专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI332967B 液狀樹脂組成物、硬化膜及層合體有权
简体标题：液状树脂组成物、硬化膜及层合体
公开(公告)号：TWI332967B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW093113719
申请日：2004-05-14
申请人： JSR股份有限公司
发明人：田邊隆喜 , 江利山祐一 , 山村哲也 , 鈴木康伸 , 下村宏臣 , 土居本光伸
IPC分类号： C08L , C08K
CPC分类号： B32B27/18 , B32B7/02 , B32B23/08 , B32B27/08 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/322 , B32B2250/24 , B32B2264/102 , B32B2307/408 , B32B2307/418 , B32B2457/20 , B32B2551/00 , B32B2559/00 , C08K3/22 , G02B1/105 , G02B1/111 , G02B1/14 , G02B1/16 , Y10T428/256 , Y10T428/3154 , C08L27/12
摘要：本發明係關於含有(A)含氟聚合物、(B)硬化性化合物、(C)數量平均粒子徑為100nm以下之金屬氧化物粒子、及(D)溶劑之液狀樹脂組成物。硬化此組成物時，(C)金屬氧化物粒子集中化，膜厚方向之折射率變化0.05至0.8，可製造實質上低折射率層與高折射率層之二層結構之硬化膜。
简体摘要：本发明系关于含有(A)含氟聚合物、(B)硬化性化合物、(C)数量平均粒子径为100nm以下之金属氧化物粒子、及(D)溶剂之液状树脂组成物。硬化此组成物时，(C)金属氧化物粒子集中化，膜厚方向之折射率变化0.05至0.8，可制造实质上低折射率层与高折射率层之二层结构之硬化膜。

2. 发明专利

TWI370156B 液狀硬化性樹脂組成物、硬化膜及層合體有权
简体标题：液状硬化性树脂组成物、硬化膜及层合体
公开(公告)号：TWI370156B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW094108471
申请日：2005-03-18
申请人： JSR股份有限公司
发明人：下村宏臣 , 土居本光伸 , 山村哲也 , 田邊隆喜 , 高瀨英明
IPC分类号： C08L , B32B , C08K
CPC分类号： C09D127/12 , C08K3/36 , C08K5/0025 , C09D7/42
摘要：本發明係將含有(A)含有羥基之含氟聚合物及/或含有乙烯性不飽和基之含氟聚合物、(B)硬化性化合物、(C)硬化觸媒、(D)數平均粒子徑為100nm以下的二氧化矽粒子、以及(E)sp值為超過8.5未達12.8之溶劑的液狀硬化性樹脂組成物塗佈於基材並去除溶劑，則分離為高密度方式存在有二氧化矽的層、與實質上不存在有二氧化矽的層的二層，而使其硬化，則可提供一種對基材的密合性優異、耐擦傷性高，具有良好的反射防止效果的硬化膜。
简体摘要：本发明系将含有(A)含有羟基之含氟聚合物及/或含有乙烯性不饱和基之含氟聚合物、(B)硬化性化合物、(C)硬化触媒、(D)数平均粒子径为100nm以下的二氧化硅粒子、以及(E)sp值为超过8.5未达12.8之溶剂的液状硬化性树脂组成物涂布于基材并去除溶剂，则分离为高密度方式存在有二氧化硅的层、与实质上不存在有二氧化硅的层的二层，而使其硬化，则可提供一种对基材的密合性优异、耐擦伤性高，具有良好的反射防止效果的硬化膜。

3. 发明专利

TW201130020A ｎ型半導體層上之電極的形成方法审中-公开
简体标题：ｎ型半导体层上之电极的形成方法
公开(公告)号：TW201130020A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW100104741
申请日：2011-02-14
申请人： JSR股份有限公司
发明人：周布本真也 , 石川悟司 , 佐古明理 , 山村哲也 , 有村雄一朗 , 花村政曉
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： H01L21/28575 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01L29/2003 , H01L33/40 , H01L2933/0016 , H01S5/0425
摘要：本發明之目的係提供一種可藉由掀除（lift-off）法在n型半導體上良好地形成電極之方法。本發明之n型半導體層上之電極之形成方法特徵為包含藉由使用化學增幅型負型光阻之微影法在n型半導體層上形成光阻圖型之步驟，在前述光阻圖型間形成金屬膜之步驟，及剝離前述光阻圖型，獲得在前述n型半導體層上形成之由前述金屬膜所成之電極之步驟。
简体摘要：本发明之目的系提供一种可借由掀除（lift-off）法在n型半导体上良好地形成电极之方法。本发明之n型半导体层上之电极之形成方法特征为包含借由使用化学增幅型负型光阻之微影法在n型半导体层上形成光阻图型之步骤，在前述光阻图型间形成金属膜之步骤，及剥离前述光阻图型，获得在前述n型半导体层上形成之由前述金属膜所成之电极之步骤。

4. 发明专利

TW201126754A 半導體發光元件之製造方法、半導體發光元件及半導體發光元件之製造方法所用之感光性組成物审中-公开
简体标题：半导体发光组件之制造方法、半导体发光组件及半导体发光组件之制造方法所用之感光性组成物
公开(公告)号：TW201126754A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW100102872
申请日：2011-01-26
申请人： JSR股份有限公司
发明人：伊東宏和 , 石川悟司 , 山村哲也 , 花村政曉 , 有村雄一朗
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/0757 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H01L33/007 , H01L33/145
摘要：本發明之目的係提供一種具有電流阻止層之半導體發光元件之製造方法，其為可不經過蝕刻等製程而在各種位置或層上形成各種形狀之電流阻止層之半導體發光元件之製造方法，藉由該半導體發光元件之製造方法獲得之半導體發光元件，及該半導體發光元件之製造法所用之感光性組成物。本發明之具有電流阻止層之半導體發光元件之製造方法，其特徵為利用微影法形成由感光性組成物所得之圖型，以該圖型作為電流阻止層。
简体摘要：本发明之目的系提供一种具有电流阻止层之半导体发光组件之制造方法，其为可不经过蚀刻等制程而在各种位置或层上形成各种形状之电流阻止层之半导体发光组件之制造方法，借由该半导体发光组件之制造方法获得之半导体发光组件，及该半导体发光组件之制造法所用之感光性组成物。本发明之具有电流阻止层之半导体发光组件之制造方法，其特征为利用微影法形成由感光性组成物所得之图型，以该图型作为电流阻止层。

5. 发明专利

TWI609239B 絕緣膜的形成方法及使用絕緣膜的裝置有权
简体标题：绝缘膜的形成方法及使用绝缘膜的设备
公开(公告)号：TWI609239B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103135761
申请日：2014-10-16
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：工藤和生 , KUDOU, KAZUNARI , 安田博幸 , YASUDA, HIROYUKI , 山村哲也 , YAMAMURA, TETSUYA , 勝井宏充 , KATSUI, HIROMITSU , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/40 , G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/22 , H01L27/32 , H01L33/44 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3272 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/039 , H01L27/1225 , H01L27/3246

6. 发明专利

TWI402281B 輻射線硬化性樹脂組成物及防反射膜有权
简体标题：辐射线硬化性树脂组成物及防反射膜
公开(公告)号：TWI402281B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW095111808
申请日：2006-04-03
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山田康晴 , YAMADA, YASUHARU , 八代隆郎 , YASHIRO, TAKARO , 山村哲也 , YAMAMURA, TETSUYA , 高瀨英明 , TAKASE, HIDEAKI
IPC分类号： C08F290/12 , C09D4/00 , C09D4/02 , C09D5/00 , C09D127/12 , C09D183/07
CPC分类号： G02B1/111 , C08F214/18 , C08F283/12 , C08F290/12 , C08F299/08 , C08L83/04 , C09D133/04 , C09D133/16 , C08L83/00

7. 发明专利

TWI348557B 液狀硬化性樹脂組成物及使用其之層合體的製造方法有权
简体标题：液状硬化性树脂组成物及使用其之层合体的制造方法
公开(公告)号：TWI348557B
公开(公告)日：2011-09-11
申请号：TW094108640
申请日：2005-03-21
申请人： JSR股份有限公司
发明人：下村宏臣 , 土居本光伸 , 鈴木康伸 , 山村哲也 , 田邊隆喜 , 高瀨英明
IPC分类号： G02B , B05D
CPC分类号： C09D127/12 , C08K3/22
摘要：本發明係揭示含有下列成分：(A)含氟聚合物、(B)熱硬化性化合物、(C)硬化觸媒、(D)數平均粒徑為100nm以下之金屬氧化物粒子、(E－1)對(A)含氟聚合物具高溶解性之1種或2種以上的溶劑（以下稱為「(E－1)速揮發溶劑」）、(E－2)對(D)金屬氧化物粒子具高分散安定性，且對(E－1)速揮發溶劑具相溶性之1種或2種以上的溶劑（以下稱為「(E－2)遲揮發溶劑」）、(F)活性能量線硬化性化合物，又，(E－1)速揮發溶劑之相對蒸發速度大於(E－2)遲揮發溶劑之相對蒸發速度的液狀硬化性樹脂組成物，及其所形成之硬化膜。
简体摘要：本发明系揭示含有下列成分：(A)含氟聚合物、(B)热硬化性化合物、(C)硬化触媒、(D)数平均粒径为100nm以下之金属氧化物粒子、(E－1)对(A)含氟聚合物具高溶解性之1种或2种以上的溶剂（以下称为“(E－1)速挥发溶剂”）、(E－2)对(D)金属氧化物粒子具高分散安定性，且对(E－1)速挥发溶剂具相溶性之1种或2种以上的溶剂（以下称为“(E－2)迟挥发溶剂”）、(F)活性能量线硬化性化合物，又，(E－1)速挥发溶剂之相对蒸发速度大于(E－2)迟挥发溶剂之相对蒸发速度的液状硬化性树脂组成物，及其所形成之硬化膜。

8. 发明专利

TW201533524A 絕緣膜的形成方法及使用絕緣膜的裝置审中-公开
简体标题：绝缘膜的形成方法及使用绝缘膜的设备
公开(公告)号：TW201533524A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103135761
申请日：2014-10-16
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：工藤和生 , KUDOU, KAZUNARI , 安田博幸 , YASUDA, HIROYUKI , 山村哲也 , YAMAMURA, TETSUYA , 勝井宏充 , KATSUI, HIROMITSU , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/40 , G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/22 , H01L27/32 , H01L33/44 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/3272 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/039 , H01L27/1225 , H01L27/3246
摘要：本發明提供一種顯示或照明裝置，其使用薄膜電晶體作為驅動用元件，所述薄膜電晶體含有包含光劣化大的物質的半導體層，並且伴隨著該些裝置的使用的所述物質的光劣化得到抑制。本發明的顯示或照明裝置具備：TFT基板；第1電極，設置於TFT基板上且與所述TFT連接；絕緣膜，以使第1電極局部地露出的方式形成於第1電極上，且全光線透射率於波長300nm~400nm下在0%~15%的範圍內；以及第2電極，與第1電極相對向而設置；並且所述絕緣膜為由感放射線性材料所形成的絕緣膜，所述感放射線性材料含有(A)聚合物、(B)感光劑及(C)酚醛清漆樹脂等樹脂，且相對於聚合物(A)100質量份，所述感放射線性材料中的樹脂(C)的含量為2質量份~200質量份。
简体摘要：本发明提供一种显示或照明设备，其使用薄膜晶体管作为驱动用组件，所述薄膜晶体管含有包含光劣化大的物质的半导体层，并且伴随着该些设备的使用的所述物质的光劣化得到抑制。本发明的显示或照明设备具备：TFT基板；第1电极，设置于TFT基板上且与所述TFT连接；绝缘膜，以使第1电极局部地露出的方式形成于第1电极上，且全光线透射率于波长300nm~400nm下在0%~15%的范围内；以及第2电极，与第1电极相对向而设置；并且所述绝缘膜为由感放射线性材料所形成的绝缘膜，所述感放射线性材料含有(A)聚合物、(B)感光剂及(C)酚醛清漆树脂等树脂，且相对于聚合物(A)100质量份，所述感放射线性材料中的树脂(C)的含量为2质量份~200质量份。

9. 发明专利

TW201506140A 化學機械硏磨墊及使用其之化學機械硏磨方法审中-公开
简体标题：化学机械研磨垫及使用其之化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW201506140A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103118092
申请日：2014-05-23
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：橫井勝孝 , YOKOI, KATSUTAKA , 新美優嗣 , NIIMI, MASATSUGU , 田野裕之 , TANO, HIROYUKI , 山村哲也 , YAMAMURA, TETSUYA
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/24
CPC分类号： B24B37/24 , C08G2101/00 , C08G18/10 , C08G18/3206
摘要：本發明提供一種可兼顧CMP中之被研磨面之平坦性提高與研磨缺陷(刮痕)之減低的化學機械研磨墊、及使用該化學機械研磨墊之化學機械研磨方法。本發明之化學機械研磨墊之特徵，係具有由組成物所形成之研磨層，該組成物含有樹脂與非離子性界面活性劑，且前述非離子性界面活性劑之含有比例相對於前述樹脂100質量份為0.1質量份以上且5質量份以下。前述非離子性界面活性劑之HLB值較好為5以上且18以下。
简体摘要：本发明提供一种可兼顾CMP中之被研磨面之平坦性提高与研磨缺陷(刮痕)之减低的化学机械研磨垫、及使用该化学机械研磨垫之化学机械研磨方法。本发明之化学机械研磨垫之特征，系具有由组成物所形成之研磨层，该组成物含有树脂与非离子性界面活性剂，且前述非离子性界面活性剂之含有比例相对于前述树脂100质量份为0.1质量份以上且5质量份以下。前述非离子性界面活性剂之HLB值较好为5以上且18以下。

10. 发明专利

TWI338597B 液狀硬化性樹脂組成物及使用其之層合體的製造方法有权
简体标题：液状硬化性树脂组成物及使用其之层合体的制造方法
公开(公告)号：TWI338597B
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：TW094108478
申请日：2005-03-18
申请人： JSR股份有限公司
发明人：下村宏臣 , 土居本光伸 , 鈴木康伸 , 山村哲也 , 江利山祐一 , 田邊隆喜 , 高瀨英明
IPC分类号： B05D , G02B
CPC分类号： C09D127/12 , C08K3/22 , C08K5/0025 , C08L27/12
摘要：本發明提供一種液狀硬化性樹脂組成物，其特徵為：含有下述成(A)至(F)；(A)分子內具有羥基的含氟聚合物(B)數平均粒子徑為100nm以下，且折射率為1.50以上之1種或2種以上之金屬氧化物粒子(以下，簡稱「(B)金屬氧化物粒子」)(C)對(A)分子內具有羥基的含氟聚合物的溶解性高的1種或2種以上之溶劑(以下，簡稱「(C)速揮發溶劑」)(D)對(B)金屬氧化物粒子的分散安定性高，且與(C)速揮發溶劑相溶性的1種或2種以上之溶劑(以下，簡稱「(D)遲揮發劑」)(E)硬化性化合物(F)熱引發酸產生劑，且(C)速揮發溶劑之相對蒸發速度，係較(D)遲揮發劑之相對蒸發速度為大。
简体摘要：本发明提供一种液状硬化性树脂组成物，其特征为：含有下述成(A)至(F)；(A)分子内具有羟基的含氟聚合物(B)数平均粒子径为100nm以下，且折射率为1.50以上之1种或2种以上之金属氧化物粒子(以下，简称“(B)金属氧化物粒子”)(C)对(A)分子内具有羟基的含氟聚合物的溶解性高的1种或2种以上之溶剂(以下，简称“(C)速挥发溶剂”)(D)对(B)金属氧化物粒子的分散安定性高，且与(C)速挥发溶剂相溶性的1种或2种以上之溶剂(以下，简称“(D)迟挥发剂”)(E)硬化性化合物(F)热引发酸产生剂，且(C)速挥发溶剂之相对蒸发速度，系较(D)迟挥发剂之相对蒸发速度为大。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式