第1化合物较佳为具有所述第1基所键结的芳香环的化合物。

4. 发明专利

TWI579305B 改質共軛二烯系聚合物及其製造方法、聚合物組成物、交聯聚合物以及輪胎有权
简体标题：改质共轭二烯系聚合物及其制造方法、聚合物组成物、交联聚合物以及轮胎
公开(公告)号：TWI579305B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101131358
申请日：2012-08-29
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：森田浩之 , MORITA, HIROYUKI , 湯淺毅 , YUASA, TAKESHI , 谷耕一郎 , TANI, KOICHIRO , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 田中了司 , TANAKA, RYOJI
IPC分类号： C08C19/44 , C08F236/10 , C08L9/00 , B60C1/00
CPC分类号： C08K3/04 , B60C1/0016 , B60C1/0025 , C08C19/44 , C08F8/42 , C08F236/10 , C08K3/013 , C08K3/36 , C08L9/00 , C08L15/00 , C08L91/00 , Y02T10/862 , C08F4/48 , C08K3/0033 , C08F297/04

5. 发明专利

TWI500687B 樹脂組成物、氫化共軛二烯嵌段共聚合物及其製造方法、以及成形體有权
简体标题：树脂组成物、氢化共轭二烯嵌段共聚合物及其制造方法、以及成形体
公开(公告)号：TWI500687B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102106288
申请日：2013-02-22
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：柴田昌宏 , SHIBATA, MASAHIRO , 早川俊之 , HAYAKAWA, TOSHIYUKI , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 豊田暢之 , TOYODA, NOBUYUKI , 大野法由 , OONO, NORIYOSHI
IPC分类号： C08L53/02 , C08L101/00 , C08F8/04 , C08F6/10 , C08F297/04
CPC分类号： C08F6/003 , C08F6/02 , C08F6/10 , C08L53/025

6. 发明专利

TW201437244A 輪胎用構件、氫化共軛二烯系聚合體、及聚合體組成物审中-公开
简体标题：轮胎用构件、氢化共轭二烯系聚合体、及聚合体组成物
公开(公告)号：TW201437244A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103106620
申请日：2014-02-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 阿部慈 , ABE, SHIGERU , 千賀寛文 , SENGA, HIROFUMI , 足立拓海 , ADACHI, TAKUMI , 田中了司 , TANAKA, RYOJI
IPC分类号： C08F36/06 , B60C1/00 , C08J3/24
CPC分类号： C08F299/02 , B60C1/0016 , B60C1/0025 , C08C19/02 , C08C19/20 , C08C19/22 , C08C19/24 , C08C19/25 , C08C19/44 , C08K3/04 , C08K3/06 , C08K3/36 , C08K5/0025 , C08L15/00
摘要：本發明提供一種低燃耗性良好，強度高於現有且耐磨耗性優異的輪胎用構件。輪胎用構件是對含有氫化共軛二烯系聚合體與交聯劑的組成物進行交聯處理而獲得的輪胎用構件，且上述氫化共軛二烯系聚合體為具有源自丁二烯的結構單元且於一末端或兩末端具有官能基的共軛二烯系聚合體的氫化物，上述官能基為選自由胺基、亞胺基、吡啶基、膦基、硫醇基及烴氧基矽烷基所組成的組群中的一種以上的基團。
简体摘要：本发明提供一种低燃耗性良好，强度高于现有且耐磨耗性优异的轮胎用构件。轮胎用构件是对含有氢化共轭二烯系聚合体与交联剂的组成物进行交联处理而获得的轮胎用构件，且上述氢化共轭二烯系聚合体为具有源自丁二烯的结构单元且于一末端或两末端具有官能基的共轭二烯系聚合体的氢化物，上述官能基为选自由胺基、亚胺基、吡啶基、膦基、硫醇基及烃氧基硅烷基所组成的组群中的一种以上的基团。

7. 发明专利

TW201710309A 氫化共軛二烯類聚合物及其製造方法、聚合物組成物、交聯聚合物以及輪胎审中-公开
简体标题：氢化共轭二烯类聚合物及其制造方法、聚合物组成物、交联聚合物以及轮胎
公开(公告)号：TW201710309A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105122829
申请日：2016-07-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：足立拓海 , ADACHI, TAKUMI , 田中了司 , TANAKA, RYOJI , 松本貴臣 , MATSUMOTO, TAKAOMI , 豊川郁宏 , TOYOKAWA, IKUHIRO , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA
IPC分类号： C08F236/10 , C08F8/04 , C08L47/00 , C08J3/24 , B60C1/00
CPC分类号： B60C1/0016 , B60C1/00 , B60C1/0025 , C08F8/04 , C08F236/10 , C08F297/04 , C08F2800/20 , C08K3/011 , C08K3/34 , C08K5/0025 , C08L9/06 , C08L15/00
摘要：本發明為一種氫化共軛二烯類聚合物，其為具有源自共軛二烯化合物的結構單元、與源自芳香族乙烯基化合物的結構單元的共軛二烯類聚合物的氫化物，其中，共軛二烯化合物包含丁二烯，相對於源自聚合物所具有的單量體的所有結構單元，所述氫化共軛二烯類聚合物具有30質量%以上的源自芳香族乙烯基化合物的結構單元，且源自丁二烯的結構單元的氫化率為80%以上、99%以下。
简体摘要：本发明为一种氢化共轭二烯类聚合物，其为具有源自共轭二烯化合物的结构单元、与源自芳香族乙烯基化合物的结构单元的共轭二烯类聚合物的氢化物，其中，共轭二烯化合物包含丁二烯，相对于源自聚合物所具有的单量体的所有结构单元，所述氢化共轭二烯类聚合物具有30质量%以上的源自芳香族乙烯基化合物的结构单元，且源自丁二烯的结构单元的氢化率为80%以上、99%以下。

8. 发明专利

TW201632996A 抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及圖案化基板的製造方法审中-公开
简体标题：抗蚀剂底层膜形成用组成物、抗蚀剂底层膜及图案化基板的制造方法
公开(公告)号：TW201632996A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105101817
申请日：2016-01-21
申请人： JSR 股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：若松剛史 , WAKAMATSU, GOUJI , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 松村裕史 , MATSUMURA, YUUSHI , 滝本嘉夫 , TAKIMOTO, YOSHIO , 阿部翼 , ABE, TSUBASA , 木村徹 , KIMURA, TOORU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C08G8/20 , C08G8/24 , C08G14/02 , H01L21/027
摘要：本發明的目的在於提供一種可使用PGMEA等作為溶媒來形成耐溶媒性、耐蝕刻性、耐熱性及埋入性優異的抗蝕劑底層膜的抗蝕劑底層膜形成用組成物。本發明的抗蝕劑底層膜形成用組成物含有如下化合物及溶媒，化合物具有含碳-碳三鍵的基團且具有含芳香環的部分結構，且構成芳香環的苯核於部分結構中的合計數為4以上。較佳為具有下述式（1）表示的第一部分結構作為部分結構。下述式（1）的p1+p2+p3+p4為1以上，R1 ～R4 的至少一個較佳為含碳-碳三鍵的一價基。基團較佳為炔丙基。亦較佳為具有下述式（2）表示的第二部分結構作為部分結構。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可使用PGMEA等作为溶媒来形成耐溶媒性、耐蚀刻性、耐热性及埋入性优异的抗蚀剂底层膜的抗蚀剂底层膜形成用组成物。本发明的抗蚀剂底层膜形成用组成物含有如下化合物及溶媒，化合物具有含碳-碳三键的基团且具有含芳香环的部分结构，且构成芳香环的苯核于部分结构中的合计数为4以上。较佳为具有下述式（1）表示的第一部分结构作为部分结构。下述式（1）的p1+p2+p3+p4为1以上，R1 ～R4 的至少一个较佳为含碳-碳三键的一价基。基团较佳为炔丙基。亦较佳为具有下述式（2）表示的第二部分结构作为部分结构。

9. 发明专利

TWI508978B 改質共軛二烯系聚合物及其製造方法、聚合物組成物、交聯聚合物以及輪胎有权
简体标题：改质共轭二烯系聚合物及其制造方法、聚合物组成物、交联聚合物以及轮胎
公开(公告)号：TWI508978B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101131356
申请日：2012-08-29
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：森田浩之 , MORITA, HIROYUKI , 湯淺毅 , YUASA, TAKESHI , 谷耕一郎 , TANI, KOICHIRO , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 田中了司 , TANAKA, RYOJI
IPC分类号： C08C19/22 , C08C19/25 , C08L9/00 , B60C1/00
CPC分类号： C08F4/58 , B60C1/0016 , B60C1/0025 , C08C19/22 , C08C19/25 , C08C19/44 , C08F8/42 , C08F36/04 , C08F36/06 , C08F236/10 , C08K3/013 , Y02T10/862 , C08F4/48 , C08K3/0033 , C08L15/00 , C08F297/04

10. 发明专利

TW201341459A 樹脂組成物、氫化共軛二烯嵌段共聚合物及其製造方法、以及成形體审中-公开
简体标题：树脂组成物、氢化共轭二烯嵌段共聚合物及其制造方法、以及成形体
公开(公告)号：TW201341459A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102106288
申请日：2013-02-22
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：柴田昌宏 , SHIBATA, MASAHIRO , 早川俊之 , HAYAKAWA, TOSHIYUKI , 野坂直矢 , NOSAKA, NAOYA , 豊田暢之 , TOYODA, NOBUYUKI , 大野法由 , OONO, NORIYOSHI
IPC分类号： C08L53/02 , C08L101/00 , C08F8/04 , C08F6/10 , C08F297/04
CPC分类号： C08F6/003 , C08F6/02 , C08F6/10 , C08L53/025
摘要：本發明提供一種含有氫化共軛二烯嵌段共聚合物的樹脂組成物，以及經時穩定性及與熱塑性樹脂等的複合時的加工性優異、可形成複合後的物性優異的聚合物合金的氫化共軛二烯嵌段共聚合物的製造方法。本發明的樹脂組成物含有氫化共軛二烯嵌段共聚合物以及選自非極性聚合物、極性聚合物及填充劑中的至少一種，上述氫化共軛二烯嵌段共聚合物具有式(i)所表示的基團等，且含N原子的極性基中的N原子的矽烷基保護率為70%以上。 [式(i)中，R1、R2及R3表示烷基等]矽烷基保護率(%)=(鍵結於含N原子的極性基中的N原子上的Si原子(個))/[(鍵結於含N原子的極性基中的N原子上的Si原子(個))+(鍵結於含N原子的極性基中的N原子上的氫原子(個))]×100(上述表示矽烷基保護率(%)的式中，所謂含N原子的極性基，是指統稱式(i)所表示的基團、與脫除上述式(i)所表示的基團中的至少一個-SiR1R2R3所表示的基團所得的基團的基團)
简体摘要：本发明提供一种含有氢化共轭二烯嵌段共聚合物的树脂组成物，以及经时稳定性及与热塑性树脂等的复合时的加工性优异、可形成复合后的物性优异的聚合物合金的氢化共轭二烯嵌段共聚合物的制造方法。本发明的树脂组成物含有氢化共轭二烯嵌段共聚合物以及选自非极性聚合物、极性聚合物及填充剂中的至少一种，上述氢化共轭二烯嵌段共聚合物具有式(i)所表示的基团等，且含N原子的极性基中的N原子的硅烷基保护率为70%以上。 [式(i)中，R1、R2及R3表示烷基等]硅烷基保护率(%)=(键结于含N原子的极性基中的N原子上的Si原子(个))/[(键结于含N原子的极性基中的N原子上的Si原子(个))+(键结于含N原子的极性基中的N原子上的氢原子(个))]×100(上述表示硅烷基保护率(%)的式中，所谓含N原子的极性基，是指统称式(i)所表示的基团、与脱除上述式(i)所表示的基团中的至少一个-SiR1R2R3所表示的基团所得的基团的基团)

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