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1. 发明专利

TWI512130B 形成釕膜用材料及釕膜之形成方法有权
简体标题：形成钌膜用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TWI512130B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100104282
申请日：2011-02-09
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873

2. 发明专利

TW201318835A 具備金屬體之基板的製造方法审中-公开
简体标题：具备金属体之基板的制造方法
公开(公告)号：TW201318835A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101126273
申请日：2012-07-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：酒井達也 , SAKAI, TATSUYA , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 山本雅浩 , YAMAMOTO, MASAHIRO , 中川恭志 , NAKAGAWA, HISASHI , 齊藤隆一 , SAITOU, RYUUICHI , 青木英行 , AOKI, HIDEYUKI , 古川剛 , FURUKAWA, TSUYOSHI
IPC分类号： B32B15/04
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種成膜特性(反射率及密著性)優異，亦容易地應用於大型基板且可於低成本實施之具備金屬體之基板的製造方法。該具備金屬體之基板的製造方法包含下述步驟：(A)將錯合物加熱至第一溫度而生成該錯合物之蒸汽之步驟；((B)使前述蒸汽加熱至前述第一溫度以下的第二溫度之基板接觸，而在前述基板表面之至少一部分上形成含有前述錯合物之中心金屬的單體或化合物(但前述錯合物除外)之金屬體之步驟)。步驟(B)之第二溫度為未達錯合物之分解溫度。前述錯合物之中心金屬為鋁或鈦。
简体摘要：本发明提供一种成膜特性(反射率及密着性)优异，亦容易地应用于大型基板且可于低成本实施之具备金属体之基板的制造方法。该具备金属体之基板的制造方法包含下述步骤：(A)将错合物加热至第一温度而生成该错合物之蒸汽之步骤；((B)使前述蒸汽加热至前述第一温度以下的第二温度之基板接触，而在前述基板表面之至少一部分上形成含有前述错合物之中心金属的单体或化合物(但前述错合物除外)之金属体之步骤)。步骤(B)之第二温度为未达错合物之分解温度。前述错合物之中心金属为铝或钛。

3. 发明专利

TW570947B 感放射線性樹脂組成物,層間絕緣膜及微透鏡之形成方法,與層間絕緣膜及微透鏡有权
简体标题：感放射线性树脂组成物,层间绝缘膜及微透镜之形成方法,与层间绝缘膜及微透镜
公开(公告)号：TW570947B
公开(公告)日：2004-01-11
申请号：TW091100685
申请日：2002-01-17
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：西村功 NISHIMURA, ISAO , 竹內信弘 , 西村秀樹 , 丹羽一明 NIWA, KAZUAKI
IPC分类号： C08L
摘要：一種感放射線性樹脂組成物，其特徵為含[A]( a1)不飽和羧酸及/或不飽和羧酸酐與(a2)含環氧基不飽和化合物、(a3)含羥基不飽和化合物與(a4)其他烯烴系不飽和化合物的共聚合物，及含
[B)1，2—苯二疊氮基化合物。
[B]成分的含量為每100重量份[A]成分含5~100重量份。
使用該感放射線性樹脂組成物於形成層間絕緣膜及微透鏡的方法。
简体摘要：一种感放射线性树脂组成物，其特征为含[A]( a1)不饱和羧酸及/或不饱和羧酸酐与(a2)含环氧基不饱和化合物、(a3)含羟基不饱和化合物与(a4)其他烯烃系不饱和化合物的共聚合物，及含 [B)1，2—苯二叠氮基化合物。 [B]成分的含量为每100重量份[A]成分含5~100重量份。使用该感放射线性树脂组成物于形成层间绝缘膜及微透镜的方法。

4. 发明专利

TWI513681B 釕膜形成用材料及釕膜形成方法有权
简体标题：钌膜形成用材料及钌膜形成方法
公开(公告)号：TWI513681B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099136703
申请日：2010-10-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA
IPC分类号： C07C49/92 , C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C07C49/92 , C07F15/0046 , H01L21/76843 , H01L28/65

5. 发明专利

TW201224200A 鋁膜形成方法审中-公开
简体标题：铝膜形成方法
公开(公告)号：TW201224200A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100137129
申请日：2011-10-13
申请人： JSR股份有限公司
发明人：山本雅浩 , 西村秀樹 , 青木英行 , 酒井達也
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/10
摘要：本發明係提供一種方法，其係較習知方法更簡便地，在基體上形成均質且緻密的鋁膜。一種鋁膜形成方法，其特徵為包含：塗佈步驟，其係將含有胺化合物與氫化鋁的錯合物之鋁膜形成用材料，塗佈在由銅、鈷、鉬、鎢、鋁、鎳、以及金中所選出之至少一種的金屬所構成之金屬層的表面，而形成塗佈膜；和硬化步驟，其係對前述塗佈膜，進行由加熱處理及光照射處理中所選出之至少一種的處理，而形成鋁膜。
简体摘要：本发明系提供一种方法，其系较习知方法更简便地，在基体上形成均质且致密的铝膜。一种铝膜形成方法，其特征为包含：涂布步骤，其系将含有胺化合物与氢化铝的错合物之铝膜形成用材料，涂布在由铜、钴、钼、钨、铝、镍、以及金中所选出之至少一种的金属所构成之金属层的表面，而形成涂布膜；和硬化步骤，其系对前述涂布膜，进行由加热处理及光照射处理中所选出之至少一种的处理，而形成铝膜。

6. 发明专利

TWI357844B 化學機械研磨墊及化學機械研磨方法 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS 有权
简体标题：化学机械研磨垫及化学机械研磨方法 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS
公开(公告)号：TWI357844B
公开(公告)日：2012-02-11
申请号：TW094130730
申请日：2005-09-07
申请人： JSR股份有限公司
发明人：田野裕之 , 西村秀樹 , 志保浩司
IPC分类号： B24B , B24D
CPC分类号： B24B37/24
摘要：本發明揭示一種化學研磨墊，其具有儲存彈性模數E'(30℃)在30℃下為120 MPa或以下及儲存彈性模數E'(30℃)在30℃下對儲存彈性模數E'(60℃)在60℃下之(E'(30℃)/E'(60℃))比率為2.5或以上，當研磨基材之儲存彈性模數在30℃及60℃下係在以下條件下測定：最初負荷量：100克最大偏位率：0.01%頻率：0.2 Hz。
化學機械研磨法使用上述化學機械研磨墊。
化學機械研磨墊可抑制化學機械研磨步驟中之經研磨表面上刮痕之產生並可提供一種高品質研磨表面，及該化學機械研磨法係使用化學機械研磨墊提供高品質研磨表面。
简体摘要：本发明揭示一种化学研磨垫，其具有存储弹性模数E'(30℃)在30℃下为120 MPa或以下及存储弹性模数E'(30℃)在30℃下对存储弹性模数E'(60℃)在60℃下之(E'(30℃)/E'(60℃))比率为2.5或以上，当研磨基材之存储弹性模数在30℃及60℃下系在以下条件下测定：最初负荷量：100克最大偏位率：0.01%频率：0.2 Hz。化学机械研磨法使用上述化学机械研磨垫。化学机械研磨垫可抑制化学机械研磨步骤中之经研磨表面上刮痕之产生并可提供一种高品质研磨表面，及该化学机械研磨法系使用化学机械研磨垫提供高品质研磨表面。

7. 发明专利

TW201134804A 釕膜形成用材料及釕膜形成方法审中-公开
简体标题：钌膜形成用材料及钌膜形成方法
公开(公告)号：TW201134804A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099136703
申请日：2010-10-27
申请人： JSR股份有限公司
发明人：齊藤隆一 , 鄭康巨 , 西村秀樹 , 酒井達也
IPC分类号： C07C , C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/18 , C07C49/92 , C07F15/0046 , H01L21/76843 , H01L28/65
摘要：本發明係提供一種經低熔點化及高蒸氣壓化，因此容易將釕膜形成用材料供給基體上，且可得到良質之釕膜的釕膜形成用材料。本發明係含有下述式(1)表示之化合物。
(一般式(1)中，R 1 係分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1~4之烴基、或碳數1~4之鹵化烴基，R 2 係分別獨立為碳數1~4之鹵化烴基、碳數1~4之烷氧基、或碳數1~4之鹵化烷氧基，R 1 與R 2 係彼此不同之基團，R 3 係分別獨立為氫原子或碳數1~4之烴基，L係具有至少2個雙鍵之碳數4~10之不飽和烴化合物)。
简体摘要：本发明系提供一种经低熔点化及高蒸气压化，因此容易将钌膜形成用材料供给基体上，且可得到良质之钌膜的钌膜形成用材料。本发明系含有下述式(1)表示之化合物。 (一般式(1)中，R 1 系分别独立为氢原子、卤素原子、碳数1~4之烃基、或碳数1~4之卤化烃基，R 2 系分别独立为碳数1~4之卤化烃基、碳数1~4之烷氧基、或碳数1~4之卤化烷氧基，R 1 与R 2 系彼此不同之基团，R 3 系分别独立为氢原子或碳数1~4之烃基，L系具有至少2个双键之碳数4~10之不饱和烃化合物)。

8. 发明专利

TW201137155A 形成釕膜用材料及釕膜之形成方法审中-公开
简体标题：形成钌膜用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TW201137155A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100104282
申请日：2011-02-09
申请人： JSR股份有限公司
发明人：齊藤隆一 , 鄭康巨 , 西村秀樹 , 酒井達也
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要：本發明提供一種即使在沒有氧等氧化劑存在下亦可容易分解之釕膜形成用材料。本發明之釕膜形成用材料包含以下述式（1）表示之化合物，Ru（PR 1 3）l（L 1 ）m（L 2 ）n（1）（上述式（1）中，R 1 各獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1~4之烴基、或碳數1~4之鹵化烴基，L 1 為氫原子、或鹵素原子，L 2 為至少具有兩個雙鍵之碳數4~10之不飽和烴化合物，1為1~5之整數，m為0~4之整數，n為0~2之整數，但，1+m+2n=5或6）。
简体摘要：本发明提供一种即使在没有氧等氧化剂存在下亦可容易分解之钌膜形成用材料。本发明之钌膜形成用材料包含以下述式（1）表示之化合物，Ru（PR 1 3）l（L 1 ）m（L 2 ）n（1）（上述式（1）中，R 1 各独立为氢原子、卤素原子、碳数1~4之烃基、或碳数1~4之卤化烃基，L 1 为氢原子、或卤素原子，L 2 为至少具有两个双键之碳数4~10之不饱和烃化合物，1为1~5之整数，m为0~4之整数，n为0~2之整数，但，1+m+2n=5或6）。

9. 发明专利

TW201124557A 釕膜形成用材料及釕膜之形成方法审中-公开
简体标题：钌膜形成用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TW201124557A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099140218
申请日：2010-11-22
申请人： JSR股份有限公司
发明人：齊藤隆一 , 鄭康巨 , 西村秀樹 , 酒井達也
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/16 , C07F15/0053 , C23C16/06
摘要：本發明在於提供可得到保存安定性優、且殘留雜質少的良質釕膜之釕膜形成用材料。一種含有下述一般式(1)所表示之化合物之釕膜形成用材料。
(一般式(1)中、R 1 ~R 4 分別獨立，為氫原子、鹵原子、碳數1～10之烴基、或碳數1～10之鹵化烴，R 5 為碳數1～12之2價烴基、或碳數1～12之2價鹵化烴基。)
简体摘要：本发明在于提供可得到保存安定性优、且残留杂质少的良质钌膜之钌膜形成用材料。一种含有下述一般式(1)所表示之化合物之钌膜形成用材料。 (一般式(1)中、R 1 ~R 4 分别独立，为氢原子、卤原子、碳数1～10之烃基、或碳数1～10之卤化烃，R 5 为碳数1～12之2价烃基、或碳数1～12之2价卤化烃基。)

10. 发明专利

TWI326799B 敏輻射線性樹脂組成物、層間絕緣膜及微透鏡、以及此等之製造方法有权
简体标题：敏辐射线性树脂组成物、层间绝缘膜及微透镜、以及此等之制造方法
公开(公告)号：TWI326799B
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW093122996
申请日：2004-07-30
申请人： JSR股份有限公司
发明人：西村秀樹 , 蓑輪貴樹 , 漆原英一郎 , 高本英司 , 西川通則
IPC分类号： G03F , G02B
摘要：一種敏輻射線性樹脂組成物，其特徵為含有，[A]:(a1)不飽和羧酸及/或不飽和羧酸酐，(a2)含環氧基不飽和化合物，(a3)含羥基或羧基之順丁烯二醯亞胺系單體，及(a4)由(a1)，(a2)及(a3)以外之不飽和化合物之共聚物，以及[B]:1,2-苯醌二疊氮化合物。使用該等所形成之層間絶緣膜及微透鏡。此敏輻射線性樹脂組成物，具有高度敏輻射線感度，在顯影步驟中即使超過最適顯影時間亦具有可形成良好的圖型形狀之顯影界限，而可容易形成密接性優異之圖型狀薄膜。
简体摘要：一种敏辐射线性树脂组成物，其特征为含有，[A]:(a1)不饱和羧酸及/或不饱和羧酸酐，(a2)含环氧基不饱和化合物，(a3)含羟基或羧基之顺丁烯二酰亚胺系单体，及(a4)由(a1)，(a2)及(a3)以外之不饱和化合物之共聚物，以及[B]:1,2-苯醌二叠氮化合物。使用该等所形成之层间绝缘膜及微透镜。此敏辐射线性树脂组成物，具有高度敏辐射线感度，在显影步骤中即使超过最适显影时间亦具有可形成良好的图型形状之显影界限，而可容易形成密接性优异之图型状薄膜。

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