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1. 发明专利

TW200948821A 化學氣相成長法用材料及含矽之絕緣膜暨其製造方法审中-公开
简体标题：化学气相成长法用材料及含硅之绝缘膜暨其制造方法
公开(公告)号：TW200948821A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098109863
申请日：2009-03-26
申请人： JSR股份有限公司
发明人：中川恭志 , 野邊洋平 , 鄭康巨 , 齊藤隆一 , 小久保輝一
IPC分类号： C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/401 , C07F7/1836 , C07F7/184 , C07F7/1844 , C07F7/1868 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種化學氣相成長法用材料，其包含以下述通式(1)所表示之有機矽烷化合物，[化1]
（式中，R 1 及R 2 相同或不同，表示氫原子、碳數為1～4之烷基、乙烯基或苯基，R 3 及R 4 相同或不同，表示碳數為1～4之烷基、乙醯基或苯基，m表示0～2之整數，n表示1～3之整數）。
简体摘要：一种化学气相成长法用材料，其包含以下述通式(1)所表示之有机硅烷化合物，[化1] （式中，R 1 及R 2 相同或不同，表示氢原子、碳数为1～4之烷基、乙烯基或苯基，R 3 及R 4 相同或不同，表示碳数为1～4之烷基、乙酰基或苯基，m表示0～2之整数，n表示1～3之整数）。

2. 发明专利

TW201038585A 有機矽化合物的製造方法审中-公开
简体标题：有机硅化合物的制造方法
公开(公告)号：TW201038585A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW099109196
申请日：2010-03-26
申请人： JSR股份有限公司
发明人：野邊洋平 , 鄭康巨 , 齊藤隆一
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C07F7/188 , C07F7/1876
摘要：一種有機矽化合物的製造方法,包含使以下述通式(4)表示之化合物與以下述通式(5)表示之化合物反應,獲得以下述通式(1)表示之化合物之步驟,及使前述步驟所得之以下述通式(1)表示之有機矽化合物與以下述通式(2)表示之金屬化合物反應,獲得以下述通式(3)表示之有機矽化合物之步驟:R2nXmSi-R1-SiXmR2n.....(1) (式中R1表示經取代或未取代之伸甲基、碳原子數2~10之經取代或未取代之伸烷基、碳原子數6~12之經取代或未取代之伸芳基,R2分別為相同或相異,表示碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基,X為相同或相異,表示氫原子或鹵素原子,m及n為相同或相異,表示0~3之整數,m+n=3(其中2個m中之至少一個為1以上));M(OR4)r.....(2) (式中,M表示金屬元素,r表示金屬元素之價數,R4為相同或相異,表示碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基);R2n(OR4)mSi-R1-Si(OR4)mR2n.....(3) (式中,R1、R2、m及n如上述通式(1)之定義,R4如上述通式(2)之定義)。
简体摘要：一种有机硅化合物的制造方法,包含使以下述通式(4)表示之化合物与以下述通式(5)表示之化合物反应,获得以下述通式(1)表示之化合物之步骤,及使前述步骤所得之以下述通式(1)表示之有机硅化合物与以下述通式(2)表示之金属化合物反应,获得以下述通式(3)表示之有机硅化合物之步骤:R2nXmSi-R1-SiXmR2n.....(1) (式中R1表示经取代或未取代之伸甲基、碳原子数2~10之经取代或未取代之伸烷基、碳原子数6~12之经取代或未取代之伸芳基,R2分别为相同或相异,表示碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基,X为相同或相异,表示氢原子或卤素原子,m及n为相同或相异,表示0~3之整数,m+n=3(其中2个m中之至少一个为1以上));M(OR4)r.....(2) (式中,M表示金属元素,r表示金属元素之价数,R4为相同或相异,表示碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基);R2n(OR4)mSi-R1-Si(OR4)mR2n.....(3) (式中,R1、R2、m及n如上述通式(1)之定义,R4如上述通式(2)之定义)。

3. 发明专利

TWI398446B 含矽之膜形成用材料，含矽之絕緣膜及其形成方法有权
简体标题：含硅之膜形成用材料，含硅之绝缘膜及其形成方法
公开(公告)号：TWI398446B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW097105118
申请日：2008-02-14
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 , HISASHI NAKAGAWA , 野邊洋平 , YOUHEI NOBE , 加藤仁史 , HITOSHI KATOU , 石附健二 , KENJI ISHIZUKI , 小久保輝一 , TERUKAZU KOKUBO
IPC分类号： C07F7/18 , C07F7/08 , C23C16/42 , H01L21/312
CPC分类号： C07F7/1844 , C07F7/184 , C07F7/1868 , C08G77/50 , C09D4/00 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , C08G77/00 , C08G77/04

4. 发明专利

TW201112441A 發光元件、發光元件之製造方法及發光元件保護層形成用組成物审中-公开
简体标题：发光组件、发光组件之制造方法及发光组件保护层形成用组成物
公开(公告)号：TW201112441A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099125450
申请日：2010-07-30
申请人： JSR股份有限公司
发明人：前田幸勇 , 伊東宏和 , 村田裕亮 , 篠原宣康 , 野邊洋平 , 小林薰平 , 加藤仁史
IPC分类号： H01L , C08L , G03F
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題為提供透明性、耐光性、耐熱性、密接性優異,且可以少的步驟數目製造之發光元件。本發明的解決手段為一種發光元件,其具有支撐基板(9)、形成在支撐基板(9)的上方之半導體層(2)、形成在半導體層(2)的上面之電極(13)、及以被覆半導體層(2)的至少側面之方式所形成的保護層(8),其中保護層(8)係含有由(A)通式(1):(R1)PSi(X)4-P[通式(1)中,R1係碳數1-12的非水解性有機基,X係水解性基,及p係0-3的整數]所示的水解性矽烷化合物、其水解物以及縮合物所成之群選出的至少一種化合物之保護層形成用組成物的硬化物。
简体摘要：本发明之课题为提供透明性、耐光性、耐热性、密接性优异,且可以少的步骤数目制造之发光组件。本发明的解决手段为一种发光组件,其具有支撑基板(9)、形成在支撑基板(9)的上方之半导体层(2)、形成在半导体层(2)的上面之电极(13)、及以被覆半导体层(2)的至少侧面之方式所形成的保护层(8),其中保护层(8)系含有由(A)通式(1):(R1)PSi(X)4-P[通式(1)中,R1系碳数1-12的非水解性有机基,X系水解性基,及p系0-3的整数]所示的水解性硅烷化合物、其水解物以及缩合物所成之群选出的至少一种化合物之保护层形成用组成物的硬化物。

5. 发明专利

TWI431040B 有機二氧化矽系膜及其形成方法，半導體裝置之絕緣膜形成用組成物及其製造方法，暨佈線構造體有权
简体标题：有机二氧化硅系膜及其形成方法，半导体设备之绝缘膜形成用组成物及其制造方法，暨布线构造体
公开(公告)号：TWI431040B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW096103820
申请日：2007-02-02
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 , HISASHI NAKAGAWA , 山中達也 , TATSUYA YAMANAKA , 秋山將宏 , MASAHIRO AKIYAMA , 小久保輝一 , TERUKAZU KOKUBO , 野邊洋平 , YOUHEI NOBE
IPC分类号： C08G77/00 , H01L51/00
CPC分类号： C09D183/04 , C08G77/60 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/316 , C08L83/00

6. 发明专利

TWI409271B 有機矽化合物的製造方法有权
简体标题：有机硅化合物的制造方法
公开(公告)号：TWI409271B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW099109196
申请日：2010-03-26
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：野邊洋平 , NOBE, YOHEI , 鄭康巨 , CHUNG, KANG-GO , 齊藤隆一 , SAITO, RYUICHI
IPC分类号： C07F7/08 , C07F7/16 , C07F7/18
CPC分类号： C07F7/188 , C07F7/1876

7. 发明专利

TW201125156A 光半導體元件之製造方法及光半導體元件保護層形成用組成物审中-公开
简体标题：光半导体组件之制造方法及光半导体组件保护层形成用组成物
公开(公告)号：TW201125156A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099131864
申请日：2010-09-20
申请人： JSR股份有限公司
发明人：野邊洋平 , 加藤仁史 , 小林薰平 , 宮本智明 , 住谷孝治 , 小久保輝一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0095 , C08G77/50 , C08L83/04 , C08L83/14
摘要：本發明提供一種即使使用酸以去除於形成用以分離成元件單位之分離溝時所產生之附著物時，亦不會對半導體層產生不良影響之耐酸性及耐龜裂性優異之保護層形成用組成物，以及使用該組成物之光半導體元件之製造方法。保護層形成用組成物包含矽氧烷系聚合物及有機溶劑。光半導體元件之製造方法包含將保護層形成用組成物塗佈於形成在基板(1)上之半導體層(2、3)之表面而形成保護層(4)之步驟，自保護層(4)之上方照射雷射而形成分離溝(6)之步驟，及去除形成分離溝(6)時產生之附著物之步驟。
简体摘要：本发明提供一种即使使用酸以去除于形成用以分离成组件单位之分离沟时所产生之附着物时，亦不会对半导体层产生不良影响之耐酸性及耐龟裂性优异之保护层形成用组成物，以及使用该组成物之光半导体组件之制造方法。保护层形成用组成物包含硅氧烷系聚合物及有机溶剂。光半导体组件之制造方法包含将保护层形成用组成物涂布于形成在基板(1)上之半导体层(2、3)之表面而形成保护层(4)之步骤，自保护层(4)之上方照射激光而形成分离沟(6)之步骤，及去除形成分离沟(6)时产生之附着物之步骤。

8. 发明专利

TW201004967A 有機矽化合物之製造方法审中-公开
简体标题：有机硅化合物之制造方法
公开(公告)号：TW201004967A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098117658
申请日：2009-05-27
申请人： JSR股份有限公司
发明人：野邊洋平 , 中川恭志 , 鄭康巨
IPC分类号： C07F
CPC分类号： C07F7/1876
摘要：本發明係提供相比於僅使用格利雅反應之合成過程，可縮短反應時間，且，以簡便之步驟以高產率取得生成物之有機矽化合物的製造方法。有機矽化合物之製造方法為包含將下述一般式(1)所示之化合物的至少OR 1 基取代，取得下述一般式(2)所示之化合物的步驟。Si(OR 1 )3-mY 1 m-R 2 -Si(OR 3 )3-nY 2 n …(1)(式中，R 1 為相同或相異，表示碳原子數3~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數3~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數3~10之經取代或未取代之炔基、或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基，Y 1 為相同或相異，表示氫原子、碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基、或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基，R 2 為相同或相異，表示經取代或未取代之亞甲基、碳原子數2~6之經取代或未取代之伸烷基、碳原子數2~6之經取代或未取代之伸烯基、碳原子數2~6之經取代或未取代之伸炔基、或碳原子數6~12之經取代或未取代之伸芳基，m為表示0至2之整數，R 3 為相同或相異，表示碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基、或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基、碳數1~10之經取代或未取代之醯基，Y 2 為相同或相異，表示氫原子、碳原子數1~10之經取代或未取代之烷基、碳原子數2~10之經取代或未取代之烯基、碳原子數2~10之經取代或未取代之炔基、或碳原子數6~12之經取代或未取代之芳基，n為表示0至2之整數)Si(OR 4 )3-mY 1 m-R 2 -Si(OR 4 )3-nY 2 n…(2)(式中，R 4 為相同或相異，表示碳原子數1或2之烷基、或烯基，R 2 、Y １、Y 2 、m及n為如上述一般式(1)所定義)
简体摘要：本发明系提供相比于仅使用格利雅反应之合成过程，可缩短反应时间，且，以简便之步骤以高产率取得生成物之有机硅化合物的制造方法。有机硅化合物之制造方法为包含将下述一般式(1)所示之化合物的至少OR 1 基取代，取得下述一般式(2)所示之化合物的步骤。Si(OR 1 )3-mY 1 m-R 2 -Si(OR 3 )3-nY 2 n …(1)(式中，R 1 为相同或相异，表示碳原子数3~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数3~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数3~10之经取代或未取代之炔基、或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基，Y 1 为相同或相异，表示氢原子、碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基、或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基，R 2 为相同或相异，表示经取代或未取代之亚甲基、碳原子数2~6之经取代或未取代之伸烷基、碳原子数2~6之经取代或未取代之伸烯基、碳原子数2~6之经取代或未取代之伸炔基、或碳原子数6~12之经取代或未取代之伸芳基，m为表示0至2之整数，R 3 为相同或相异，表示碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基、或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基、碳数1~10之经取代或未取代之酰基，Y 2 为相同或相异，表示氢原子、碳原子数1~10之经取代或未取代之烷基、碳原子数2~10之经取代或未取代之烯基、碳原子数2~10之经取代或未取代之炔基、或碳原子数6~12之经取代或未取代之芳基，n为表示0至2之整数)Si(OR 4 )3-mY 1 m-R 2 -Si(OR 4 )3-nY 2 n…(2)(式中，R 4 为相同或相异，表示碳原子数1或2之烷基、或烯基，R 2 、Y １、Y 2 、m及n为如上述一般式(1)所定义)

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