专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI513681B 釕膜形成用材料及釕膜形成方法有权
简体标题：钌膜形成用材料及钌膜形成方法
公开(公告)号：TWI513681B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099136703
申请日：2010-10-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA
IPC分类号： C07C49/92 , C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/18 , C07C49/92 , C07F15/0046 , H01L21/76843 , H01L28/65

2. 发明专利

TW201514621A 多層光阻製程用無機膜形成組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：多层光阻制程用无机膜形成组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201514621A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103131151
申请日：2014-09-10
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 , NAKAGAWA, HISASHI , 齊藤隆一 , SAITOU, RYUUICHI , 藤田賢治 , FUJITA, KENJI , 栗田俊輔 , KURITA, SHUNSUKE , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , C09D1/00 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：本發明係一種多層光阻製程用無機膜形成組成物，其含有金屬化合物及溶劑，該金屬化合物含有由鈦、鉭、鋯及鎢所組成之群選出之至少一種之複數金屬原子、與使上述複數金屬原子間交聯之氧原子、及配位於上述金屬原子上之多齒配位子，且上述金屬化合物之以靜態光散射法測定之絕對分子量為8,000以上且50,000以下。上述金屬化合物較好主要含有於金屬原子上鍵結2個交聯氧原子之構造。
简体摘要：本发明系一种多层光阻制程用无机膜形成组成物，其含有金属化合物及溶剂，该金属化合物含有由钛、钽、锆及钨所组成之群选出之至少一种之复数金属原子、与使上述复数金属原子间交联之氧原子、及配位于上述金属原子上之多齿配位子，且上述金属化合物之以静态光散射法测定之绝对分子量为8,000以上且50,000以下。上述金属化合物较好主要含有于金属原子上键结2个交联氧原子之构造。

3. 发明专利

TWI512130B 形成釕膜用材料及釕膜之形成方法有权
简体标题：形成钌膜用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TWI512130B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100104282
申请日：2011-02-09
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 酒井達也 , SAKAI, TATSUYA
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/46
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873

4. 发明专利

TWI409271B 有機矽化合物的製造方法有权
简体标题：有机硅化合物的制造方法
公开(公告)号：TWI409271B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW099109196
申请日：2010-03-26
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：野邊洋平 , NOBE, YOHEI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI
IPC分类号： C07F7/08 , C07F7/16 , C07F7/18
CPC分类号： C07F7/188 , C07F7/1876

5. 发明专利

TW201318835A 具備金屬體之基板的製造方法审中-公开
简体标题：具备金属体之基板的制造方法
公开(公告)号：TW201318835A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101126273
申请日：2012-07-20
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：酒井達也 , SAKAI, TATSUYA , 西村秀樹 , NISHIMURA, HIDEKI , 山本雅浩 , YAMAMOTO, MASAHIRO , 中川恭志 , NAKAGAWA, HISASHI , 齊藤隆一 , SAITOU, RYUUICHI , 青木英行 , AOKI, HIDEYUKI , 古川剛 , FURUKAWA, TSUYOSHI
IPC分类号： B32B15/04
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76843 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種成膜特性(反射率及密著性)優異，亦容易地應用於大型基板且可於低成本實施之具備金屬體之基板的製造方法。該具備金屬體之基板的製造方法包含下述步驟：(A)將錯合物加熱至第一溫度而生成該錯合物之蒸汽之步驟；((B)使前述蒸汽加熱至前述第一溫度以下的第二溫度之基板接觸，而在前述基板表面之至少一部分上形成含有前述錯合物之中心金屬的單體或化合物(但前述錯合物除外)之金屬體之步驟)。步驟(B)之第二溫度為未達錯合物之分解溫度。前述錯合物之中心金屬為鋁或鈦。
简体摘要：本发明提供一种成膜特性(反射率及密着性)优异，亦容易地应用于大型基板且可于低成本实施之具备金属体之基板的制造方法。该具备金属体之基板的制造方法包含下述步骤：(A)将错合物加热至第一温度而生成该错合物之蒸汽之步骤；((B)使前述蒸汽加热至前述第一温度以下的第二温度之基板接触，而在前述基板表面之至少一部分上形成含有前述错合物之中心金属的单体或化合物(但前述错合物除外)之金属体之步骤)。步骤(B)之第二温度为未达错合物之分解温度。前述错合物之中心金属为铝或钛。

6. 发明专利

TW201126007A 鈷膜形成用材料及鈷膜形成之方法审中-公开
简体标题：钴膜形成用材料及钴膜形成之方法
公开(公告)号：TW201126007A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099139784
申请日：2010-11-18
申请人： JSR股份有限公司
发明人：西村秀樹 , 鄭康巨 , 齊藤隆一 , 酒井達也 , 松木安生
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/18 , C07F15/06 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要：本發明提供一種在大氣中安定之鈷膜形成用材料。本發明提供一種含有以下述式(1)表示之化合物之鈷膜形成用材料,Co3(CO)9CZ …(1) (式(1)中,Z表示氫原子、鹵素原子、可經鹵素原子取代之碳數1~10之烴基、可經鹵素原子取代之碳數1~10之烷氧基、可經鹵素原子取代之碳數2~10之醯基、可經鹵素原子取代之碳數1~10之烷基醯胺基、可經鹵素原子取代之碳數2~10之烷氧羰基、可經鹵素原子取代之碳數2~10之烷氧基烷基)。
简体摘要：本发明提供一种在大气中安定之钴膜形成用材料。本发明提供一种含有以下述式(1)表示之化合物之钴膜形成用材料,Co3(CO)9CZ …(1) (式(1)中,Z表示氢原子、卤素原子、可经卤素原子取代之碳数1~10之烃基、可经卤素原子取代之碳数1~10之烷氧基、可经卤素原子取代之碳数2~10之酰基、可经卤素原子取代之碳数1~10之烷基酰胺基、可经卤素原子取代之碳数2~10之烷氧羰基、可经卤素原子取代之碳数2~10之烷氧基烷基)。

7. 发明专利

TW200948821A 化學氣相成長法用材料及含矽之絕緣膜暨其製造方法审中-公开
简体标题：化学气相成长法用材料及含硅之绝缘膜暨其制造方法
公开(公告)号：TW200948821A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098109863
申请日：2009-03-26
申请人： JSR股份有限公司
发明人：中川恭志 , 野邊洋平 , 鄭康巨 , 齊藤隆一 , 小久保輝一
IPC分类号： C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C07F7/1836 , C07F7/184 , C07F7/1844 , C07F7/1868 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種化學氣相成長法用材料，其包含以下述通式(1)所表示之有機矽烷化合物，[化1]
（式中，R 1 及R 2 相同或不同，表示氫原子、碳數為1～4之烷基、乙烯基或苯基，R 3 及R 4 相同或不同，表示碳數為1～4之烷基、乙醯基或苯基，m表示0～2之整數，n表示1～3之整數）。
简体摘要：一种化学气相成长法用材料，其包含以下述通式(1)所表示之有机硅烷化合物，[化1] （式中，R 1 及R 2 相同或不同，表示氢原子、碳数为1～4之烷基、乙烯基或苯基，R 3 及R 4 相同或不同，表示碳数为1～4之烷基、乙酰基或苯基，m表示0～2之整数，n表示1～3之整数）。

8. 发明专利

TW201038585A 有機矽化合物的製造方法审中-公开
简体标题：有机硅化合物的制造方法
公开(公告)号：TW201038585A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099109196
申请日：2010-03-26
申请人： JSR股份有限公司
发明人：野邊洋平 , 鄭康巨 , 齊藤隆一
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C07F7/188 , C07F7/1876
摘要：一種有機矽化合物的製造方法,包含使以下述通式(4)表示之化合物與以下述通式(5)表示之化合物反應,獲得以下述通式(1)表示之化合物之步驟,及使前述步驟所得之以下述通式(1)表示之有機矽化合物與以下述通式(2)表示之金屬化合物反應,獲得以下述通式(3)表示之有機矽化合物之步驟:R2nXmSi-R1-SiXmR2n.....(1) (式中R1表示經取代或未取代之伸甲基、碳原子數2~10之經取代或未取代之伸烷基、碳原子數6~12之經取代或未取代之伸芳基,R2分別為相同或相異,表示碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基,X為相同或相異,表示氫原子或鹵素原子,m及n為相同或相異,表示0~3之整數,m+n=3(其中2個m中之至少一個為1以上));M(OR4)r.....(2) (式中,M表示金屬元素,r表示金屬元素之價數,R4為相同或相異,表示碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基);R2n(OR4)mSi-R1-Si(OR4)mR2n.....(3) (式中,R1、R2、m及n如上述通式(1)之定義,R4如上述通式(2)之定義)。
简体摘要：一种有机硅化合物的制造方法,包含使以下述通式(4)表示之化合物与以下述通式(5)表示之化合物反应,获得以下述通式(1)表示之化合物之步骤,及使前述步骤所得之以下述通式(1)表示之有机硅化合物与以下述通式(2)表示之金属化合物反应,获得以下述通式(3)表示之有机硅化合物之步骤:R2nXmSi-R1-SiXmR2n.....(1) (式中R1表示经取代或未取代之伸甲基、碳原子数2~10之经取代或未取代之伸烷基、碳原子数6~12之经取代或未取代之伸芳基,R2分别为相同或相异,表示碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基,X为相同或相异,表示氢原子或卤素原子,m及n为相同或相异,表示0~3之整数,m+n=3(其中2个m中之至少一个为1以上));M(OR4)r.....(2) (式中,M表示金属元素,r表示金属元素之价数,R4为相同或相异,表示碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基);R2n(OR4)mSi-R1-Si(OR4)mR2n.....(3) (式中,R1、R2、m及n如上述通式(1)之定义,R4如上述通式(2)之定义)。

9. 发明专利

TW201137155A 形成釕膜用材料及釕膜之形成方法审中-公开
简体标题：形成钌膜用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TW201137155A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100104282
申请日：2011-02-09
申请人： JSR股份有限公司
发明人：齊藤隆一 , 鄭康巨 , 西村秀樹 , 酒井達也
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76873
摘要：本發明提供一種即使在沒有氧等氧化劑存在下亦可容易分解之釕膜形成用材料。本發明之釕膜形成用材料包含以下述式（1）表示之化合物，Ru（PR 1 3）l（L 1 ）m（L 2 ）n（1）（上述式（1）中，R 1 各獨立為氫原子、鹵素原子、碳數1~4之烴基、或碳數1~4之鹵化烴基，L 1 為氫原子、或鹵素原子，L 2 為至少具有兩個雙鍵之碳數4~10之不飽和烴化合物，1為1~5之整數，m為0~4之整數，n為0~2之整數，但，1+m+2n=5或6）。
简体摘要：本发明提供一种即使在没有氧等氧化剂存在下亦可容易分解之钌膜形成用材料。本发明之钌膜形成用材料包含以下述式（1）表示之化合物，Ru（PR 1 3）l（L 1 ）m（L 2 ）n（1）（上述式（1）中，R 1 各独立为氢原子、卤素原子、碳数1~4之烃基、或碳数1~4之卤化烃基，L 1 为氢原子、或卤素原子，L 2 为至少具有两个双键之碳数4~10之不饱和烃化合物，1为1~5之整数，m为0~4之整数，n为0~2之整数，但，1+m+2n=5或6）。

10. 发明专利

TW201124557A 釕膜形成用材料及釕膜之形成方法审中-公开
简体标题：钌膜形成用材料及钌膜之形成方法
公开(公告)号：TW201124557A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099140218
申请日：2010-11-22
申请人： JSR股份有限公司
发明人：齊藤隆一 , 鄭康巨 , 西村秀樹 , 酒井達也
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/16 , C07F15/0053 , C23C16/06
摘要：本發明在於提供可得到保存安定性優、且殘留雜質少的良質釕膜之釕膜形成用材料。一種含有下述一般式(1)所表示之化合物之釕膜形成用材料。
(一般式(1)中、R 1 ~R 4 分別獨立，為氫原子、鹵原子、碳數1～10之烴基、或碳數1～10之鹵化烴，R 5 為碳數1～12之2價烴基、或碳數1～12之2價鹵化烴基。)
简体摘要：本发明在于提供可得到保存安定性优、且残留杂质少的良质钌膜之钌膜形成用材料。一种含有下述一般式(1)所表示之化合物之钌膜形成用材料。 (一般式(1)中、R 1 ~R 4 分别独立，为氢原子、卤原子、碳数1～10之烃基、或碳数1～10之卤化烃，R 5 为碳数1～12之2价烃基、或碳数1～12之2价卤化烃基。)

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式